- Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的，比如同样标称10nm，自己要比三星、台积电的领先整整一代，但是没办法，人家的脚步要快得多。
今天，三星电子又宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus)，并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。
三星11LPP工艺不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL(后端工艺)，可以大大缩小芯片面积，另一方面则沿用14nm
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三星 11nm
- 三星正在与台积电进行10nm工艺竞争，并将成为第一个部署7nm制程的公司。
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三星 11nm
- 本周一，三星宣布了全新的11nm LPP工艺，它将用于三星后续推出的中高端机型。三星在新闻公告中表示，11nm LLP的性能相比此前的14nm LLP提升了15%，单位面积的功耗降低了10%。
目前三星的14nm LLP芯片主要用于2017年版Galaxy A系列和J系列手机。三星表示，10nm用于旗舰手机，11nm用于中高端，形成差异化，预计2018年上半年在市场投放。与此同时，三星也成为了市场上最先确认7nm的企业，其7nm LPP定于2018下半年开始试产，采用EUV极紫外光刻技术。
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三星 11nm
- 在本月21日举办的LithoVision2010大会上，Intel公司公布了其未来几年的光刻技术发展计划，按这份惊人的计划显示，Intel计划将 193nm波长沉浸式光刻技术延用至11nm制程节点，这表明他们再次后延了其极紫外光刻(EUV)技术的启用日期。
Intel实验室中的EUV曝光设备
根据会上Intel展示的光刻技术发展路线图显示，目前Intel 45nm制程工艺中使用的仍是193nm干式光刻技术，而32nm制程工艺则使用的是193nm沉浸式光刻技术，沉浸式光刻工具方面，Int
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Intel 光刻 11nm
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