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12lp finfet 文章

SoC系统开发:FinFET在系统级意味着什么

  •   大家都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人,都认为20nm节点以后,FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言,其未来会怎样呢?   回答这一问题最好的方法应该是说清楚FinFET对于模拟和数字电路设计人员以及SoC设计人员究竟意味着什么。从这些信息中,我们可以推断出FinFET在系统级意味着什么。
  • 关键字: SoC  FinFET  

Synopsys力挺台积电16纳米FinFET

  •   全球IC矽智财供应商新思科技(Synopsys)力挺台积电的16纳米FinFET(鳍式场效晶体管),全力协助台积电加入导入这项新制程量产行列。   新思科技是「台积电大同盟」成员之一,昨天也宣布获台积电颁发开放创创新平台(OIP)「2013年度最佳伙伴奖」,以表彰对台积电先进制程的贡献。   台积电16纳米FinFET制程,是对抗英特尔及三星等劲敌的重要技术,台积电将以大同盟的阵营,联合IP、自动化工具、设备及芯片设计业的力量应战。台积电16纳米预定明年第4季试产,2015年第1季量产。
  • 关键字: Synopsys  FinFET  

先进制程竞赛Xilinx首重整合价值

  •   由于ASIC的研发成本居高不下,加上近来FPGA不断整合更多的功能,同时也突破了过往功耗过高的问题,尤其当进入28奈米制程之后,其性价比开始逼近ASSP与ASIC,促使FPGA开始取代部分ASIC市场,应用范围也逐步扩张。   附图: Xilinx揭露未来市场竞争状况。 资料来源:Xilinx   掌握这样的趋势,让FPGA大厂Xilinx在28奈米的产品营收持续成长。 Xilinx企业策略与行销资深副总裁Steve Glaser指出,预估今年在28奈米产品线将会有1亿美元的营收,市占率高
  • 关键字: Xilinx  FinFET  

新开发FinFET整合III-V族与矽材料

  •   比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。   随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功耗的各种方法逐渐面临瓶颈。透过为矽晶整合更高性能的材料,例如可提供更高载子速度与更高驱动电流的III-V族电晶体通道,这种新的化合物半导体可望超越矽晶本身性能,持续微缩至更制程。  
  • 关键字: FinFET  矽材料  

Mentor工具被纳入台积电16纳米FinFET制程技术参考流程

  • Mentor Graphics公司(纳斯达克代码:MENT)日前宣布它已完成其用于台积电16纳米FinFET制程的数字成套工具。台积电16纳米参考流程包含一些新功能,用于Olympus-SoC™布局与布线系统的16纳米设计,以及Calibre®物理验证和可制造性设计(DFM)平台。
  • 关键字: Mentor  FinFET  

FinFET新技术对半导体制造产业的影响

  •   FinFET称为鳍式场效晶体管,由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计,变革了传统晶体管结构,其控制电流通过的闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构,将原来的单侧控制电路接通与断开变革为两侧。   FinFET这样创新设计的意义,在于改善了电路控制并减少漏电流,缩短了晶体管的闸长,对于制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法等产生重要影响与变革。FinFET技术升温,使得半导体业战火重燃,尤其是以Fi
  • 关键字: FinFET  半导体制造  

FinFET引爆投资热 半导体业启动新一轮竞赛

  •   半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术,对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术,促使市场竞争态势急速升温。   过去数10年来,互补式金属氧化物半导体(CMOS)平面电晶体一直是电子产品的主要建构材料,电晶体几何结构则一代比一代小,因此能开发出高效能且更便宜的半导体晶片。   然而,电晶体在空间上的线性微缩已达极限,电晶体缩小到20奈米(nm)以下,会降低通道闸极控制效果,造成汲极(Dr
  • 关键字: 半导体  FinFET  

