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台媒:台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术

  • 【TechWeb】7月13日消息,据台湾媒体报道,台积电冲刺先进制程,在2nm研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。台积电台媒称,三星已决定在3nm率先导入GAA技术,并宣称要到2030年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位,台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入2nm研发,并获得技术重大突破,成功找到切入GAA路径。台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,还为此举办庆功宴,感谢研发工程师全心投入。台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂
  • 关键字: 台积电  2nm制程  GAA技术  
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