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11nm 文章

三星宣布11nm新工艺:7nm全面上极紫外光刻

  •   Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的,比如同样标称10nm,自己要比三星、台积电的领先整整一代,但是没办法,人家的脚步要快得多。   今天,三星电子又宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus),并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。        三星11LPP工艺不是全新的,而是14nm、10nm的融合,一方面采用10nm BEOL(后端工艺),可以大大缩小芯片面积,另一方面则沿用14nm
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三星11nm FinFET欲登场,台积电的大麻烦?

  • 三星正在与台积电进行10nm工艺竞争,并将成为第一个部署7nm制程的公司。
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三星宣布将为中高端机型推出11nm芯片

  •   本周一,三星宣布了全新的11nm LPP工艺,它将用于三星后续推出的中高端机型。三星在新闻公告中表示,11nm LLP的性能相比此前的14nm LLP提升了15%,单位面积的功耗降低了10%。   目前三星的14nm LLP芯片主要用于2017年版Galaxy A系列和J系列手机。三星表示,10nm用于旗舰手机,11nm用于中高端,形成差异化,预计2018年上半年在市场投放。与此同时,三星也成为了市场上最先确认7nm的企业,其7nm LPP定于2018下半年开始试产,采用EUV极紫外光刻技术。  
  • 关键字: 三星  11nm  

Intel欲将193nm沉浸式光刻技术延用至11nm制程节点

  •   在本月21日举办的LithoVision2010大会上,Intel公司公布了其未来几年的光刻技术发展计划,按这份惊人的计划显示,Intel计划将 193nm波长沉浸式光刻技术延用至11nm制程节点,这表明他们再次后延了其极紫外光刻(EUV)技术的启用日期。   Intel实验室中的EUV曝光设备   根据会上Intel展示的光刻技术发展路线图显示,目前Intel 45nm制程工艺中使用的仍是193nm干式光刻技术,而32nm制程工艺则使用的是193nm沉浸式光刻技术,沉浸式光刻工具方面,Int
  • 关键字: Intel  光刻  11nm  
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11nm介绍

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