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192层闪存 文章 进入192层闪存技术社区

国产技术进步:长江存储或跳过192层闪存 切入232层

  • 2016年成立的长江存储,于2017年通过自主研发和国际合作的方式,设计制造了首款3D NAND闪存。2019年,长江存储晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存量产,2020年,第三代TLC/QLC研发成功,推进到128层3D堆叠。在闪存领域,通常将堆叠层数视作技术先进程度的指标。DT报道称,业内人士给出消息称,长江存储计划跳过192层,直接切入232层闪存生产。根据此前韩国研究机构OERI的一份报告,其表示中韩闪存技术差距目前已经缩短至两年,理由是三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存,
  • 关键字: 长江存储  192层闪存  232层   
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192层闪存介绍

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