三星电子(SamsungElectronics)半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部旗下半导体总括兼系统LSI事业部长金奇南，将以10奈米级记忆体晶片量产一决胜负。DS事业部的技术研发和投资焦点，也从设计技术转移到制程技术。
自1993年起，三星在记忆体市场上维持超过20年的霸主地位，秘诀就在于提升制程技术，拉大与竞争对手的差距。
据南韩经济日报报导，金奇南在2014年2月接任记忆体事业部长职务后曾指示，将全力投注在平面记忆体晶片电路精细化。截至2013年，三星记忆体事业部仍致力于研发系
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三星 10nm
按照摩尔定律，芯片可容纳的晶体管数量每两年提高一倍。然而，摩尔定律不只是在同一颗芯片上将晶体管数量增加一倍的技术问题。摩尔定律暗示，随着芯片集成密度翻倍，功耗和性能都将会实现大幅度改进。在过去50年里，半导体工业一直按照摩尔定律发展，因为芯片的三个要素——价格、功耗和性能始终是在联动。
在可预见的未来，半导体工业虽然能够继续证明摩尔定律的正确性，但是，当发展到当今最先进的28纳米技术节点以下时，却遭遇逆风阻挡前进步伐，因为在28纳米以后，技术复杂程度和制造成本都将大幅
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芯片制造 10nm
当半导体工艺发展到10nm水平时，传统的光刻工艺将面临前所未有的挑战，所有经典物理的规律在量子水平下都有可能失效，必须在硅材料之外寻找一种新的、实用的思路来进一步延续集成电路的发展。
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EUV 10nm
艾司摩尔(ASML)与比利时微电子研究中心(IMEC)合作案再添一桩。双方将共同设立先进曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半导体产业突破10奈米(nm)以下先进奈米曝光制程技术关卡，让微影(Lithography)技术及其设备更臻成熟，加速制程微缩技术的商用化。
ASML总裁暨执行长Martin van den Brink表示，长期以来，该公司与IMEC的合作，已促成半导体制程发展不断突破;而此次的合作案，预期将进一步加快先进奈米制程技术及其相关设备
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10nm ASML
比利时微电子研究中心(IMEC)正全速开发下世代10奈米制程技术。为协助半导体产业跨越10奈米鳍式电晶体(FinFET)制程技术门槛，IMEC已启动新一代电晶体通道材料和电路互连(Interconnect)研究计划，将以矽锗/三五族材料替代矽方案，并透过奈米线(Nanowire)或石墨烯技术实现更细致的电路成型与布局，加速10奈米以下制程问世。
IMEC制程科技副总裁An Steegen提到，除了10奈米以下制程技术外，IMEC亦全力推动18寸晶圆的发展，目前已有相关设备进入验证阶段。
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IMEC 10nm
晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)技术长苏比(SubiKengeri)日前来台，喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头，继14纳米XM明年量产，10纳米2015年推出，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。
格罗方德2009年由美商超微独立而出，2010年并购前特许半导体，苏比表示，2009年刚独立时，公司仅是全球第四大晶圆代工厂，但凭着超微在处理器技术的设计能力，加上先前新加坡特许半导体在晶圆代工服务客户经验，ICInsights统计，2012年公司跃进晶
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Globalfoundries 10nm
应用材料公司(Applied Materials)为其SEMVision系列推出一套最新缺陷检测及分类技术，加速达成10奈米及以下的先进晶片生产良率。Applied SEMVision G6 缺陷分析系统结合前所未有高解析度、多维影像分析功能，及革命性创新的 Purity 自动化缺陷分类(Automatic Defect Classification;ADC)系统高智慧的机器学习演算法，树立全新的效能标竿，同时为半导体产业引进首创缺陷检测扫瞄电子显微镜(DR SEM)技术。
应用材料公司企业副总
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应用材料 10nm
在半导体行业，联电(UMC)算不上往往与最先进的技术搭不上边，不过这一次，台湾代工厂准备走在世界前列了。IBM、联电今天共同宣布，联电将加入IBM技术开发联盟，共同参与10nm CMOS工艺的开发。IBM技术开发联盟是一个由IBM领导的半导体行业组织，成立已有数十年，成员包括GlobalFoundries(原AMD)、特许半导体(已被GF收购)、英飞凌、三星电子、意法半导体等赫赫有名的巨头，共同致力于先进半导体制造工艺的开发。相比于Intel、台积电、三星电子的单打独斗，这些厂商都是共享资源、联合开发
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联电 10nm
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在迈入10nm技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善电晶体通道的电子迁移率，提升晶片效能与省电效益，已被视为产业明日之星。
应用材料半导体事业群EpitaxyKPU全球产品经理SaurabhChopra提到，除了制程演进以外，材料技术更迭也是影响半导体科技持续突破的关键。
应用材料(Applied
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半导体材料 10nm
Western Digital 旗下 HGST 1 日宣布，已通过将融合 self-assembling molecules ( 分子自组装 ) 和 nanoimprinting ( 纳米印刷 ) 技术，成功创造出大面积高密度存储介质，其 magnetic islands 磁岛宽度只有 10nm ，是目前硬盘技术的两倍，可望于未来数年内大幅提高机械硬盘的存储密度，让单碟容量可望提升。
据 HGST 表示，新技术能够让 magnetic islands 磁岛宽度只相当于大约 50 个原子宽，或者人
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10nm 硬盘
我们说过很多次，先进的制造工艺始终都是Intel面对任何竞争最强有力的武器，Intel也在矢志不渝地维护和扩大这种领先优势，比如在以色列南 部城市水牛城(Kiryat Gat)的晶圆厂Fab 28，目前就正在生产22nm Ivy Bridge，而在未来数年，这里将跳过14nm，直奔更高级的10nm。
Fab 28的扩建和22nm的投产不但让Intel受益无穷，同样刺激了以色列的经济发展，带动其出口额从2011年的22亿美元猛增至2012年的46亿美 元，其中Intel一家就占了高科技出口额的20
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Intel 10nm
SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技术。
如果采用FDSOI技术，无需使晶体管立体化便可继续推进SoC微细化至10nm工艺左右。由于可以沿用原有半导体制造技术和设计技术，因此无需很多成本即可继续推进微细化(图1)。对于希望今后仍长期享受SoC微细化恩惠的
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意法 10nm 晶体管
在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上，产业组织SOI Consortium所展示的文件显示， FD-SOI 制程技术蓝图现在直接跳过了20nm节点，直接往14nm、接着是10nm发展。
根据SOI Consortium执行总监Horacio Mendez在该场会议上展示的投影片与评论指出，14nm FD-SOI技术问世的时间点约与英特尔 (Intel)的14nmFinFET相当，而两者的性能表现差不多，F
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ST FD-SOI 10nm
在可预见的未来，CMOS技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入10nm节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键，IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Forum上表示。
明天的智慧系统将会需要更多的运算能力和储存容量，这些都远远超过今天的处理器和记忆体所能提供的极限。而这也推动了我们对晶片微缩技术的需求。
在演讲中，Steegen了解释IMEC 如何在超越10nm以后继续推动晶片微缩。在10nm之后，或许还
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IMEC CMOS 10nm
韩国三星先进技术研究所总裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中国国际半导体技术大会(CSTIC2012)带来主题为“探索硅技术的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演讲。
Kim博士表示，闪存技术是否会主导未来的存储市场，2012到2015年集成光电路等技术将取得进展，硅技术将向10nm发展，并同时推动DRAM、NAND闪存等产业的发展。
Kim在演讲中指出，在DRAM和NAND闪存等方面， Ki
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