- 新加坡特许半导体计划在今年第四季度推出32nm制造工艺，明年上半年再进一步转入28nm。
特许半导体很可能会在明天的技术论坛上公布32nm SOI工艺生产线的试运行计划，并披露28nm Bulk CMOS工艺路线图，另外45/40nm LP低功耗工艺也已就绪。
特许的28nm工艺并非独立研发，而是在其所处的IBM技术联盟中获取的，将会使用高K金属栅极(HKMG)技术以及Gate-first技术(Intel是Gate-last的坚定支持者)。
特许半导体2009年技术论坛将在台湾新竹市
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特许半导体 32nm 28nm Gate-first
- 纳米技术在芯片界中的发展速度相当可观，而对于目前企业级处理器发展领域中主要还是靠45nm独当一面，而随着45nm工艺的日趋成熟，各个芯片厂商却早已开始瞄向32nm工艺和22nm工艺。而按照工艺路线，接下来的处理器将指向32nm工艺。早在08年末的国际电子组件会议(IEDM)上，主要的会议切入点集中放在了32nm工艺之上，并且英特尔(Intel)公司在此次会议中，对32nm制程技术的细节进行阐述，并计划于2009年第四季投产，以推出更大能源效率、更高密度、效能更强的晶体管。
从最早的1965年英特
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Intel 45nm 32nm 22nm
- 意法半导体和法国电子信息技术实验室CEA-LETI宣布，法国经济、工业和就业部长，以及国家和地区政府的代表、CEA-LETI和意法半导体的管理层，齐聚法国格勒诺布尔(Grenoble)市的Crolles分公司，共同庆祝Nano2012研发项目正式启动。IBM的代表也参加了启动仪式。IBM公司是意法半导体和CEA-LETI的重要合作伙伴，与双方签署了重要的技术开发协议。
Nano2012是由意法半导体领导的国家/私营战略研发项目，聚集研究院和工业合作伙伴，得到法国国家、地区和本地政府的财政支持，旨
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ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
- 半导体产业的低谷挡不住技术前进的脚步。近期两大设备厂商Applied Materials和Novellus相继推出了新型PVD机台，目标均锁定为32nm及更小的技术节点。
5月28日，设备巨头Novellus宣布开发出HCM(中空阴极磁电管)PVD技术，称为IONX XL。该机台可满足3Xnm技术节点的薄阻挡层淀积，主要的服务对象为存储器制造厂商。由于在3Xnm节点，存储器的CD相比逻辑器件要小30%，存储器的铜互连中将更多的采用高深宽比的结构，这为阻挡层和晶籽层的台阶覆盖性带来了挑战。
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Novellus 半导体 PVD 32nm
- Globalfoundries公司计划于09年第四季度开始正式32nm制程芯片的生产。该公司宣称将从第四季度开始接受生产订单，如果一切正常，那么2010年就可以按订单要求生产出32nm制程芯片。
显然该公司的第一批客户将是AMD的处理器和显卡芯片，不过现在还很难说Globalfoundries能否比台积电更早拿出基于32nm制程的方案，如果答案是“能”，那么届时的业界恐怕又要激起一轮大波。
目前，该公司旗下只有一间Fab1工厂
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Globalfoundries 芯片 32nm
- ARM在巴塞罗那移动世界大会上展示了32nm工艺的ARM处理器。ARM合作伙伴将在2009年开始接触测试这一技术，全面投产则要到2010年初。
它是第一个采用ARM物理IP、在IBM基于32nm高K金属门(HKMG)工艺的Common Platform测试芯片上构建的32nm Cortex系列处理器核。
ARM正在开发量身定制的物理IP，其目标是利用Common Platform 32/28nm HKMG技术
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ARM 32nm 处理器 HKMG
32nm介绍
32nm
CPU构架的一种，
除了架构与以往不同，32nm的全新制程也是受到消费者们关注的另一大亮点。了解芯片行业的人知道，要想提高CPU的性能一方面是提高他的主频，一方面是更改他的架构，再有一方面就是提高他的制作工艺了。制造工艺的改进理论上可以带来功耗的降低，使得产品的默认时钟频率可以更高，直接提升性能。
和现有的45nm工艺相比，32nm工艺在以下几个方面有着显著的变化：3 [
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