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衬底偏置效应 文章

一种用于超高速ADC的输入信号缓冲器设计

  • 提出一种基于TSMC40LP工艺的输入信号缓冲器,用于12 bit 4 GSPS ADC的缓冲器设计。本缓冲器采用开环源随器结构,由于工艺角和温度变化,开环结构的缓冲器的输出共模将会漂移,导致比较器的输入共模发生漂移,使得比较器的比较结果发生错误。采用Replica共模反馈的方式为主缓冲器提供共模,实现缓冲器的输出共模的稳定,避免比较器因为共模变化而工作不正常。为了达到线性度的要求,通过叠层源随器和电容,将输入信号耦合到源随器的漏端,避免了短沟道器件的沟调效应。源随器采用深N阱器件,消除了衬底偏置效应。本
  • 关键字: 缓冲器  沟道调制效应  衬底偏置效应  线性度  201806  
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衬底偏置效应介绍

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