首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 雪崩

雪崩 文章

大容量电池充放电管理模块MOSFET选型及应用

  • 本文阐述了大容量锂离子电池包内部功率MOSFET的配置以及实现二级保护的方案;论述了其实现高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圆技术和CSP封装技术的特点;提出了保证电池包安全可靠工作,功率MOSFET必须具有的技术参数,以及如何正确测量MOSFET的工作温度;最后,给出了输出端并联电阻以及提高控制芯片的输出检测电压2种方案,避免漏电流导致电池包不正常工作的问题。
  • 关键字: 电池充放电管理  雪崩  短路  漏电流  MOSFET  202112  

看懂MOSFET数据表,第1部分―UIS/雪崩额定值

  • 在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷),其它的一些参数会十分的含糊不清、模
  • 关键字: MOSFET  雪崩  

根据雪崩性能选择肖特基二极管

  • 汽车电子模块要求采取反向电池保护措施,以避免不良电池操作可能导致的损坏风险。肖特基二极管是这种应用的首选器件,因为它们具有很低的前向
  • 关键字: 肖特基二极管    雪崩  

雪崩光电二极管反向电流的测量

  • 雪崩光电二极管(APD)是一种高灵敏度、高速度的光电二极管。施加反向电压时,能启动其内部的增益机构。APD的增益可以由反向偏置电压的幅度来控制。反向偏置电压越大增益就越高。APD在电场强度的作用下工作,光电流的
  • 关键字: 雪崩  光电二极管  电流  测量    

MOSFET的UIS和雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中评
  • 关键字: 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  

功率MOSFET雪崩击穿问题分析

  • 摘要:分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在
  • 关键字: 问题  分析  击穿  雪崩  MOSFET  功率  

利用CompactRIO 和LabVIEW在法国阿尔卑斯山脉研究

  • 技术人员正在“减势土墩”上安装设备
    行业:
    科研产品:
    实时模块, FPGA模块, CompactRIO挑战:
    通过收集关于雪流速度和压力的实时数据,确定雪崩中雪流规律以及雪崩阻滞屏障的有效性。解决
  • 关键字: CompactRIO  LabVIEW  法国  雪崩    

MOSFET雪崩能量的应用考虑

  •  在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中
  • 关键字: 考虑  应用  能量  雪崩  MOSFET  

MOSFET的UIS及雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中评
  • 关键字: 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  

理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量

  • 在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响,以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。本文将论述这些问题,同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。
  • 关键字: 雪崩  能量  UIS  MOSFET  功率  理解  
共10条 1/1 1
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473