电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路，因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力，另一方面这种ESD保护结构又不能使芯
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ESD 可控硅整流器 静电放电
包括微软(Microsoft)、英特尔(Intel)、苹果(Apple)纷将2015年新款PC介面全面升级至USB 3.1规格，Wintel阵营2015年新款PC产品亦将全面采用USB 3.1介面设计，国外芯
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USB 3.1 英特尔 Microsoft ESD
对ESD进行防护的最好方法，是敏感器件进行静电屏蔽和磁场屏蔽，静电屏蔽可用导电良好的金属屏蔽片来阻挡电场力线的传输。一般有了静电屏蔽，磁
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静电屏蔽防护 ESD
杭州中天微系统有限公司，一家来自中国杭州的32位嵌入式CPU内核的领先供应商，今日成为电子系统设计(ESD)联盟的成员，享有表决权。电子系统设计(ESD)联盟是一家旨在为全球半导体设计生态系统提供商品和服务的国际企业协会。
作为首家加入ESD联盟的中国知识产权公司，中天微系统将成为半导体知识产权工作组的正式成员，协助开发知识产权保护的通用架构和最佳方案。中天微系统有意向的其他项目还包括多模工作组和市场统计服务(MSS)。
杭州中天微系统有限公司董事长严晓浪指出：“ESD联盟国际
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嵌入式 ESD
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT1。器件采用超小尺寸的LLP1006-3L封装，可用于便携式电子产品。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT1比SOT32封装的产品节省空间，具有超低电容和漏电流，可保护高速数据线免受瞬变瞬态电压信号的干扰。
今天推出的器件高度不到0.4mm，典型负载电容为0.35pF。VBUS05M2-HT
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Vishay ESD
对ESD进行防护的最好方法，是敏感器件进行静电屏蔽和磁场屏蔽，静电屏蔽可用导电良好的金属屏蔽片来阻挡电场力线的传输。 一般有了静电屏蔽，磁场屏蔽就不再是十分需要的了，因为当高频磁力线穿过金属屏蔽片时，会在金属屏蔽片中感应产生回路电流(涡流)，此电流产生磁场方向正好与干扰磁场的方向相反，两者虽然不能完全抵消，但可以互相抵消大部分，从而同样可以降低磁场产生的干扰。图10 是对ESD 进行静电屏蔽防护的原理图。
图10 这里需要特别说明的
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ESD 静电屏蔽
电磁兼容是指“一种器件、设备或系统的性能，它可以使其在自身环境下正常工作并且同时不会对此环境中任何其他设备产生强烈电磁干扰。”对于无线收发设备来说，采用非连续频谱可部分实现 EMC 性能，但是很多有关的例子也表明 EMC 并不总是能够做到。例如在笔记本电脑和测试设备之间、打印机和台式电脑之间以及蜂窝电话和医疗仪器之间等都具有高频干扰，我们把这种干扰称为电磁干扰(EMI)。 1、EMC 问题来源 所有电器和电子设备工作时都会有间歇或连续性电压电流变化
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ESD EMI EMC
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。
静电放电形成
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MOS管 ESD
电路保护主要是保护电子电路中的元器件在受到过压、过流、浪涌、电磁干扰等情况下不受损坏，电路保护器件则是为产品的电路及芯片提供防护的，确保在电路出现异常的情况下，被保护电路的精密芯片、元器件不受损坏。过压、过流、浪涌、电磁干扰、静电放电等一直是电路保护的重点，因此，市场中的主流电路保护器件也是以防雷/过压/过流/防静电等为主，常见的保护器件有气体放电管、固体放电管、瞬态抑制二极管、压敏电阻、自恢复保险丝以及ESD静电二极管等。工程师在选型的时候如何才能选择最佳的电路保护器件呢? 1.你要知道你想要防止
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电路保护器 ESD
本文蒋介绍ESD引起集成电路损坏原理模式及实例 一.ESD引起集成电路损伤的三种途径(1)人体活动引起的摩擦起电是重要的静电来源，带静电的操作者与器件接触并通过器件放电。(2)器件与用绝缘材料制作的包装袋、传递盒和传送带等摩擦，使器件本身带静电，它与人体或地接触时发生的静电放电。(3)当器件处在很强的静电场中时，因静电感应在器件内部的芯片上将感应出很高的电位差，从而引起芯片内部薄氧化层的击穿。或者某一管脚与地相碰也会发生静电放电。根据上述三种ESD的损伤途径，建立了三种ESD损伤模型：人体带电模型、
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ESD 集成电路
随着电子产品迅速走向随身使用化、功能强大化与低功耗化，半导体技术的持续微缩就没有停止的可能性。然而，这样的演变趋势造就了电子产品‘使用可靠性的设计工作’重要性和电子产品‘功能的设计工作’本身一样重要。
这是因为外在的暂态杂讯干扰能量变得很容易进入电子产品内部，加上电子产品内部的晶片零组件因半导体微缩而变得十分孱弱，从而导致电子产品本身的正常运作就变得易于受到干扰与破坏。
Silicon Labs执行长Tyson T
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ESD EOS
近二十年来，电子工业以惊人的速度发展。新技术的进步在减小设备尺寸的同时，也加大了分立元件制造商开发理想性能器件的压力。 在这些器件中，晶片电阻当前始终保持很高的需求，并且是许多电路的基础构件。它们的空间利用率优于分立式封装电阻，减少了组装前期准备的工作量。随着应用的普及，晶片电阻具有越来越重要的作用。主要参数包括 ESD 保护、热电动势 (EMF)、电阻热系数 (TCR)、自热性、长期稳定性、功率系数和噪声等。 以下技术对比中将讨论线绕电阻在精密电路中的应用
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电阻 ESD
让我们从几个示例开始。在这些示例中，我们试着保护系统不受以下情况的影响：
在静电放电 (ESD) 不安全的环境中安装或校准某些系统，这样做会导致ESD损坏。 工业控制系统往往跨越很远距离并且有可能暴露在自然危险下，诸如雷击，的大型系统。 与环境寄生效应耦合在一起的开关瞬变会生成高频辐射和耦合射线。
你在保护模拟输出时所需要应对的瞬变情况与其生成的低压 (<24V) 和低频 (<10kHz) 信号十分不同。工业瞬变是高电压
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TIPD153 ESD
ESD试验作为EMC测试标准的一项基本测试项目，如果产品的前期设计考虑不足，加上经验不够的话，往往会让人焦头烂额。一般中小型企业，如果没有专门的EMC工程师，往往这项工作就必须由硬件工程师来承担。对于整机来说，ESD抗扰能力不仅仅来自芯片的ESD耐压，PCB的布局布线，甚至与工艺结构也有密切关系。
常见的ESD试验等级为接触放电：1级——2KV;2级——4KV;3级——6KV;4级—&
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EMC ESD
ESD：Electrostatic Discharge，即是静电放电，每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握 ESD 的相关知识。为了定量表征 ESD 特性，一般将 ESD 转化成模型表达方式，ESD 的模型有很多种，下面介绍最常用的三种。
1.HBM：Human Body Model，人体模型：
该模型表征人体带电接触器件放电，Rb 为等效人体电阻，Cb 为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级。
ESD人体模型
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ESD 静电放电
静电放电(esd)介绍
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