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3d-mems 文章 进入3d-mems技术社区

3D DRAM进入量产倒计时

  • 在 AI 服务器中,内存带宽问题越来越凸出,已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下,HBM 内存很火,它相对于传统 DRAM,数据传输速度有了明显提升,但是,随着 AI 应用需求的发展,HBM 的带宽也有限制,而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题,但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下,3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
  • 关键字: 3D DRAM  

3D NAND,1000层竞争加速!

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字: 3D NAND  集邦咨询  

意法半导体通过全新的一体化MEMS Studio桌面软件解决方案提升提升传感器应用开发者的创造力

  • 意法半导体的MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS传感器功能评估开发工具,与STM32微控制器生态系统的关系密切,支持Windows、MacOS和 Linux操作系统。从评估到配置和编程,通过整合统一传感器开发流程,MEMS Studio 可以加快传感器应用软件开发,简化在开发项目中增加丰富的情境感知功能。增强的功能有助于应用轻松获取传感器数据,并清晰地显示可视化的传感器数据,方便开发者探索传感器工作模式,优化传感器性能和测量准确度。软件包中还有预构建库测试工具,以及方便的鼠
  • 关键字: 意法半导体  MEMS Studio  MEMS  

Melexis MLX90830 Triphibian MEMS传感器在贸泽开售

  • 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售Melexis的MLX90830 Triphibian™ MEMS压力传感器。MLX90830采用悬臂设计,可测量各种环境下的气体和液体压力,精度高,可靠性强。该传感器既可作为独立器件使用,也可嵌入到电动汽车热管理系统的膨胀阀、电子压缩机或泵中,是HVAC-R应用的理想选择。Melexis MLX90830传感器是率先采用Triphibian
  • 关键字: Melexis  MEMS  贸泽  压力传感器  

超级详细!17000字图文读懂常见MEMS传感器的原理和构造

  • MEMS传感器是当今最热门的传感器种类,MEMS技术使传感器微型化、低功耗、集成化成为可能,是未来传感器技术的发展方向之一。本文编译自传感器宝典——《现代传感器手册——原理、设计和应用》,说明了MEMS电容式传感器、MEMS触觉传感器、MEMS压电式加速度计等常见传感器的原理和构造,可选自己感兴趣的部分MEMS传感器知识阅读。如需《现代传感器手册——原理、设计和应用》(美第五版,790P,PDF)一书电子文档,可在传感器专家网公众号后台回复【现代传感器手册】获取下载链接。本文内容较全面,可按目录获取需要的
  • 关键字: MEMS  传感器  

千亿美元蛋糕!3D DRAM分食之战悄然开局

  • 从目前公开的DRAM(内存)技术来看,业界认为,3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一,是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工?如何解决尺寸限制等行业技术痛点?大厂布局情况?如何理解3D DRAM?DRAM(内存)单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成,其中,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
  • 关键字: 3D DRAM  存储  

为什么仍然没有商用3D-IC?

  • 摩尔不仅有了一个良好的开端,但接下来的步骤要困难得多。
  • 关键字: 3D-IC  HBM  封装  

历时 7 年研制,赛微电子 MEMS-OCS 光链路交换器件实现量产

  • 2023 年 12 月 24 日,北京赛微电子股份有限公司发布关于全资子公司 MEMS-OCS 启动量产的公告,全资子公司 Silex Microsystems AB 以 MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems 的缩写,即微电子机械系统,简称为微机电系统)工艺为某客户制造的 OCS(Optical Circuit Switch 的缩写,即光链路交换器件)完成了工艺及性能验证(工艺开发与试产的总耗费时间超过 7 年),并于 2023 年 12 月 22 日收到该客户发出的
  • 关键字: MEMS-OCS  赛微电子  

300层之后,3D NAND的技术路线图

  • 开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
  • 关键字: 3D NAND  

TDK发布适用于汽车和工业应用场景的全新ASIL C级杂散场稳健型3D HAL传感器

  • ●   HAL 3930-4100(单芯片)和 HAR 3930-4100(双芯片)是两款精确的霍尔效应位置传感器,具备稳健的杂散场补偿能力,并配备 PWM 或 SENT 输出接口●   单芯片传感器已定义为 ASIL C 级,可以集成到汽车安全相关系统中,最高可达 ASIL D 级●   目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
  • 关键字: TDK  ASIL C  3D HAL传感器  

莫干山高新区高端MEMS芯片制造项目正式投产

  • 浙江芯晟微机电制造有限公司开业仪式举行,标志着总投资5.4亿元的高端MEMS芯片制造项目正式投产。据湖州莫干山高新区官微消息,日前,浙江芯晟微机电制造有限公司开业仪式举行,标志着高端MEMS芯片制造项目正式投产。据悉,浙江芯晟微机电制造有限公司MEMS芯片制造项目总投资5.4亿元,位于高新区城北园区的核心区域,占地74亩,新增建筑面积8.9万平方米,项目一期建成6英寸晶圆高端MEMS芯片量产线,将进一步优化湖州市德清县芯片制造产业结构。
  • 关键字: MEMS  机电  芯晟微电机  

TDK推出采用3D HAL技术并具备模拟输出和SENT接口的位置传感器

  • ●   全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。●   卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平,以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布,其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员,现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
  • 关键字: TDK  3D HAL  位置传感器  

3D ToF相机于物流仓储自动化的应用优势

  • 3D ToF智能相机能藉助飞时测距(Time of Flight;ToF)技术,在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料,确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅,加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发,隔离政策改变人们的消费模式与型态,导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长;于此同时,人员移动的管制,也间接造成人力不足产生缺工问题,加速物流仓储行业自动化的进程,进而大量导入无人搬运车AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
  • 关键字: 3D ToF  相机  物流仓储  自动化  台达  

3D NAND还是卷到了300层

  • 近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。同样在 8 月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份,据欧洲电子新闻网报道,西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还
  • 关键字: V-NAND  闪存  3D NAND  
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