在Meta发布Llama 3大语言模型的第一时间,英特尔即优化并验证了80亿和700亿参数的Llama 3模型能够在英特尔AI产品组合上运行。在客户端领域,英特尔锐炫™显卡的强大性能让开发者能够轻松在本地运行Llama 3模型,为生成式AI工作负载提供加速。在Llama 3模型的初步测试中,英特尔®酷睿™Ultra H系列处理器展现出了高于普通人阅读速度的输出生成性能,而这一结果主要得益于其内置的英特尔锐炫GPU,该GPU具有8个Xe核心,以及DP4a AI加速器和高达120 GB/s的系统内存带宽。英特
关键字:
英特尔 锐炫 GPU Llama 3
作为 Rambus 行业领先的接口和安全数字 IP 产品组合的最新成员,GDDR7 内存控制器将为下一波AI推理浪潮中的服务器和客户端提供所需的突破性内存吞吐量。面向AI 2.0的内存解决方案AI 2.0代表着生成式AI革命性世界的到来。AI 2.0借助大语言模型(LLM)及其衍生模型的巨大增长创建新的多模态内容。多模态意味着可以将文本、图像、语音、音乐、视频等混合输入到模型中,从而创建出这些以及其他媒体格式的输出,例如根据图像创建3D模型或根据文本提示创
关键字:
Rambus GDDR7 内存控制器IP AI 2.0
近日,Meta重磅推出其80亿和700亿参数的Meta Llama 3开源大模型。该模型引入了改进推理等新功能和更多的模型尺寸,并采用全新标记器(Tokenizer),旨在提升编码语言效率并提高模型性能。在模型发布的第一时间,英特尔即验证了Llama 3能够在包括英特尔®至强®处理器在内的丰富AI产品组合上运行,并披露了即将发布的英特尔至强6性能核处理器(代号为Granite Rapids)针对Meta Llama 3模型的推理性能。图1 AWS实例上Llama 3的下一个Token延迟英特尔至强处理器可
关键字:
英特尔 至强6 Meta Llama 3
近日,英特尔AI教育峰会暨OPS2.0全球发布活动在第83届中国教育装备展示会期间顺利举行。峰会现场,英特尔携手视源股份、德晟达等合作伙伴正式发布新一代开放式可插拔标准——OPS 2.0,并展示了基于该标准的多元化行业领先解决方案,以进一步加速智慧教育终端与智能应用的创新与落地,开创面向未来的智慧教育新生态。英特尔公司市场营销集团副总裁、英特尔中国网络与边缘及渠道数据中心事业部总经理郭威表示,“英特尔多年来始终致力于推动智慧教育与视频会议领域的数字化创新。作为英特尔精心打造的新一代计算模块,OPS 2.0
关键字:
英特尔 OPS 2.0 智慧教育 开放式可插拔标准
天线测量解决方案领导者Microwave Vision Group(MVG)近日宣布与欧洲航天局 (ESA) 签订两份合同,位于荷兰的欧洲航天研究和技术中心 (European Space Research and Technology Centre, ESTEC)将通过MVG天线测量技术为其新型改进射频测试设施Hertz 2.0提供补充。Hertz 2.0将受益于大型多轴定位器,使中型和重型被测设备 (DUT) 能够在任何角度方向上进行高精度测试。MVG 与 DUT 定位器一起为紧缩场(CATR)馈源提
关键字:
欧洲航天局 MVG Hertz 2.0 测试
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商—大联大控股近日宣布,其旗下诠鼎推出基于立锜科技(Richtek)RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。图示1-大联大诠鼎基于立锜科技产品的240W PD3.1快充方案的展示板图随着PD3.1快充协议的发布,USB充电技术迎来了重大突破。该协议将电源的输出电压提升至48V、充电功率同步提升至240W。在此背景下,传统的反激方案以及适用于20V输出的协议芯片已无法满足当前的市场需求。设备制造商需要更新他们的
关键字:
大联大诠鼎 立锜 PD3.1 快充
4 月 11 日消息,Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后,近日发布新闻稿,介绍了新款 MTIA 芯片的细节。MTIA v1 芯片采用 7nm 工艺,而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工艺,采用更大的物理设计(拥有更多的处理核心),功耗也从 25W 提升到了 90W,时钟频率也从 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已经在 16 个数据中心使用新款 MTIA 芯片,与 MTIA v1 相比,整体性能提高了 3 倍。但 Meta 只主动表示
关键字:
Meta MTIA 芯片 5nm 工艺 90W 功耗 1.35GHz
