● 全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。● 卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平，以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布，其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员，现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
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TDK 3D HAL 位置传感器
3D ToF智能相机能藉助飞时测距（Time of Flight；ToF）技术，在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料，确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅，加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发，隔离政策改变人们的消费模式与型态，导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长；于此同时，人员移动的管制，也间接造成人力不足产生缺工问题，加速物流仓储行业自动化的进程，进而大量导入无人搬运车AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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3D ToF 相机 物流仓储 自动化 台达
近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
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V-NAND 闪存 3D NAND
2023 年第三季度，电子产品销售额预计将实现 10% 的季度环比增长。
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IC 集成电路
动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）l 这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案，该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU，主频达到 150MHz，拥有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多个 Timer，多路 PWM，多种通信接口，支持 16 位的 ADC，资源丰富。 该方案支持 3.5 寸触摸屏显示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机，支持 5 轴电机控制，支
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3D 打印机 NXP LPC5528
中国上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 将于 7 月 11-13 日在上海国家会展中心举办的 2023中国（上海）机器视觉展 (Vision China) 展示最新产品和解决方案。欢迎各位莅临 5.1A101 展位了解先进的 3D 解决方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Teledyne Vision China 3D AI成像
中国 上海 2023年6月20日——6月17日-18日，以“南芯声 聚势未来”为主题的2023中国·南沙国际集成电路产业论坛（IC NANSHA）成功举办。开幕式上，爱芯元智创始人、董事长兼CEO仇肖莘博士受邀发表《普惠智能的星辰大海》主题演讲，向与会嘉宾分享了对边缘侧、端侧人工智能的看沙法，并解读爱芯元智2.0时代战略规划和业务布局。 聚焦感知与计算，布局智慧城市、智能驾驶、AIoT三大赛道 IC NANSHA是为响应大湾区国家战略而搭建的集成电路产业论坛。2022年6月，国务院正式
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爱芯元智 IC NANSHA
珠海市招商署消息显示，5月6日，珠海赛纳永盈一期创投基金成立暨项目签约仪式举行。据悉，珠海赛纳永盈一期创投基金由珠海赛纳科技有限公司联合格力集团、正方集团共同组建，计划规模8亿元，重点投资孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成电路及上下游相关产业。格力集团消息称，格力集团旗下格力金投出资1.5亿元并参与管理。仪式上，赛纳科技、格力集团、正方集团三方签约代表签署“珠海赛纳永盈一期创投基金”协议，基金拟投资企业珠海诺威达电机有限公司、广州市小篆科技有限公司分别和赛纳科技签署项目落地协议。
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格力 创投 基金 IC
IC 设计市场气氛诡谲难辨，相关公司只能边走边看。
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IC
5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向
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3D NAND
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