11 月 30 日消息，据外媒报道，从去年下半年开始，受消费电子产品需求下滑影响，全球存储芯片的需求也明显下滑，三星电子、SK 海力士等主要厂商都受到了影响。但在削减产量、人工智能领域相关需求增加的推动下，DRAM 这一类存储产品的价格已在回升，销售额环比也在增加。研究机构最新的数据就显示，在今年三季度，全球 DRAM 的销售额达到了 132.4 亿美元，环比增长 19.2%，在一季度的 93.7 亿美元之后，已连续两个季度环比增长。全球 DRAM 的销售额在三季度明显增长，也就意味着主要厂商的销售额，环
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DRAM 闪存 三星 海力士
● HAL 3930-4100（单芯片）和 HAR 3930-4100（双芯片）是两款精确的霍尔效应位置传感器，具备稳健的杂散场补偿能力，并配备 PWM 或 SENT 输出接口● 单芯片传感器已定义为 ASIL C 级，可以集成到汽车安全相关系统中，最高可达 ASIL D 级● 目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
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TDK ASIL C 3D HAL传感器
据外媒报道，在OpenAI训练的人工智能聊天机器人ChatGPT大火，谷歌等一众科技巨头纷纷加入生成式人工智能和大型语言模型的赛道之后，外媒就预计对AI服务器的需求将大幅增加，高性能GPU、高带宽存储器的需求也将随之增加，半导体行业的多家厂商，将迎来新的发展机遇。市场研究公司Omdia的最新分析显示，存储芯片厂商SK海力士就已从人工智能应用需求增加中获益，他们三季度在全球DRAM市场的份额达到了35%，占据了超过三分之一的份额。也是SK海力士自成立以来，在全球DRAM市场份额最高的一个季度。由于生成式人工
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AI SK海力士 DRAM
IT之家 11 月 24 日消息，由于厂商减产的效果逐渐显现，以及特定应用市场的持续强劲需求，DRAM 和 NAND 闪存价格在 2023 年第 4 季度呈现全面上涨，并有望持续到明年第 1 季度。集邦咨询分析预估，2023 年第 4 季度移动 DRAM 合约价格预计上涨 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合约预计上涨约 10-15%，上涨趋势会持续到 2024 年第 1 季度。移动 DRAM：根据国外科技媒体 WccFtech 报道，2024 年手机的一个明显变化是
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闪存 DRAM NAND
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布领先业界推出基于 32Gb 单裸片的128GB DDR5 RDIMM 内存，具有高达 8,000 MT/s 速率的一流性能，可支持当前及未来的数据中心工作负载。该款大容量、高速率内存模块特别针对数据中心和云环境中广泛的任务关键型应用，例如人工智能 (AI)、内存数据库 (IMDB) 以及需要对多线程、多核通用计算工作负载进行高效处理的场景，满足它们对
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美光 DRAM 128GB RDIMM内存
NAND Flash现货价于8月中旬反弹，DRAM价格也在9月开始回升，内存市况确立好转，带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报，内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损；内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看，第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商，则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安，财务成绩表现亮眼。此外，威刚14日公告10月自结财务数
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内存 NAND Flash DRAM
在本次展会上，东芯半导体也来到了EEPW的直播间。东芯半导体股份有限公司成立于2014年，作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2022年EEPW曾有幸采访过东芯半导体副总经理陈总，这次在2023年慕尼黑华南电子展上，陈总向我们介绍了东芯半导体这次在展会上带来了全线的产品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前东芯在NAND
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东芯半导体 NAND NOR DRAM 存储
据TrendForce集邦咨询最新研究显示，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND
Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%；由于Mobile
DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因，供应方面：三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面：2023下半年Mobile
DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate
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Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
受高通胀冲击消费电子产品买气影响，据TrendForce集邦咨询统计，2022年全球DRAM模组市场整体销售额173亿美元，年衰退约4.6%；其中各模组厂因供应的领域不同，使得各家营收表现差异较大。TrendForce集邦咨询统计，2022年全球前五大存储器模组厂占整体销售额90%；前十名则合计囊括全球模组市场的96%营业额，其中Kingston（金士顿）的市占达78%，虽营收小幅下跌，仍维持全球第一。尽管终端市场需求不佳，但基于Kingston品牌规模，加上完整的产品供应链，使得其营收衰退幅度较小，仅衰
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消费电子 DRAM 模组
● 全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。● 卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平，以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布，其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员，现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
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TDK 3D HAL 位置传感器
10月9日，韩国总统办公室通报，美国目前已做出决定 —— 在无需单独批准的情况下，三星和SK海力士可以向中国工厂提供半导体设备，该决定一经通报即生效。据悉，无限期豁免将通过更新Validated End-User（VEU）清单来取得。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，代表美国出口管制的适用性实际上是被无限期暂停。三星在一份声明中表示，“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。”SK海力士则表示，“我们欢迎美国政府决定延长对出口管制规定的豁免。我们相信，这一决定将
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三星 SK海力士 NAND DRAM 半导体设备
受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片的价格在 2022 年最后两个季度均出现暴跌。根据 TrendForce 的最新数据显示，DRAM 的平均价格继 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅扩大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均价跌幅收敛至 13%～18%，Q2 DRAM 价格跌幅收窄至 10% 到 15%。与 DRAM 市况相似，NAND 闪存的市场需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 价格跌幅均超过 20%，今年 Q1 NAN
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NAND SSD DRAM
IT之家 10 月 10 日消息，闪存市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星等 DRAM 巨头正积极备战 1γ DRAM 技术。图源：SK 海力士DRAM目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代，美光将其称为 1β DRAM，而三星将其称为 1b DRAM。美光于去年 10 月开始量产 1β DRAM，不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ DRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技术。而三星计划 2023 年迈入 1b D
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DRAM 闪存
3D ToF智能相机能藉助飞时测距（Time of Flight；ToF）技术，在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料，确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅，加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发，隔离政策改变人们的消费模式与型态，导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长；于此同时，人员移动的管制，也间接造成人力不足产生缺工问题，加速物流仓储行业自动化的进程，进而大量导入无人搬运车AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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