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3d dram 文章 进入3d dram技术社区

DRAM的变数

  • 一路暴跌的半导体行业在 8 月终于传来了好消息。TrendForce 集邦咨询研究发布最新数据,第二季 DRAM 产业营收约 114.3 亿美元,环比增长 20.4%,终结连续三个季度的跌势。存储作为行业的风向标,止跌是大家喜闻乐见的。这样的好消息背后,不知道还有多少变数,又何时传递给整个半导体行业呢?经历低谷根据 TrendForce 发布报告,2022 年第三季度 DRAM 行业营收为 181.9 亿美元,环比下降 28.9%。2022 年第三季度,DRAM 供应商库存快速堆积,为抢占第四季度的出货市
  • 关键字: DRAM  

美光 1-gamma 制程内存预计 2025 年上半年在台量产

  • IT之家 9 月 4 日消息,据台湾 《中央通讯社》 报道,台湾美光董事长卢东晖表示,美光有多达 65% 的 DRAM 产品在台湾生产,其中台日团队一起研发新一代的 1-gamma 制程将于 2025 年上半年先在台中厂量产,这是美光第 1 代采用极紫外光(EUV)的制程技术。据悉,美光现在只有在台中有 EUV 的制造工厂,1-gamma 制程势必会先在台中厂量产,日本厂未来也会导入 EUV 设备。卢东晖强调,台湾和日本是美光非常重要的制造中心,美光有多达 65% 的动态随机存取记忆体(DRAM
  • 关键字: 美光  DRAM  

三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

  • 2023年9月1日,三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代双倍数据率同步动态随机存储器)。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就,这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位,并开启了大容量内存时代的新篇章。 三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM(1)"在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上,我们可以研发出实现1TB内存模组的解决方案
  • 关键字: 三星  12纳米  DDR5  DRAM  

3D NAND还是卷到了300层

  • 近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。同样在 8 月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份,据欧洲电子新闻网报道,西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还
  • 关键字: V-NAND  闪存  3D NAND  

3D DRAM时代即将到来,泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构

  • 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐,向三维发展,以提高单位面积的存储单元数量。(NAND指“NOT AND”,意为进行与非逻辑运算的电路单元。)l  这一趋势有利于整个行业的发展,因为它能推动存储器技术的突破,而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l  DRAM技
  • 关键字: 3D DRAM  泛林  

被垄断的NAND闪存技术

  • 各家 3D NAND 技术大比拼。
  • 关键字: NAND  3D NAND  

3D 晶体管的转变

DRAM教父高启全职业生涯又有新进展

  • 高启全是全球 DRAM 领域最资深的人士之一。
  • 关键字: DRAM  

基于 LPC5528 的 3D 打印机方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案,该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU,主频达到 150MHz,拥有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多个 Timer,多路 PWM,多种通信接口,支持 16 位的 ADC,资源丰富。      该方案支持 3.5 寸触摸屏显示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机,支持 5 轴电机控制,支
  • 关键字: 3D 打印机  NXP  LPC5528  

三季度DRAM和NAND闪存价格跌幅放缓

  • 今年 Q3,存储产品价格有望迎来拐点。
  • 关键字: DRAM  NAND  

三星电子 DRAM 内存和代工部门业绩低迷,负责人双双被换

  • IT之家 7 月 5 日消息,据多个韩国媒体报道,三星电子昨日突然在非常规人事季更换了代工(DS)部门和 DRAM 部门负责人,被解读为“弥补今年上半年存储半导体表现低迷、强化代工业务的手段”。首先,三星代工事业部技术开发部门副社长郑基泰(Jegae Jeong)被任命为事业部最高技术负责人(CTO),而他的继任者则是 Jahun Koo。与此同时,负责存储半导体中 DRAM 开发的部门负责人也被更换,由原本担任战略营销部门副社长的黄相俊(Hwang Sang-jun)接管,被业界解读为对 HB
  • 关键字: 三星  DRAM  

Teledyne将在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中国上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 将于 7 月 11-13 日在上海国家会展中心举办的 2023中国(上海)机器视觉展 (Vision China) 展示最新产品和解决方案。欢迎各位莅临 5.1A101 展位了解先进的 3D 解决方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 关键字: Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

DRAM大厂:Q3产品价格可望回稳?

  • 6月5日,DRAM大厂南亚科公布2023年5月自结合并营收为新台币23.09亿元,月增加2.17%、年减少62.74%,仍创下今年新高水准。累计前5月合并营收为新台币109.94亿元,年减少66.42%。据中国台湾媒体《中时新闻网》引述南亚科总经理提到,DRAM市况预期第三季产品价格可望回稳。南亚科总经理认为,以今年整体状况而言,DRAM需求成长率可能低于长期平均值,但DRAM是电子产品智能化的关键元件,未来各种消费型智能电子产品的推陈出新,加上5G、AI、智慧城市、智能工厂、智能汽车、智能家庭、智能穿戴
  • 关键字: DRAM  TrendForce  

韩媒:三星已组建开发团队,以量产4F2结构DRAM

  • 5月26日,韩国媒体The Elec引用知情人士消息称,三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队,以量产4F2结构DRAM。4F2结构DRAM能够大大提高DRAM的存储密度,方便研究团队克服DRAM线宽缩减的极限,增加DRAM制造的效率。报道称,如果三星4F2 DRAM存储单元结构研究成功,在不改变节点的情况下,与现有的6F2 DRAM存储单元结构相比,芯片DIE面积可以减少30%左右。4F2结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术,据说工艺难点颇多。不过三星认为,与SK海力士和美
  • 关键字: 三星  4F2结构  DRAM  
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