- 英国质量计量设备厂商Metryx日前正式加入一项由欧洲厂商主导的半导体设备创新发展评估项目，在此合作框架下，Metryx将和Intel，IMEC等展开深入合作，为20纳米节点半导体工艺开发提供高精度质量计量技术和设备。高精度质量计量技术用于监控淀积工艺和其它引起质量细微变化的工艺步骤，也可以用来监控由于高参杂注入导致光刻胶剥落而引起的硅损耗、衬底损坏等问题。
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Intel 20纳米
- 英特尔与美光称上周宣布了20纳米Nand闪存制造技术，英特尔称利用这一技术将有望制造出业界体积最小、密度最高的闪存装置。
英特尔的非挥发性内存解决方案部门的总经理Tom Rampone表示，“英特尔与美光的合作是制造业的楷模，因为我们将会在制程技术上持续领导业界转换至越来越微小的技术。”
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英特尔 20纳米 闪存
- 近年来IBM技术阵营不断坐大，Global Foundries与三星电子(Samsung Electronics)不仅全力争取人才及订单，在技术上亦加速追赶台积电与联电，值得注意的是，IBM阵营将于2011年1月于美国举办通用平台(Common Platform)技术论坛，揭露20纳米以下制程蓝图，颇有鸣鼓备战意味。对于竞争对手节节进逼，台积电董事长张忠谋显得老神在在，他认为，IBM技术已不是强大竞争对手，台积电在生产与伙伴关系上领先同业，是台积电成功关键。
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IBM 20纳米
- 韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置，相较26纳米存储器，晶圆(wafer)产出量提高约25%。
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海力士 DRAM 20纳米
- 就在启动32GB 20nm闪存生产线四个月后，三星确认目前已经启动64GB,3位元20纳米NAND闪存的批量生产。
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- 全球晶圆(Global Foundries)于美东时间1日举行成军以来首届全球技术论坛，会中展示28纳米类比/混合讯号(AMS)生产设计流程开发套件，并推出新的28纳米HPP(High Perfoarmance Plus)技术，预计于第4季正式向客户推出，另外也首度揭示22/20纳米制程技术蓝图与时间进程，预计2013年正式进入量产。与会人士指出，全球晶圆在技术上进逼至20纳米，时程上亦与台积电甚为相近，与台积电在先进制程较劲意味浓厚。
为因应快速成长的智能型移动装置市场，全球晶圆在原本的28纳
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全球晶圆 20纳米
- 韩国海力士声称，在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。
该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产，采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。
海力士称它的芯片是26nm的一种，有人称20nm级产品。三星是27nm的NAND闪存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20纳米 NAND
- 全球晶圆(Global Foundries)挑战台积电晶圆代工市场地位来势汹汹，2010年初甫与安谋(ARM)携手开发28纳米制程，挑战台积电在先进制程领先优势，然台积电亦不干示弱，正式宣布与ARM签订长期合约，将技术世代延续至28与20纳米制程，建立更长远合作关系，在看好ARM平台于可携式电子产品发展潜力，台积电与全球晶圆双方热战互不相让。
台积电指出，已与ARM签订长期合约，在制程平台上扩展ARM系列处理器及实体智财设计开发，从目前技术世代延伸到未来20纳米制程，以ARM处理器为设计核心，并
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- 去年春天，台积电与英特尔曾牵手相欢，双方首度在处理器领域达成代工战略合作，尤其面向移动互联网、嵌入式市场的英特尔凌动产品。今年春天，由于客户需求不足，双方无奈分手，中止了合作。
昨天，不甘寂寞的台积电再度执人之手。不过，这次不是英特尔，而是英特尔在移动互联网市场的对手——英国ARM。
双方表示，将在台积电工艺平台上扩展ARM一系列处理器以及物理IP(知识产权)模块的开发，并从目前的技术65纳米延伸到未来的20纳米。而且，双方将以ARM处理器为核心，以台积电工艺为基础
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- GlobalFoundries近日宣布将会开发20nm半导体制造工艺，但与台积电不同，新工艺将与 22nm共存，而且GF认为这种半代工艺并不会消失。
台积电不久前刚刚宣布，将跳过22nm工艺，改而直接上马更先进的20nm工艺，采用增强型高K金属栅极(HKMG)、应变硅、低电阻铜超低K互联等技术，可带来更高的栅极密度和芯片性能。在此之前，台积电和GF还先后宣布将跳过32nm Bulk工艺，从40nm直奔28nm。
GF目前的业务主要有两种，一是继续为AMD制造微处理器，二是开拓新的代工业务，
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- 据外电报道，三星电子表示，该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。
20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性，比30纳米制程高50%左右。三星电子在全球半导体行业率先投入到了量产。
三星电子相关负责人表示，公司同时开发20纳米制程32GB多层单元专用controller，确保了与30纳米级NAND闪存相同的稳定性。
三星电子的20纳米制程NAND闪存将先用于手机存储卡SD卡。
此外，今年2月公布开发20纳米制程64GB NAND闪存
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- 4月15日早间消息，据台湾媒体报道，台湾晶圆代工龙头台积电昨(14)日在美国举行年度技术论坛，董事长张忠谋表示，今明两年全球半导体市场均将健康成长，2011至2014年呈温和成长，年复合成长率达4.2%。
张忠谋还称，半导体产业需要更多合作，且早在芯片设计开始之前就要合作，才能有效降低成本，台积电在20纳米、14纳米、10纳米等先进制程研发中不会缺席。
由于半导体市场景气明显复苏，台积电年度技术论坛吸引将近1800名客户或合作伙伴代表参加，而张忠谋在演说时则针对未来5年半导体市场景气、台积
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- TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22纳米工艺，直接发展20纳米工艺。此系基于「为客户创造价值」而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。
此次技术研讨会有1,500位客户及合作厂商代表参加，TSMC研究发展资深副总经理蒋尚义在会中表示，TSMC20纳米工艺将比22纳米工艺拥有更优异的闸密度(gate density)以及芯片性价比，为先进技术芯片的设计人员提供了一个可靠、更具竞争优势的工艺平台。此外，20纳米工艺预计于2012年下半开始导入生产。
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- 据国外媒体报道，台湾南亚科技总裁连日昌周三表示，公司目前正在与合作伙伴美光科技联手，共同为未来的DRAM生产开发先进的20纳米芯片制程技术。
这 项先进的芯片制程技术有助于提高芯片性能、减少芯片耗电量、降低芯片生产成本。连日昌周三在台北的一次媒体活动中说，企业要想在未来五年的DRAM市场上 保持竞争力，拥有领先技术至关重要。
采用20纳米制程技术生产芯片将有助美光和南亚科技与业界领先企业三星电子展开更加有效的竞争。当前，三星已经在它的生产线上采用了30纳米芯片制程技术。三星称，使用30纳米
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