- 消费电子市场持续疲软、人工智能火热的大环境下，晶圆制造厂商积极瞄准高性能芯片，2nm先进制程之争愈演愈烈。2nm芯片能带来什么？对传统晶圆代工龙头而言，2nm能带来更高性能，满足AI时代下业界对高性能半导体的需求。而对新兴企业而言，2nm则可以提升半导体产品价值，并助力其积极追赶龙头企业。目前传统龙头企业台积电、三星电子以及新兴企业Rapidus正积极布局2nm芯片，2nm制程之争将全面打响，这三家企业进展如何？台积电：3nm、2nm路线规划曝光台积电认为，在相同功率下，2nm（N2）速度相比N3E提高1
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- 据中国台湾媒体引述业内人士消息称，晶圆代工龙头厂商台积电2纳米制程报价或逼近2.5万美元。当前，台积电、三星、英特尔在先进制程的竞赛愈演愈烈，已延伸至3纳米/2纳米。尽管当前半导体产业仍处于下行周期，但台积电3纳米世代订单早与客户确立，而2025年量产的2纳米也已开始洽谈，这意味着台积电在议价、供货等方面拥有更多的话语权。据台湾地区媒体报道指出，台积电3纳米报价维持2万美元左右，而预计2025年量产的2纳米价格或将逼近2.5万美元。业者人士表示，台积电代工报价飙上新高，加上通膨压力等，压力势必转嫁给下游客
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- IBM 认为日本半导体产业投资充足。
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- 据媒体引述半导体设备业者表示，2023全年，台积电3nm产能仍以N3（N3B）为主，整体良率接近75%。根据报道，由于台积电3nm在PPA表现下与4nm差异不大，且3nm报价涨至2万美元，只有苹果有8折优惠，目前有多家客户已修正制程规划，调整投片与订单，包括拉长4/5nm世代周期，放缓N3E、N3P采用进度，等待2nmGAA制程世代再重押。报道称，虽然台积电产能布局可能被打乱，但客户黏着度更高，对于2nm GAA世代相当有信心，已采用4/3nm的客户，几乎皆有2nm投片规划。从3nm工艺上看，台积电曾表示
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- 关于台积电 2nm 生产节点计划的更多详细信息。
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- 晶圆制造工具正变得更加专用于 Si/SiGe 堆栈、3D NAND 和键合晶圆对。
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- 在今天的说法会上，台积电透露了新一代工艺的进展，3nm工艺已经开始量产，2023年放量，有多家客户下单，再下一代的是2nm工艺，台积电CEO重申会在2025年量产。与3nm工艺相比，台积电2nm工艺会有重大技术改进， 放弃FinFET晶体管，改用GAA晶体管， 后者是面向2nm甚至1nm节点的关键，可以进一步缩小尺寸。相比3nm工艺，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不过2nm工艺的晶体管密度可能会挤牙膏了，相比3nm只提升了10%，
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- 日本Rapidus和IBM于今年12月13日宣布称，为量产2纳米逻辑半导体，双方建立了合作关系。IBM长年以来一直积极进行研发尖端半导体，且曾经在美国纽约州拥有自己的300毫米晶圆工厂（于2014年转给Global Foundries，后来，该工厂被安森美收购）。此外，IBM也在为自己品牌下的电脑生产所需半导体，同时也为客户提供尖端工艺的技术研发服务和晶圆代工服务。IBM的尖端工艺技术研发服务作为一项Common Platform，通过创建通用型工艺技术和生产产线，有效降低了研发成本、并确保了第二供应商资
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- 钛媒体App 12月29日消息，晶圆代工龙头台积电（TPE:2330/NYSE:TSM）今天在台南科学园区Fab 18厂新建工程基地举行3纳米（nm）量产暨扩厂典礼，正式宣布3nm芯片即日起开始量产。台积电表示，这是该公司在先进制程缔造的重要里程碑。台积电董事长刘德音（Mark Liu）在演讲中表示，今天3nm制程良率已经和5nm量产同期良率相当，台积电已经与客户开发新的产品，并开始量产，应用在超级电脑、云计算、数据中心、高速通讯网络以及许多智能设备，包括未来的AR/VR等。而相较于5nm，3nm制程逻辑
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- 20世纪80年代，日本是全球的半导体霸主，一度严重威胁了美国公司地位，之后被打压，现在只在个别领域还有优势，先进工艺上已经落后当前水平10到20年，不过日本已经制定复兴计划，联手欧洲IMEC之后又确定联手IBM。此前报道就指出，日本要想攻关2nm先进工艺，潜在的合作对象就是IBM公司，后者也在日前发布声明，确认跟日本Rapidus公司达成合作，双方将成立研发机构，IBM会派遣员工参与合作。Rapidus公司是前不久日本至少八大电子巨头联合成立的半导体公司，吸引了日本丰田、索尼、铠侠、NEC、软银、电装等8
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- 都说芯片烧钱，但芯片到底有多烧钱大家还没有一个清晰的认知，尤其是芯片工艺越来越先进，其烧钱的规模可谓呈几何级增长。从研发成本端来看，其中28nm工艺只要4280万美元，22nm工艺需要6300万美元，16nm工艺需要8960万美元。然而3nm则飙升到5.8亿美元，而2nm工艺开发资金则要达7.2亿美元，约合人民币50亿。当然，这还只是研发层面的费用，而3nm、2nm工艺工厂建设则需要200亿美元以上的资金，而这还不包括生产费用，可见这简直是十分烧钱的行为。显然，照这样发展下去，未来2nm的CPU及显卡就算
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- IT之家 11 月 9 日消息，日本科技大厂富士通（Fujitsu）的高层表示，该公司计划自行设计 2 纳米制程的先进半导体，并打算委托台积电代工生产。据《日本经济新闻》报道，富士通首席技术官 Vivek Mahajan 周二在一场记者会上表示，该公司计划自行设计 2 纳米制程的先进半导体，打算委托晶圆代工龙头台积电代为生产。报道指出，富士通目标最快在 2026 年完成搭载该芯片的节能中央处理器 (CPU)。IT之家了解到，台积电目前计划在 2025 年量产 2 纳米的芯片，该公司的先进制程技术
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- 据国外媒体报道，AMD首席执行官（CEO）苏姿丰和公司其他C级高管希望在9月底或11月初前往台湾地区，探索与当地合作伙伴的合作。苏姿丰前往台湾地区的主要原因似乎是与台积电会面，与台积电CEO魏哲家讨论N3 Plus（N3P）和2nm级（N2）制造技术的使用以及未来的短期和长期订单，使AMD获得足够的基于3nm和2nm级等未来节点的晶圆分配。AMD近年来取得的显著成功很大程度上归功于台积电利用其极具竞争力的工艺技术大批量生产芯片的能力。AMD的CPU和GPU产品线才刚开始向5nm制程节点切换，并且台积电的2
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- 据台媒《经济日报》报道，晶圆代工厂台积电2nm制程将于2025年量产，市场看好进度可望领先对手三星及英特尔。台积电先进制程进展顺利，搭配FINFLEX架构的3nm将在今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于3nm量产一年后量产，即2023年量产。先进封装部分，首座全自动化3DFabric晶圆厂预计于2022年下半年开始生产。虽然在3nm世代略有保守，但无论如何，FinFET宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈。所以外资法人预估台积电2nm先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体GAAFET高端架构生
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- 在6月最后一天，三星宣布3nm工艺正式量产，这一次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺，而且是弯道超车，后者的3nm今年下半年才会量产。根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。与5nm相比，新开发的3nm GAE工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了计划，3nm GAP工艺之后就会迎
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