- IT之家 7 月 5 日消息，据多个韩国媒体报道，三星电子昨日突然在非常规人事季更换了代工（DS）部门和 DRAM 部门负责人，被解读为“弥补今年上半年存储半导体表现低迷、强化代工业务的手段”。首先，三星代工事业部技术开发部门副社长郑基泰（Jegae Jeong）被任命为事业部最高技术负责人（CTO），而他的继任者则是 Jahun Koo。与此同时，负责存储半导体中 DRAM 开发的部门负责人也被更换，由原本担任战略营销部门副社长的黄相俊（Hwang Sang-jun）接管，被业界解读为对 HB
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三星 DRAM
- 6月5日，DRAM大厂南亚科公布2023年5月自结合并营收为新台币23.09亿元，月增加2.17%、年减少62.74%，仍创下今年新高水准。累计前5月合并营收为新台币109.94亿元，年减少66.42%。据中国台湾媒体《中时新闻网》引述南亚科总经理提到，DRAM市况预期第三季产品价格可望回稳。南亚科总经理认为，以今年整体状况而言，DRAM需求成长率可能低于长期平均值，但DRAM是电子产品智能化的关键元件，未来各种消费型智能电子产品的推陈出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工厂、智能汽车、智能家庭、智能穿戴
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DRAM TrendForce
- 5月26日，韩国媒体The Elec引用知情人士消息称，三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队，以量产4F2结构DRAM。4F2结构DRAM能够大大提高DRAM的存储密度，方便研究团队克服DRAM线宽缩减的极限，增加DRAM制造的效率。报道称，如果三星4F2 DRAM存储单元结构研究成功，在不改变节点的情况下，与现有的6F2 DRAM存储单元结构相比，芯片DIE面积可以减少30%左右。4F2结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术，据说工艺难点颇多。不过三星认为，与SK海力士和美
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三星 4F2结构 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星组建了一支专业的团队，负责开发 4F² DRAM 存储单元结构。相比较现有的 6F² 级别，在不改变工艺节点的情况下，芯片面积最高可减少 30%。4F Square 是一种单元结构技术，DRAM 行业早在 10 年前就尝试商业化，但最后以失败告终。三星组建了专业的团队，研发 4F² 结构。IT之家从韩媒报道中获悉，晶体管根据电流流入和流出的方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）整套系统。在漏极（D）上方安装一个
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三星 DRAM
- 据TrendForce集邦咨询研究显示，今年第一季DRAM产业营收约96.6亿美元，环比下降21.2%，已续跌三个季度。出货量方面仅美光有上升，其余均衰退；平均销售单价三大原厂均下跌。目前因供过于求尚未改善，价格依旧续跌，然而在原厂陆续减产后，DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收敛。展望第二季，虽出货量增加，但因价格跌幅仍深，预期营收成长幅度有限。营收方面，三大原厂营收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新机备货订单有限，出货量与平均销售单价（ASP）同步下跌，营收约41.7亿美元，环比下降24.7%。
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DRAM TrendForce
- 受消费电子市场需求疲弱影响，存储产业2022年下半年以来持续“过冬”，加上今年一季度为市场淡季，供过于求关系下，产业库存高企。第二季度存储产业市况如何？未来是否将有所好转？近期，南亚科、华邦电两家存储厂商对此进行了回应。南亚科：库存逐步去化，部分应用领域已出现急单近期，媒体报道，DRAM厂商南亚科表示，今年一季度是产业库存高点，在需求与供应端改善下，库存正逐步去化，预期本季DRAM市况有望落底，公司在部分应用领域已出现急单。为满足市场应用需求趋势，南亚科持续开发高速与低功耗产品，在技术推进上，20纳米产品
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存储厂商 DRAM
- 伴随存储芯片价格筑底，关于半导体周期拐点将临近的讨论越来越热。
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存储芯片 DRAM
- 今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。"采用差异化的工艺技术，三星业内先进的12 纳米级DDR5
DRAM具备出色的性能和能效，"三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我们持续开拓DRAM市场的决心。这不仅意味着我们为满足计算市场对大规模数据处理的需求，提供高性能和高容量的产品，而且还将通过商业化的下一代
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三星电子 12纳米 DDR5 DRAM
- IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布开发 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大规模量产 12 纳米工艺的 DDR5 DRAM。存储芯片行业当前正处于低谷期，三星通过量产 12nm 的 DRAM，希望进一步巩固其在该领域的领先地位。IT之家从三星新闻稿中获悉，与上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圆生产率提高了 20%，这意味着芯片尺寸比上一代更小，单个晶圆可以多生产 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗将使服务器和数据中
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三星 DDR5 DRAM
- 三星电子今日宣布，研发出其首款支持Compute Express Link™（CXL™）2.0的128GB DRAM。同时，三星与英特尔密切合作，在英特尔®至强®平台上取得了具有里程碑意义的进展。继2022年五月，三星电子研发出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（内存扩展器）后，又继续推出支持CXL 2.0的128GB
CXL DRAM，预计将加速下一代存储解决方案的商用化。该解决方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高达每秒35GB的带宽。可扩展内存（Memory Expander）“作
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三星电子 CXL 2.0 CXL DRAM
- 集邦咨询预估第二季度 DDR5 Server DRAM（服务器内存）价格跌幅将收敛，由原预估 15%-20% 收敛至 13%-18%。
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DDR5 DRAM
- 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。SK海力士强调“公司继去年6月全球首次量产HBM3 DRAM后，又成功开发出容量提升50%的24GB套装产品。”,“最近随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，公司将从今年下半年起将其推向市场，以满足
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SK海力士 堆叠HBM3 DRAM
- 据媒体报道，尽管消费性电子应用需求复苏缓慢，但华邦电总经理陈沛铭指出，第二季与客户洽谈合约价格已看到止稳迹象。华邦电是一家利基型存储器IC设计、制造与销售公司，其产品包括利基型存储器（Specialty DRAM）、行动存储器（Mobile DRAM）以及编码型闪存（Code Storage Flash Memory）。存储器产品主要以DRAM、NAND Flash为主。从产品价格上看，在NAND
Flash方面，此前据TrendForce集邦咨询3月30日调查指出，即便原厂持续进行减产，然需求端如服
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利基型 DRAM
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