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超级结 文章

一篇文章读懂超级结MOSFET的优势

  •   平面式高压MOSFET的结构   图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻,并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷,这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。器件的总RDS(on)可表示为通道、epi和衬底三个分量之和:   RDS(on) = Rch + Repi + Rsub      图1:传统平面式MOSF
  • 关键字: MOSFET  超级结  
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超级结介绍

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