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门极驱动 文章 进入门极驱动技术社区

门极驱动正压对功率半导体性能的影响

  • 引言对于半导体功率器件来说,门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响,而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。对导通损耗的影响无论是MOSFET还是IGBT,都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下,一般门极电压用得越高,导通损耗越小。因为门极电压越高意味着沟道反型层强度越强,由门极电压而产生的沟道阻抗越小,流过相同电流的压降就越低。不过器件导通损耗除了受这个门极沟道影响外,还和芯片的厚度有很大的关系,一般越薄的导通损
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IGBT门极驱动到底要不要负压

  • 【导读】先说结论,如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说,很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG电容产生分布电流灌入门极,使门极电压抬升,可能导致原本处于关断状态的IGBT开通,如图1所示。电流变化di/dt可以通过发射极和驱动回路共用的
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IPM门极驱动隔离电路

  • IPM门极驱动隔离电路见图3,它实现对80C196MC的6路WM信号与IPM的光电隔离,并实现驱动和电平转换功能。光藉采用6N137,这是一种快速光耦,三极管N为9014,供电电压为15V,该三极管将来自光藉的TTL电平转换为IPM的门极驱动信...
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MOSFET门极驱动电压的优化

  • 在同步降压电源应用中,降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电...
  • 关键字: MOSFET  门极驱动  电压优化  

Avago推出门极驱动光电耦合器系列

  •   Avago Technologies(安华高科技)宣布推出最新的智能型门极驱动光电耦合器产品,Avago的ACPL-333J和ACPL-330J系列高速IGBT光电耦合器非常容易集成到工业变频器和电源管理等应用,例如隔离式IGBT/MOSFET门极驱动、交流和无刷直流电机驱动、工业变频器以及不间断电源等。   Avago的ACPL-333J和ACPL-330J分别提供2.5A和1.5A的输出电流,为可以使IGBT失效保护功能更紧凑且成本更低的先进、高速并且使用容易的智能型门极驱动产品。采延展型SO-
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带电流检测的门极驱动ICs: IR212X

  •     概要 器件介绍 电流检测原理 电流检测电路结构 布线注意事项 1) 器件介绍 IR有四款单通道驱动器具有电流检测功能。IR2121和IR2125分别为低端和高端驱动器,它们具有较高的驱动能力(1A出/2A 入)。这两款器件内的电流检测电路使用一个定时电路,由ERR 脚来确定从检测出过流到关闭输出的延迟时间。IR2127 和IR2128 都是高端驱动器(IR2127 的输入为高有效,IR2128的输入为低有效),它们的输出能力较低(200mA出/420mA入),电
  • 关键字: 门极驱动  
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门极驱动介绍

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