4月11日消息,根据产业链消息,台积电的2纳米和1.4纳米工艺已经取得了新的进展。据了解,台积电的2纳米和1.4纳米芯片的量产时间已经确定。2纳米工艺的试产将于2024年下半年开始,而小规模量产将在2025年第二季度进行。值得一提的是,台积电在亚利桑那州的工厂也将参与2纳米工艺的生产。到了2027年,台积电将开始推进1.4纳米工艺节点,这一工艺被正式命名为"A14"。按照目前的情况,台积电最新的工艺制程很可能会由苹果率先采用。按照台积电的量产时间表,iPhone 17 Pro将成为首批
关键字:
iPhone 17 Pro 台积电 2nm 1.4nm 工艺
新闻亮点● 英特尔发布了为企业客户打造的全新AI战略,其开放、可扩展的特性广泛适用于AI各领域。● 宣布面向数据中心、云和边缘的下一代英特尔®至强®6处理器的全新品牌。● 推出英特尔®Gaudi 3 AI加速器,其推理能力和能效均有显著提高。多家OEM客户将采用,为企业在AI数据中心市场提供更广泛的产品选择空间。● 英特尔联合SAP、RedHat、VMware和其他行业领导者共同宣布,将创建一个开放平台助力企业
关键字:
Intel Vision 英特尔 Gaudi 3
周二,英特尔(INTC.US)在其Intel Vision
2024产业创新大会上,面向客户和合作伙伴作出了一系列重磅宣布。这些宣布包括推出全新的Gaudi
3人工智能加速器、全新的至强6品牌,以及包括开放、可扩展系统和下一代产品在内的全栈解决方案,还有多项战略合作。据数据预测,到2030年,全球半导体市场规模将达到1万亿美元,人工智能将是主要的推动力。然而,截至2023年,仅有10%的企业成功将其AI生成内容(AIGC)项目商业化。英特尔的最新解决方案旨在帮助企业克服推广AI项目时遇到的挑战,加
关键字:
英特尔 AI Gaudi 3 台积电 5nm工艺
4月10日消息,当地时间周二,英特尔发布了其最新款人工智能芯片Gaudi 3。目前,芯片制造商正急于开发能够训练和部署大型人工智能模型的芯片。英特尔宣布,Gaudi 3的能效是英伟达H100 GPU芯片的两倍多,而运行人工智能模型的速度则比H100
GPU快1.5倍。此外,Gaudi 3提供多种配置选项,例如可以在单个板卡上集成八块Gaudi 3芯片。英特尔还对Meta开发的开源人工智能模型Llama等进行了芯片性能测试。公司表示,Gaudi
3能助力训练或部署包括人工智能图像生成工具Stable D
关键字:
英特尔 AI芯片 Gaudi 3 AI模型 英伟达 H100
4月8日消息,据韩国媒体TheElec报导,三星电子已经成功拿下了GPU大厂英伟达(NVIDIA)的2.5D封装订单。据市场人士的说法,三星的先进封装(AVP)团队将为英伟达提供Interposer(中间层)和I-Cube先进封装产能。I-Cube为三星自主研发的2.5D封装技术,但是当中的高带宽內存(HBM)和GPU晶圆的生产将由其他公司负责。现阶段通过2.5D封装技术可以将多个芯片,例如CPU、GPU、I
/
O界面、HBM等,平均放置在中间层上完整封装在单一系统芯片当中。台积电将这种封装技术
关键字:
台积电 CoWoS 三星 英伟达 2.5D先进封装
美国电动车大厂特斯拉可能推出入门平价车款「Model 2」的消息早已流传有一段时间。投资人莫不希望这款据传定价2.5万美元的平价电动车能够带动陷入成长困境的特斯拉业绩。可是外媒路透社日前却惊曝,这款特斯拉承诺以久的平价车款计划已经告吹。消息曝光后,特斯拉执行长马斯克在旗下社群平台X上怒批,「路透社(又)在说谎」!马斯克杠上媒体已经不是新闻。《华尔街日报》、《纽约时报》、彭博社等美国权威媒体都曾领教过马斯克的怨怼发言。这次惹毛马斯克的导火线是路透社5日爆出的独家消息。报导中引述消息人士发言,指称特斯拉已经取
关键字:
特斯拉 Model 2 马斯克
目前英伟达的H100等数据中心GPU都是由台积电(TSMC)负责制造及封装,SK海力士则供应HBM3芯片。不过人工智能(AI)的火热程度显然超出了大家的预期,导致台积电的先进封装产能吃紧。虽然台积电不断扩大2.5D封装产能,以满足英伟达不断增长的需求,但是英伟达在过去数个月里,与多个供应商就2.5D封装产能和价格进行谈判,希望能够分担部分工作量。据The Elec报道,三星已经获得了英伟达的2.5D封装订单。其高级封装(AVP)团队将向英伟达提供中间层,以及I-Cube封装。I-Cube属于三星自己开发的
关键字:
三星 英伟达 封装 2.5D
尽管如今可以创建基于中间层的系统,但工具和方法论尚不完善,且与组织存在不匹配问题。
关键字:
2.5D先进封装
2.3.1介绍
您好,目前还没有人创建词条2.3.1!
欢迎您创建该词条,阐述对2.3.1的理解,并与今后在此搜索2.3.1的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473