专家聚首谈FinFET趋势下3D工艺升级挑战

  •   日前,SeMind举办了圆桌论坛,邀请半导体设计与制造的专家齐聚一堂,共同探讨未来晶体管、工艺和制造方面的挑战,专家包括GLOBALFOUNDRIES的高级技术架构副总裁Kengeri SUBRAMANI ,Soitec公司首席技术官Carlos Mazure,Intermolecular半导体事业部高级副总裁兼总经理Raj Jammy以及Lam公司副总裁Girish Dixit。   SMD :从你们的角度来看,工艺升级短期内的挑战是什么?   Kengeri :眼下,我们正在谈论的28nm到2
  • 关键字: FinFET  3D  

争抢1xnm代工商机 晶圆厂决战FinFET制程

  •   鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14纳米市场商机,台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术,并各自祭出供应链联合作战策略,预计将于2014~2015年陆续投入量产,让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。   FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14纳米市场商机,并建立10纳米发展优势,台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术,并已将开战时刻设定于2014?2015年;同时也各自祭出供应链联合作战策略,期抗衡英特尔和三星
  • 关键字: FinFET  晶圆  

英盛德:FinFET技术日趋盛行 利益前景可观

  •   英格兰锡尔--(美国商业资讯)--世界领先的系统到芯片集成电路设计咨询公司之一的英盛德认为,FinFET技术使用的日趋盛行将为集成电路设计商带来新的挑战,因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受益。   工程部副总裁Kevin Steptoe解释说:“最近,在德州召开的设计自动化大会(Design Automation Conference)上,展厅中讨论FinFET技术的声音不绝于耳。同样,我们发现我们的客户——包括消费、电脑和图形行业领域的最知名企业&md
  • 关键字: 集成电路设计  FinFET  

英盛德:FinFET技术日盛 前景可观

  •   根据美国商业资讯报导,世界领先的系统到晶片积体电路设计顾问公司之一的英盛德(Sondrel)认为,FinFET技术使用的日趋盛行将为积体电路设计商带来新的挑战,因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受惠。   工程部副总裁Kevin Steptoe解释说:「最近,在德州召开的设计自动化大会(Design Automation Conference)上,展场中讨论FinFET技术的声音不绝于耳。同样,我们发现我们的客户——包括消费、电脑和图形产业领域的最知名企业&mdash
  • 关键字: Sondrel  FinFET  

晶圆厂的FinFET混搭制程竞赛

  •   一线晶圆厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式,加速14或16纳米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线制程的方式达 成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代,初版方案亦可望采用类似的混搭技术,足见此设计方式已成为晶圆厂进入 FinFET世代的共通策略。   联华电子市场行销处处长黄克勤提到,各家厂商在16/
  • 关键字: 晶圆  FinFET  

缩短开发时程 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程

  •   一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后段金属导线制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16奈米FinFET世代,初版方案亦可望采用类似的混搭技术,足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。   联华电子市场行销处处长黄克勤提到,各家厂商在16/14奈
  • 关键字: 晶圆  FinFET  

FinFET改变战局 台积将组大联盟抗三星/Intel

  •   晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后,与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈,因此台积电正积极筹组大联盟(Grand Alliance),串连矽智财(IP)、半导体设备/材料,以及电子设计自动化(EDA)供应商等合作夥伴的力量,强化在FinFET市场的竞争力。   台积电董事长暨总执行长张忠谋提到,今年台积电虽屡创季营收新高,但第四季因客户调整库存可能出现微幅下滑的情形。   台积电董事长暨总执行长张忠谋表示,台积电在20奈米(nm)市场仍未看到具威胁性的对
  • 关键字: 台积电  FinFET  

联华与新思携手 加速联华电子14奈米FinFET制程研发

  • 联华电子与全球半导体设计制造提供软件、IP与服务的领导厂商新思科技(Synopsys),日前(26日)共同宣布,两家公司的合作已获得成果。采用新思科技DesignWare®逻辑库的IP组合及 Galaxy™实作平台的一部分-寄生StarRC™萃取方案,成功完成了联华电子第一个14奈米FinFET制程验证工具的设计定案。
  • 关键字: 联华  新思  FinFET  
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