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肖特基二极管 文章 进入肖特基二极管技术社区

电路的均方根输出在宽范围内与温度呈线性比例关系

  • 众所周知,p-n结二极管是最高约200℃的低温精密温度计的基础。流经二极管的电流保持恒定,二极管上的电压则提供...
  • 关键字: 肖特基二极管    恒流源    555非稳态时钟  

肖特基二极管组成的电荷泵多电压输出电路

  • 肖特基二极管组成的电荷泵多电压输出电路,概要在需要价格便宜的多电源输出的方案或者一个简单的负电压、高电压输出回路的时候, 用二极管和电容组成的电荷泵很有用.在不用芯片和电感线圈的情况下,二极管电荷泵能够高
  • 关键字: 肖特基二极管  电荷泵  

理想二极管和热插拔控制器实现电源冗余并隔离故障

  • 用肖特基二极管实现多电源系统有多种方式。例如,µTCA 网络及存储服务器等高可用性电子系统都在其冗余电源系统中采用了肖特基二极管“或”电路。二极管“或”电路还用于采用备用电源的系统,例如 AC 交流适配器和备份电池馈送。
  • 关键字: 凌力尔特  肖特基二极管  MOSFET  

Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度

  •   Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(Schottky) 二极管,为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积,实现双倍功率密度。   全新30V及0.2A SDM0230CSP肖特基二极管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盘封装,热阻仅为261oC/W,比DFN0603封装低约一半,有效把开关、反向阻断和整流电路的功耗减半。   SDM0230CSP的占位面积为0.1
  • 关键字: Diodes  肖特基二极管  

Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度

  • Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(Schottky) 二极管,为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积,实现双倍功率密度。
  • 关键字: Diodes  SDM0230CSP  肖特基二极管  

Diodes肖特基二极管节省空间高达66%

  • Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型无引线DFN0603封装的肖特基二极管。该30V、0.1A额定值的SDM02U30LP3包含了开关、反向阻断及整流功能,从而满足智能手机与平板电脑等超便携产品更高密度的设计需求。
  • 关键字: Diodes  肖特基二极管  

PWM DC/DC转换器肖特基二极管(SBD)

  • 肖特基(Schottky)二极管是将金属层沉积在N型硅的薄薄外延层上,利用金属和半导体之间的接触势垒获得单向导...
  • 关键字: PWM  DC/DC  转换器  肖特基二极管  

适合各种电源应用的碳化硅肖特基二极管

  • 功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一,在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准
  • 关键字: 电源应用  碳化硅  肖特基二极管    

肖特基二极管简介

  • 肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材
  • 关键字: 肖特基二极管    

科锐推出新型碳化硅肖特基二极管系列

  •   碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。
  • 关键字: LED  肖特基二极管  

英飞凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二极管

  •   英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。   独具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺,该技术大大降低了内部芯片到管脚的热阻,有效地弥补了FullPAK内部隔离层的散
  • 关键字: 英飞凌  肖特基二极管  SiC  

安森美推出带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET

  •   应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。   NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值,针对降压转换器应用中的同步端而优化,达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及1
  • 关键字: 安森美  MOSFET  肖特基二极管  

肖特基二极管的结构与封装及应用

  • 肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材
  • 关键字: 肖特基二极管  封装    

英飞凌推出性能改进的第三代碳化硅肖特基二极管thinQ

  •   英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ!™  SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。此外,英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列,不仅包括TO-220封装(真正的双管脚版本)产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。     SiC肖特基
  • 关键字: 英飞凌  thinQ  肖特基二极管  

提升轻负载和高频率下DC/DC的转换效率

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肖特基二极管介绍

目录 简介 原理 优点 结构 特点 应用 其它 简介   肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导 [ 查看详细 ]

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