- 镁光刚刚宣布了其34纳米NAND SSD产品线，一个原生6Gbps的SATA设备引起了广泛注意，镁光透露它将被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下发布。
这款SSD具体型号RealSSD C300，2.5寸外形设计，包含128和256GB两种型号，读取速度高达355MB/s,写入速度达215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。预计将面向北美、英国和欧洲大陆发布，128GB版售价大约450美元。
- 关键字：
镁光 34纳米 NAND SSD
- 美光科技股份有限公司日前宣布，该公司将业界一流的34纳米4Gb单层单元NAND闪存与50纳米2Gb LPDDR相结合，生产出了市场上最先进的NAND-LPDDR多芯片封装组合产品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封装产品以智能手机、个人媒体播放器和新兴的移动互联网设备为应用目标。较小的外形尺寸、低成本和节能是这类应用的核心特色。
美光公司目前向客户推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封装试用产品，预计于2010年初投入量产。4Gb NAND-2Gb LPDDR组合
- 关键字：
美光 NAND 34纳米 智能手机
- 三星表示,PCM(相变内存)所具有的体积小及节电优势可能让这种内存替代现有的移动存储形式.
多年来,半导体厂商一直在致力研究PCM内存,不过,它一直处于试验阶段.PCM内存当中包含有类似玻璃的材料,当其中的原子重新排列,它的状态就会发生改变,晶体的变化对应计算上的0,1状态,从而可以用于数据存储.
一直以来,包括英特尔和英飞凌在内的很多公司都在从PCM的研发,他们试图将这种存储器的体积减小,增存储加速度与容量.支持PCM的人士认为,PCM最终可能取代NAND和NOR闪存.
三星半导体
- 关键字：
三星 PCM 34纳米 10纳米 12纳米
- 英特尔和美光科技周二发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称，他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片，存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术，从而将实现高容量的优盘。
美光NAND闪存营销经理Kevin Kilbuck说，虽然在一个存储单元加入更多比特的数据能够提供更大的数据密度，但是，这种做法没有基于更标准的技术的闪存那样可靠。因此，每个储存单元3比特的芯片最初将仅限于应用到优盘。优盘没有要求固态硬盘的那种数据存储可靠性。固
- 关键字：
英特尔 NAND 34纳米
- 海力士(Hynix)NAND Flash产业之路命运多舛，之前48纳米制程量产不顺，加上减产之故，几乎是半退出NAND Flash产业，直到近期新制程41纳米制程量产顺利，才开始活跃起来，日前更打入苹果(Apple)iPhone 3G S供应链，获得认证通过，可以一起和东芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大厂一起「吃苹果」!
海力士2008年下半开始，NAND Flash出货量变得相当少，一方面是48纳米制程量产不顺，另一方面是NAND Flash价格崩盘，导致亏损
- 关键字：
Hynix NAND 48纳米 41纳米 34纳米 存储器
- 英特尔公司已经开始采用更为先进的34纳米生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘(SSD)。SSD是电脑硬盘的替代品。凭借更小的芯片尺寸和先进的工程设计，34 纳米产品将使SSD的价格(与一年前推出产品时的价格相比)降低60%，为PC和笔记本电脑制造商及消费者带来实惠。
多层单元(MLC)英特尔® X25-M Mainstream SATA SSD适用于笔记本电脑和台式机，有80GB和160GB两个版本可供选择。SSD是电脑中的数据存储设备。由于SSD不包括任何移动部件，因此与传统硬盘(
- 关键字：
英特尔 34纳米 NAND 固态硬盘
- 随著英特尔(Intel)和美光(Micron)所合资成立IM Flash抢头香推出34纳米制程NAND Flash产品，应战三星电子(Samsung Electronics)42纳米制程，不但制程技术领先，近期英特尔和美光在价格策略上，更是上演绝地大反攻计画，以超低价策略抢食三星地盘。下游厂商透露，近期英特尔和美光32Gb芯片价格硬是比其它品牌便宜1美元，相较于三星更是便宜将近3美元，价差相当惊人，而此策略亦让英特尔阵营近期NAND Flash产品询问度大增，三星在现货市场活络度则降低。
英特尔
- 关键字：
Intel 34纳米 NAND 42纳米
- 市调机构InSpectrum认为,尽管降低报价但是仍很难促进存储器的销售,本周6月22-26日期间,无论DRAM或者是NAND的零售价继续因市场需求疲软而下降。
原因是目前正是传统的淡季,所以存储器模块的销售仍很弱,但己看到DRAM的零售价开始利润有所好转。
由于供应商担心是持久力问题,加上英特尔美光联盟推出34纳米芯片,贸易中间商为了促销给出更大的折扣,导致同样在零售市场也看到与DRAM相似情况，近期DRAM合同价格趋势在零售价基础上有点小的波动。虽然6月下半月无论DDR2及DDR3的价
- 关键字：
英特尔 DRAM NAND 34纳米
- 有传言称英特尔将于两周后推新款固态硬盘。
据消息人士称，新款固态硬盘将使用由英特尔和美光联合开发的34纳米NAND闪存芯片，容量高达320GB。工艺越先进，固态硬盘的存储密度越高，成本越低。固态硬盘将能够取代大多数笔记本电脑中的传统硬盘。
- 关键字：
Intel 34纳米 闪存芯片 固态硬盘
- 近来谣言越来越厉，市场盛传英特尔将于未来2周里发布基于34纳米制程NAND芯片的固态硬盘。之前有报道称英特尔Chipzilla芯片实验室将于去年Q4发布新34纳米闪存，不过时间表早已大大推后。固态硬盘出现的时间不久，其成本高，容量有限，有时候人们甚至怀疑其可靠性。如果新的34纳米制程NAND闪存推出，固态硬盘的价格将大大降低，容量也将达到320GB左右。
固态硬盘的存储单元分为MLC(Multi-Level Cell，多层单元)和SLC(Single Layer Cell，单层单元)两种。MLC
- 关键字：
英特尔 NAND 34纳米 MLC SLC
34纳米介绍
您好，目前还没有人创建词条34纳米!
欢迎您创建该词条，阐述对34纳米的理解，并与今后在此搜索34纳米的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
