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12lp+finfet 文章 进入12lp+finfet技术社区

Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片

  • 这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet(FF)技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积,为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快产品上市进程、提供同类最佳性能、及确保稳健的产品设计,坚定客户对Dolphin Design产品的信心,再度证实了Dolphin Design在混合信号IP领域的行业领先地位。2024年2月22日,法国格勒诺布尔——高性能模拟、混合信号、处理知识产权(IP)以及ASIC设计的行业领先供应商Dolphin De
  • 关键字: Dolphin Design  12纳米  12nm  FinFet  成功流片  

晶体管进入纳米片时代

  • 3D 芯片堆叠对于补充晶体管的发展路线图至关重要。
  • 关键字: FinFET  

新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程

  • 摘要:●   全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造,提供开放、高效的射频设计解决方案。●   业界领先的电磁仿真工具将提升WiFi-7系统的性能和功耗效率。●   集成的设计流程提升了开发者的生产率,提高了仿真精度,并加快产品的上市时间。近日宣布,携手是德科技(Keysight)、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺(4纳米射频FinFET工艺)的全新参考流程。该参考流程基于新思科技的定制设计系列产品,为追求更高预测精度
  • 关键字: 新思科技  是德科技  Ansys  台积公司  4 纳米  射频  FinFET  射频芯片设计  

是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程

  • ●   新参考流程采用台积电 N4PRF 制程,提供了开放、高效的射频设计解决方案●   强大的电磁仿真工具可提升 WiFi-7 系统的性能和功率效率●   综合流程可提高设计效率,实现更准确的仿真,从而更快将产品推向市场是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程,助力RFIC半导体设计加速发展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布携手推出面向台积电 N4PRF 制程的新参考流程。N4P
  • 关键字: 是德科技  新思科技  Ansys  台积电  4nm射频  FinFET  

3D 晶体管的转变

IMEC发布1nm以下制程蓝图:FinFET将于3nm到达尽头

  • 近日,比利时微电子研究中心(IMEC)发表1纳米以下制程蓝图,分享对应晶体管架构研究和开发计划。外媒报导,IMEC制程蓝图显示,FinFET晶体管将于3纳米到达尽头,然后过渡到Gate All Around(GAA)技术,预计2024年进入量产,之后还有FSFET和CFET等技术。△Source:IMEC随着时间发展,转移到更小的制程节点会越来越贵,原有的单芯片设计方案让位给小芯片(Chiplet)设计。IMEC的制程发展愿景,包括芯片分解至更小,将缓存和存储器分成不同的晶体管单元,然后以3D排列堆叠至其
  • 关键字: IMEC  1nm  制程  FinFET  

恩智浦携手台积电推出首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM

  • ●   恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP●   借助MRAM,汽车厂商可以更高效地推出新功能,加速OTA升级,消除量产瓶颈●   恩智浦计划于2025年初推出采用该技术的新一代S32区域处理器和通用汽车MCU首批样品 荷兰埃因霍温——2023年5月22日——恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.,纳斯达克股票代码:NXPI)近日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米
  • 关键字: 恩智浦  台积电  FinFET  嵌入式MRAM  

ST和GlobalFoundries在法国Crolles附近的新工厂联合推进FD-SOI

  • 意法半导体(ST)和GlobalFoundries (GF)刚刚签署了一份谅解备忘录,将在意法半导体位于法国Crolles的现有晶圆厂旁边新建一座联合运营的300毫米半导体晶圆厂。新工厂将支持多种半导体技术和工艺节点,包括FD-SOI。ST和GF预计,该晶圆厂将于2024年开始生产芯片,到2026年将达到满负荷生产,每年生产多达62万片300毫米晶圆。法国东南部的Crolles,距离意大利边境不远,长期以来一直是FD-SOI发展的温床。从许多方面来看,FD-SOI是一种技术含量较低的方法,可以实现FinF
  • 关键字: FD-SOI  GAAFET  FinFET  

