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10纳米 文章

台积电10纳米 竞争压力大

  •   半导体巨擘英特尔发布最新的先进制程技术蓝图,其中众所关注的10纳米预计2015年量产,比原先规划时间提早一年,并进一步拉大领先台积电(2330)的时间。   台积电的10纳米预计2017年量产,较英特尔晚两年。半导体业界人士表示,虽然英特尔技术不断超前,是因应处理器速度的需求,但英特尔已在晶圆代工正式卡位,一旦10纳米在2015年量产,对台积电仍有潜在的竞争压力。   台积电日前一度因为美国宽松货币政策传出退场,跌破108元月线区,昨天股价收盘小涨1.5元,收在109.5元,股价获得支撑。   
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超越台积电 格罗方德称2015推出10纳米晶圆

  •   晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)技术长苏比(SubiKengeri)日前来台,喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头,继14纳米XM明年量产,10纳米2015年推出,此进度比台积电领先两年,也比英特尔2016年投入研发还领先一年。   格罗方德2009年由美商超微独立而出,2010年并购前特许半导体,苏比表示,2009年刚独立时,公司仅是全球第四大晶圆代工厂,但凭着超微在处理器技术的设计能力,加上先前新加坡特许半导体在晶圆代工服务客户经验,ICInsights统计,2012年公司跃进晶
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台积电2017追上英特尔 不只是放狠话

  •   台积电共同营运长蒋尚义昨(22)日表示,台积电由20纳米跨入16纳米制程微缩时间确定缩短1年,即2015年将提前量产3D晶体管架构的16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程。为了满足客户需求,台积电已决定加快研发脚步,“希望10纳米世代就能全面赶上英特尔”,时间点就落在2017年。   台积电董事长张忠谋在日前法说会中宣布,今年资本支出拉高至95~100亿美元,且16纳米FinFET制程要提前一年量产。主掌台积电技术研发的蒋尚义昨天则说明,加快16纳米量产,是因为客户对此有
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英特尔或在以色列生产新一代10纳米工艺芯片

  •   英特尔以色列子公司2012年出口额翻番至46亿美元,该公司正寻求将英特尔下一代芯片的生产放在以色列。   英特尔以色列子公司2011年的出口额为22亿美元,而2012年同比增长率达到109%。这主要是由于以色列南部水牛城(Kiryat Gat)工厂的22纳米工艺生产线开始投产,目前维持着100%的产能。   英特尔是全球排名第一的芯片厂商,该公司将于未来2至3年内在爱尔兰和美国的工厂引入14纳米技术,并开始考虑发展10纳米技术。英特尔以色列公司高管表示,希望将10纳米技术引入以色列工厂。   英
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英特尔三星东芝联手提升芯片制造工艺

  •   据国外媒体报道,英特尔、东芝和三星电子将联手开发新技术,在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别。   据《日经新闻》报道,全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝将与最大的芯片厂商英特尔结成合作伙伴,并邀请大约10家半导体材料及其他领域的企业加入这一联合体。   
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张忠谋:全球半导体市场连好5年

  •   4月15日早间消息,据台湾媒体报道,台湾晶圆代工龙头台积电昨(14)日在美国举行年度技术论坛,董事长张忠谋表示,今明两年全球半导体市场均将健康成长,2011至2014年呈温和成长,年复合成长率达4.2%。   张忠谋还称,半导体产业需要更多合作,且早在芯片设计开始之前就要合作,才能有效降低成本,台积电在20纳米、14纳米、10纳米等先进制程研发中不会缺席。   由于半导体市场景气明显复苏,台积电年度技术论坛吸引将近1800名客户或合作伙伴代表参加,而张忠谋在演说时则针对未来5年半导体市场景气、台积
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三星看好PCM内存潜力 有望取代NAND和NOR闪存

  •   三星表示,PCM(相变内存)所具有的体积小及节电优势可能让这种内存替代现有的移动存储形式.   多年来,半导体厂商一直在致力研究PCM内存,不过,它一直处于试验阶段.PCM内存当中包含有类似玻璃的材料,当其中的原子重新排列,它的状态就会发生改变,晶体的变化对应计算上的0,1状态,从而可以用于数据存储.   一直以来,包括英特尔和英飞凌在内的很多公司都在从PCM的研发,他们试图将这种存储器的体积减小,增存储加速度与容量.支持PCM的人士认为,PCM最终可能取代NAND和NOR闪存.   三星半导体
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