本文对于 MOS 管工作在开关状态下的 Miller 效应的原因与现象进行了分析。巧妙的应用 Miller 效应可以实现电源的缓启动。01 Miller效应一、简介MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。下面波形是在博文 ZVS振荡电路工作原理分析[1] 中观察到振荡 MOS 管栅极电压与漏极电压波形。可以看到栅极电压在上升阶段具有一个平坦的小台阶。这就是弥勒效应所带来的 MOS 管驱动电压波
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MOS Miller
1、放大电路场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点，因此经常作为多级放大电流的输入级，与三极管一样，根据输入、输出回路公共端选择不同，将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态，如下图是场效应管共源放大电路，其中：Rg是栅极电阻，将Rs压降加至栅极；Rd是漏极电阻，将漏极电流转换成漏极电压，并影响放大倍数Au；Rs是源极电阻，为栅极提供偏压；C3是旁路电容，消除Rs对交流信号的衰减。2、电流源电路恒流源在计量测试应用很广泛，如下图是主要是由场效应管组成的恒流源电路，这是可作为磁电式仪表调标尺工序。由于场
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MOSFET MOS 场效应管
一、什么是开关电源开关模式电源（SwitchModePowerSupply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源（例如市电）或是直流电源，而输出多半是需要直流电源的设备，例如个人电脑，而开关电源就进行两者之间电压及电流的转换。二、开关损耗开关损耗包括导通损耗和截止损耗。1、导通损耗指功率管从截止到导通时,所产生的功率损耗。截止损耗指功率管从导通到截止
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开关电源 MOS MOSFET
模拟电路设计的九个级别，类似下围棋的段位。请从一段到九段仔细阅读，看看自己处于什么水平，值得一看哦~
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模电 模拟电路 MOS
宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
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IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
继分别推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC电源控制芯片后，为满足客户更广的应用范围及更低的价格需求，金升阳推出超低静态功耗、内置高压MOS且性价比更高的新产品—SCM1733ASA。一、芯片介绍SCM1733ASA 是应用于中小功率AC/DC反激式开关电源的高性能电流模式PWM控制器，内置高压功率MOS，最大输出功率达20W，待机功耗＜75mW，具有极低的启动电流和工作电流，可在实现低的损耗的同时保证可靠启动。芯片满载工作时，PWM开关频率固定；降低负载后，进入绿色模式，开关频率降低；在空载和轻载时，
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EMI PWM MOS
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间，有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
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MOS MOSFET
发光二极管就是俗称的LED，由于较容易入门且普及率高，很多新手在进行入门学习时经常会选择发光二极管来入手。本文将对发光二极管与MOS之间的特定关系
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发光二极管 MOS 电流
在大功率电源当中，MOS器件的消耗至关重要。其很有可能关系到电源的整体效率。在之前的文章中，小编为大家介绍了一些功率耗散的方法，在本文中，小编将
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同步整流器 MOS 功率
如何设计防反接保护电路？-利用MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
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mos
揭秘高效电源如何选择合适的MOS管-在当今的开关电源设备中，MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率MOS管的工作原理和关键参数对电源设计工程师至关重要。
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MOS 电源
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。
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MOS FinFET
作为工作于开关状态的能量转换装置，开关电源的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大；干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印刷线路板（PCB）走线通常采用手工布线，具有更大的随意性，这增加了PCB分布
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EMI 开关电源 MOS
在开关电源电路设计当中，电流的转换分为很多种。其中直流转换是较常见的一种设计。通常称为DC-DC转换，是指将一个电压值转化为另一个电压值电能的装置。直流转换设计在开关电源当中非常常见，也是新手接触比较多一种电路设计，本篇文章将为大家介绍这种电路当中非同步与同步的区别。
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DC-DC MOS 同步 开关电源 非同步
如同摩尔定律所述，数十年来，芯片的密度和速度正呈指数级成长。众所周知，这种高速成长的趋势总有一天会结束，只是不知道当这一刻来临时，芯片的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，芯片密度不断增加，而闸级氧化层宽度不断减少，超大规模集成电路(VLSI)中常见的多种效应变得原来越重要且难以控制，天线效应便是其中之一。
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