Intel 4制程技术细节曝光 具备高效能运算先进FinFET

  • 英特尔近期于美国檀香山举行的年度VLSI国际研讨会,公布Intel 4制程的技术细节。相较于Intel 7,Intel 4于相同功耗提升20%以上的效能,高效能组件库(library cell)的密度则是2倍,同时达成两项关键目标:它满足开发中产品的需求,包括PC客户端的Meteor Lake,并推进先进技术和制程模块。 英特尔公布Intel 4制程的技术细节。对于英特尔的4年之路,Intel 4是如何达成这些效能数据? Intel 4于鳍片间距、接点间距以及低层金属间距等关键尺寸(Critic
  • 关键字: Intel 4  制程技术  FinFET  Meteor Lake  

5nm及更先进节点上FinFET的未来:使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

  • 虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先进节点上,兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。泛林集团在与比利时微电子研究中心 (imec) 的合作中,使用了SEMulator3D®虚拟制造技术来探索端到端的解决方案,运用电路模拟更好地了解工艺变化的影响。我们首次开发了一种将SEMulator3D与BSIM紧凑型模型相耦合的方法,以评估工艺变化对电路性能的影响。这项研究的目的是优化先进节点FinFET设计的源漏尺寸和侧墙厚
  • 关键字: 泛林  5nm  FinFET  

为技术找到核心 多元化半导体持续创新

  • 观察2021年主导半导体产业的新技术趋势,可以从新的半导体技术来着眼。基本上半导体技术可以分为三大类,第一类是独立电子、计算机和通讯技术,基础技术是CMOS FinFET。在今天,最先进的是5奈米生产制程,其中有些是FinFET 架构的变体。这是大规模导入极紫外光刻技术,逐步取代多重图形光刻方法。 图一 : 半导体的创新必须能转化为成本可承受的产品。我们知道,目前三星、台积电和英特尔等主要厂商与IBM 合作,正在开发下一代3/2奈米,在那里我们会看到一种新的突破,因为他们最有可能转向奈米片全环绕
  • 关键字: CMOS FinFET  ST  

中芯国际FinFET工艺已量产 产能1.5万片

  • 中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况,表示FinFET工艺已经达产,每月1.5万片,客户不断进来。在最近的财报电话会上,中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况,表示“我们的FinFET工艺已经达产,每月1.5万片,客户多样化,不同的产品平台都导入了。(这部分)产能处于紧俏状态,客户不断进来。”根据之前的报道,中芯国际的FinFET工艺有多种类型,其中第一代FinFET工艺是14nm及改进型的12nm,目前1.5万片产能的主要就是14/12nm工艺,第二代则是n+1、n+2工艺,已
  • 关键字: 中芯国际  FinFET  

揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构

新思科技与GF合作为12LP+FinFET解决方案开发DesignWare IP产品组合

  • 要点: 用于GF 12LP+解决方案的DesignWare IP核产品组合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 两家公司之间的长期合作已成功实现了DesignWare IP核从180纳米到12纳米的开发,可应用于广泛领域新思科技(Synopsys, Inc.,纳斯达克股票代码:SNPS)今日宣布与GLOBALFOUNDRIES®(GF®)开展合作,开发用于G
  • 关键字: 新思科技  12LP+FinFET  DesignWare IP  

格罗方德12LP+ FinFET解决方案针对AI进行优化

  • 半导体代工厂格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布,旗下最先进的FinFET解决方案「12LP+」已通过技术验证,目前准备投入生产。 格罗方德的差异化「12LP+」解决方案主要针对AI训练以及推论应用进行优化。本解决方案建立于验证过的平台上,具有强大的制造生态系统,可为芯片设计师带来高效能的开发体验,及快速的上市时间。 为达到性能、功耗和面积的组合,12LP+导入了若干新功能,包含更新后的标准组件库、用于2.5D封装的中介板,与一个低功耗的0.5V Vmin SRAM记忆单元,以支持AI处理器与内
  • 关键字: 格罗方德  12LP+  FinFET  AI  
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