东芝今天宣布世界上最小的嵌入式NAND快闪记忆体产品--15nm制程的NAND闪存芯片,这款新品符合最新的eMMC规范,可以广泛运用在消费类数码产品,包括智能手机,平板电脑和可穿戴设备的设计上。今天开始就有16GB容量的样片出货,而8/32/64/128GB容量的芯片将在随后发售。
15nm NAND制程带来了比同类产品小26%的封装尺寸,还带来了基础芯片性能的提升,从而让读性能快大约8%,写速快20%。预计这种芯片将在2015年开始量产,明年一季度开始铺货。
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东芝 15nm
半导体行业的闪存制造工艺进步除了意味着用户能够获得更好的存储性能,同时也意味着SSD固态存储设备价格的下降。过去几年中SSD的降价幅度还是颇大的,目前最便宜的固态存储驱动器每GB的价格不到50美分,未来价格还将降得更低。东芝(Toshiba)当前已经开始量产15nm工艺的MLC NAND,东芝表示这种128Gb(16GB)芯片已经达到“全球最小级别的芯片尺寸”。
新型NAND闪存芯片的制造将由日本三重县(Mie Prefecture)四日市业务部(Yokkaichi
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东芝 15nm
逻辑LSI的基本元件——CMOS晶体管的发展估计将在2013年前后15nm工艺达到量产水平时迎来重大转折点。将由现行的平面型晶体管向具备三维沟道的立体型晶体管过渡。美国英特尔及台湾台积电(TSMC)等知名半导体厂商均已开始表现出这种技术意向。LSI的制造技术发生巨变之后,估计也会对各公司的微细化竞争带来影响。
元件材料及曝光技术也会出现转折
“估计一多半的半导体厂商都会在15nm工艺时向FinFET过渡”(英特尔)。“在20nm以
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CMOS 15nm 立体晶体管
在最近召开的SemiCon West产业会议上, Global Foundries 公司宣布他们将在15nm制程节点开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。 Global Foundries 公司负责制程技术研发的高级副总裁Greg Bartlett还表示,公司将在纽约Fab8工厂建成后马上开始在这家工厂部署EUV光刻设备,按之前 Global Foundries公布的计划,这个时间点大概是在2012年下半年,与之巧合的是,光刻设备厂商ASML公司也将于这个时间点开始上市EUV光刻设备。
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GlobalFoundries 15nm 光刻
半导体特征尺寸正在向22/15nm的等级不断缩小,传统的平面型晶体管还能满足要求吗?有关这个问题,业界已经讨论了很久。现在,决定半导体制造技术发展方向的历史拐点即将到来,尽管IBM和Intel两大阵营在发展方式上会有各自不同的风格和路线,但双方均已表态称在15nm级别制程启用全耗尽型晶体管(FD:Fully Depleted)技术几乎已成定局,同时他们也都已经在认真考虑下一步要不要将垂直型晶体管(即立体结构晶体管)制造技术如三门晶体管,finFET等投入实用。
据In
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Intel 22nm 15nm
在上周举办的IDF2009秋季开发者论坛上,Intel曾提到会在2011年下半年开始使用22nm制程技术,而其后的下一步目标则将是15nm制程技术。而对手AMD的代工公司Globalfoundries则会在2012年启用22nm制程技术,两年后的2014年他们计划转向15nm制程。尽管有 科学家声称15nm制程技术尚处在研发阶段,有关的制造工具甚至都还没有开发出来,不过按照Intel“tick-tock”的进程推算,预计Intel 启用15nm制程技术的年份会在2013年左右。
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Intel 15nm 22nm 制程技术
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