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3d dram 文章 进入3d dram技术社区

美光面向数据中心客户推出 DDR5 服务器 DRAM, 推动下一代服务器平台发展

  • 关键优势:● 随着 CPU 内核数量不断增加,改进后的内存架构相比 DDR4[1] 可将带宽提高近一倍,进而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2],比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高达 64GB 的模组容量,能够支持内存密集型工作负载[4]● DDR5 的创新架构改进和模组内建电源管理功能,有助于优化系统整体运行性能 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布
  • 关键字: 美光  数据中心  DRAM  DDR5  

中国DRAM和NAND存储技术和产业能赶超韩国吗?

  • 近日,韩国进出口银行海外经济研究所(OERI)推算,韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为:DRAM的差距约为 5年,NAND 的差距约为2年。该研究院分析,中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半,两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测,在NAND闪存领域,中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
  • 关键字: DRAM  NAND  

长江存储推出UFS 3.1高速闪存,加速5G时代存储升级

  • 近日,长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域,以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场,将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示 :“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

中国SSD行业企业势力全景图

  • 全球范围看,2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元,增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市场规模约占56%,NAND Flash市场规模约占41%(IC Insights数据)。另外,根据CFM 闪存市场预计,2021年全球存储市场规模将达1620亿美元,增长29%,其中DRAM为945亿美元,NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近,相差100亿美元。目前,全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
  • 关键字: 存储芯片  DRAM  NAND Flash  

长江存储SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

  • 这两年,长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘,都呈现火力全开的姿态,从技术到产品都不断推陈出新。6月23日,长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列,可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景,而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压,可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

消息称长江存储第二座工厂年底投产 追赶三星和美光

  • 新浪科技讯 北京时间6月23日下午消息,据报道,知情人士今日称,中国存储芯片长商“长江存储”在武汉的第二座工厂最早将于今年年底投产。此举有望进一步缩小长江存储与三星和美光在技术和产量方面的差距。  在经历了突飞猛进的增长后,长江存储急需扩大产能,以在全球半导体市场进一步赢得份额。两名知情人士称,长江存储当前的工厂一直在接近满负荷运转,2021年底每月生产10万片晶圆。  分析师预计,长江存储去年的全球市场份额接近5%,已成为世界第六大NAND闪存制造商,仅次于三星、SK海力士、Kioxia、西部数据和美光
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

2022半导体储存器市场调研 半导体储存器行业前景及现状分析

  •   国内半导体储存器行业市场前景及现状如何?半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支:半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业,根据功能的不同,集成电路又可以分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等细分领域。2022半导体储存器市场调研半导体储存器行业前景及现状分析  国内开始布局存储产业规模化,中国大陆的存储器公司陆续成立,存储产业也取得明显的进展。在半导体国产化的大趋势下,国内存储器行业有望迎来新的发展和机遇。  半导体储存器行业产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网
  • 关键字: 存储  DRAM  市场  

TrendForce:DRAM原厂降价意愿提高 第三季跌至近10%

  • 根据TrendForce最新研究显示,尽管今年上半年的整体消费性需求快速转弱,但先前DRAM原厂议价强势,并未出现降价求售迹象,使得库存压力逐渐由买方堆栈至卖方端。在下半年旺季需求展望不明的状态下,部分DRAM供货商已开始有较明确的降价意图,尤其发生在需求相对稳健的服务器领域以求去化库存压力,此情况将使第三季DRAM价格由原先的季跌3至8%,扩大至近10%,若后续引发原厂竞相降价求售的状况,跌幅恐超越一成。PC OEM仍处于连续性下修出货展望,且综观各家DRAM库存水位平均超过两个月以上,除非有极大的价格
  • 关键字: TrendForce  DRAM  

存储芯片从落后20年,到追上三星、美光,中国厂商只花了6年

  • 近日,有消息称,国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初,会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商,终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片,而大规模应用也要到2023年去了。可见,国产存储芯片,在技术上确实已经追上了三星
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

中国芯片传来捷报,长江存储取得技术突破,正式打破三星垄断

  • 中国芯片传来捷报,长江存储取得重大技术突破,正式打破韩国三星垄断,目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产,预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离,长江存储直接越级跳过了96层,直接进入了128层3D NAND 闪存的研发,并成功在2020年正式宣布研发成功,它是
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

国产存储芯片又取得突破,长江存储192层闪存送样,预计年底量产

  • 头一段时间,有媒体报道称,长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样,预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业,从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立,2017年便推出了32层NAND闪存。2019年,推出64层堆栈3D NAND闪存,并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距,长江存储跳过了96层,直接进行了128层3D NAND 闪存的研发,并在2020年正式宣布研发成功,它是业内首款128层QLC规格的3D N
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

TrendForce:第三季DRAM价格预估下跌3~8%

  • 据TrendForce研究,尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑,第三季DRAM市场仍不敌俄乌战事、高通膨导致消费性电子需求疲弱的负面影响,进而使得整体DRAM库存上升,成为第三季DRAM价格下跌3~8%的主因,且不排除部分产品别如PC与智能型手机领域恐出现超过8%的跌幅。PC DRAM方面,在需求持续走弱情况下,引发PC OEMs下修整年出货目标,同时也造成DRAM库存快速飙升,第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存,采购力道尚难回温。同时,由于整体DRAM产业仍处于供过于求,因此即便
  • 关键字: TrendForce  DRAM  

imec首度展示晶背供电逻辑IC布线方案 推动2D/3D IC升级

  • 比利时微电子研究中心(imec)于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会(VLSI Symposium),首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)结构,将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨(buried power rail)上。微缩化的鳍式场效晶体管(FinFET)透过这些埋入式电源轨(BPR)实现互连,性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔(nTSV)与埋入式电源轨(BPR)连接至晶圆背面,与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
  • 关键字: imec  晶背供电  逻辑IC  布线  3D IC  

英飞凌推出全球首款符合ISO26262标准的高分辨率车用3D图像传感器

  • 3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用,有助于打造创新的汽车智能座舱,支持新服务的无缝接入,并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求,以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与专注3D ToF(飞行时间)系统领域的湃安德(pmd)合作,开发出了第二代车用REAL3™图像传感器,该传感器符合ISO26262标准,具有更高的分辨率。         
  • 关键字: 3D  图像传感器  

英飞凌携手湃安德为Magic Leap 2开发3D深度传感技术,赋能尖端工业和医疗应用

  • 增强现实(AR)应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年,AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计,将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计,拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力,能够让操作人员更高效地开展工作,帮助公司优化复杂的流程,并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX:
  • 关键字: 3D  s深度传感  
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