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通态漏源电阻 文章 进入通态漏源电阻技术社区

了解 MOSFET 通态漏源电阻

  • 分立 MOSFET 数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻,缩写为 R DS (on)。这个 R DS (on)想法看起来非常简单:当 FET 处于截止状态时,源极和漏极之间的电阻非常高,以至于我们假设电流为零。当 FET 的栅源电压 (V GS ) 超过阈值电压 (V TH ) 时,它处于“导通状态”,漏极和源极通过电阻等于 R DS(on) 的沟道连接。然而,如果您熟悉 MOSFET 的实际电气行为,您应该很容易认识到该模型与事实不符。首先,FET 并不真正具有“导通状态”。当未处于截止状态时(我们在此
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通态漏源电阻介绍

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