VL53L5、VL53L7、VL53L8都是基于ST的FlightSense技术的多区飞行时间(ToF)传感器。所有ST多区飞行时间传感器有以下共同特点:✦ 都使用直方图,并且拥有4X4或8X8个区域。✦ 具备自主模式,无需与芯片进行交互。一旦设置了开始及中断时间,它会在触发事件出现时自动中断。✦ 通过I2C接口,传输速率可达1兆赫。对于那些产生数据量巨大的应用就非常方便。✦ 具备运动指示器,能够提醒您是否有动作发生。✦ 具有相同的软件驱动程序,在STM3
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ToF ST 传感器
从目前公开的DRAM(内存)技术来看,业界认为,3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一,是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工?如何解决尺寸限制等行业技术痛点?大厂布局情况?如何理解3D DRAM?DRAM(内存)单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成,其中,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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3D DRAM 存储
如果你对飞行时间不了解,别担心,你来对地方了。飞行时间一词几乎就是字面意思,只不过飞行的对象是波长为940纳米,肉眼完全不可见的“光子”。我们发出一束激光;光子撞击某个物体并反弹回来。当光子反弹回来时,我们停止计时,获得光飞行时长,借此确定物体与我们之间的距离(以毫米为单位)。这项技术被称为光飞行时间距离测量(flight sense),该技术功耗相对较低,远远低于相机。飞行时间的概念很简单,您只需要使用一个小模块便可轻松将这个“简单”的技术应用在您的方案中。而这个模块本身并不简单,不仅仅是一片封装在塑料
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飞行时间 传感器 ToF
开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
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3D NAND
● HAL 3930-4100(单芯片)和 HAR 3930-4100(双芯片)是两款精确的霍尔效应位置传感器,具备稳健的杂散场补偿能力,并配备 PWM 或 SENT 输出接口● 单芯片传感器已定义为 ASIL C 级,可以集成到汽车安全相关系统中,最高可达 ASIL D 级● 目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
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TDK ASIL C 3D HAL传感器
引言 在许多应用中,无法通过实际接触来测量与目标之间的
距离。典型示例包括测量物流中心的传送带上是否存在
物体,确保与运动中的机械臂保持安全距离,确定仓库
中人员或机器人相对于资产的位置。飞行时间 (ToF) 位
置传感器有助于利用光线到达物体及返回所需的时间来
测量距离。OPT3101 是高速、高分辨率 AFE 的一个
典型示例,适用于完全集成且基于 ToF 的连续波位置
传感器。该传感器可在 15m 不模糊的范围内实现 16
位距离输出。有关 OPT3101 的更多信息,请参
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ToF 位置传感器 测量
未来,ToF在接近检测传感器、人体存在检测和激光自动对焦等领域的应用中不可估量。作为主要的ToF技术和方案提供商,意法半导体针对这些应用需求不断对产品技术进行更新迭代。为了让飞行时间 (ToF) 传感器达到最低功耗,ST开发了一套驱动程序,能够有效地将FlightSense™传感器配置为节能版接近检测器。此外,一旦检测到物体,驱动程序会立即将传感器切换回标准测距模式,充分发挥飞行时间 (ToF) 技术的优势。传感器经过特殊设计,其设置和测距流程完全内嵌于固件中,能够显著降低功耗。ST具有超低功耗 (ULP
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ToF 传感器 飞行时间
● 全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。● 卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平,以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布,其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员,现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
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TDK 3D HAL 位置传感器
3D ToF智能相机能藉助飞时测距(Time of Flight;ToF)技术,在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料,确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅,加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发,隔离政策改变人们的消费模式与型态,导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长;于此同时,人员移动的管制,也间接造成人力不足产生缺工问题,加速物流仓储行业自动化的进程,进而大量导入无人搬运车AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
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3D ToF 相机 物流仓储 自动化 台达
近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。同样在 8 月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份,据欧洲电子新闻网报道,西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还
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V-NAND 闪存 3D NAND
动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐,向三维发展,以提高单位面积的存储单元数量。(NAND指“NOT AND”,意为进行与非逻辑运算的电路单元。)l 这一趋势有利于整个行业的发展,因为它能推动存储器技术的突破,而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
IT之家 7 月 20 日消息,意法半导体今日宣布推出一款视场角达 90° 的 FlightSense 多区 ToF 测距传感器,视场角比上一代产品扩大 33%,用于家庭自动化、家电、计算机、机器人以及商店、工厂等场所使用的智能设备。据介绍,与一些专用的摄像头传感器不同,这款型号为 VL53L7CX 的飞行时间(ToF)传感器并不拍摄图像,因此,可以保障用户个人隐私安全。VL53L7CX 将视场角扩大到 90°(对角线),号称“几乎相当于相机的水准”,增强了对场景周边的感知能力,提升了存在检测和
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ST ToF
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