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辐射致漏电路径 文章

新型抗总剂量辐照高压LDMOS结构

  •   冯垚荣(电子科技大学,四川 成都 610054)  摘 要:通过分析低压MOS中存在的漏电路径,针对高压LDMOS面积大,最小宽长比有限制的特点,提出了一种更加适用于高压LDMOS的新型抗总剂量辐照结构。器件仿真结果显示,新结构在实现500 krad(Si)的抗辐照能力,并且新结构不会增加面积消耗,与现有工艺完全兼容。  关键词:总剂量效应;高压LDMOS;抗辐照加固;辐射致漏电路径  0 引言  LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)相比普通的MOSFET具有高耐压、高增益等优点,被广泛应用于各种电
  • 关键字: 201911  总剂量效应  高压LDMOS  抗辐照加固  辐射致漏电路径  
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辐射致漏电路径介绍

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