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绝缘栅双极型晶体管(igbt) 文章 进入绝缘栅双极型晶体管(igbt)技术社区

基础知识之IGBT

  • 什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。 IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。 根据其分别可支持的开关速度,BIPOLAR适用于中速开关,MOSFET则适用于高频领域。IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件,通过
  • 关键字: 功率半导体  IGBT  

IGBT驱动电路介绍

  • IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。理想等效电路与实际等效电路如图所示:IGBT 的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)。动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取:IGBT的开通过程IGBT 在开通过程中,
  • 关键字: IGBT  电路设计  驱动电路  

IGBT如何进行可靠性测试?

  • 在当今的半导体市场,公司成功的两个重要因素是产品质量和可靠性。而这两者是相互关联的,可靠性体现为在产品预期寿命内的长期质量表现。任何制造商要想维续经营,必须确保产品达到或超过基本的质量标准和可靠性标准。安森美 (onsemi) 作为一家半导体供应商,为高要求的应用提供能在恶劣环境下运行的产品,且这些产品达到了高品质和高可靠性。人们认识到,为实现有保证的质量性能,最佳方式是摒弃以前的“通过测试确保质量”方法,转而拥抱新的“通过设计确保质量”理念。在安森美,我们使用双重方法来达到最终的质量和可靠性水
  • 关键字: IGBT  可靠性  测试  

必看!IGBT基础知识汇总!

  • 01 IGBT是什么?IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。(因为MOS管有Rds,如果Ids比较大,就会导致Vds很大)IGBT综合了以
  • 关键字: IGBT  晶体管  基础知识  

IGBT 持续走强,头部公司纷纷扩产

  • 从缺芯潮缓解转向下游市场需求疲软,在半导体赛道的周期性寒冬之下,各家企业相继采取措施,减产、缩减投资等逐渐成为行业厂商度过危机的主要方式之一。不过在半导体诸多赛道中,有这样一个细分领域,它未受市场景气度的影响,持续繁荣向上。这便是 IGBT。IGBT 的市场格局根据 IGBT 的产品分类来看,按照其封装形式的不同,可分为 IGBT 分立器件、IPM 模块和 IGBT 模块。IGBT 分立器件主要应用在小功率的家用电器、分布式光伏逆变器;IPM 模块应用于变频空调、变频洗衣机等白色家电产品;而 IGBT 模
  • 关键字: IGBT  

关于IGBT 安全工作区 你需要了解这两个关键

  • 在 IGBT 的规格书中,可能会看到安全工作区(SOA, Safe Operating Area),例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下图所示。这个安全工作区是指什么?图1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作区 (图片来源ROHM)IGBT 的安全工作区(SOA)是使IGBT在不发生自损坏或性能沒有下降的情况下的工作电流和电压条件。实际上,不仅需要在安全工作区内使用IGBT,还需对其所在区域实施温度
  • 关键字: IGBT  安全工作区  SOA  

IGBT IPM实例:绝对最大额定值

  • 本文的关键要点・各种项目的绝对最大额定值都是绝对不能超过的值。・IGBT IPM绝对最大额定值的解释基本上与半导体器件相同。・由于绝对最大额定值不是保证产品工作和特性的值,因此设计通常基于推荐工作条件和电气特性项目中的规格值进行。在本文中,将介绍IGBT IPM的绝对最大额定值。与上一篇一样,我们将使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作为IGBT IPM的示例。 IGBT IPM实例:绝对最大额定值 首先,为了便于理解后续内容,我们先
  • 关键字: IGBT  IPM  ROHM  

2023年慕尼黑华南电子展:EEPW&广州金升阳科技有限公司

  • 10月31日,金升阳作为EEPW的老朋友也来到直播间向我们分享了他们这次带来的展品以及新的动态。谢工在直播中介绍到,金升阳成立于1998年7月,25年来创造了高品质的机壳开关电源、导轨电源、AC/DC电源模块、DC/DC电源模块隔离变送器、工业接口通讯模块、 IGBT驱动器、LED驱动器等系列产品,其中多个产品系列已经顺利通过了UL、CE、EN60601-1。我们了解到,金升阳在近日荣获UL Solutions授予的中国工业电源UL61010-1/UL61010-2-201安全认证证书及 IEC/UL 6
  • 关键字: 金升阳  AC/DC  电源模块  DC/DC  业接口通讯模块  IGBT  

东风首批自主碳化硅功率模块下线

  • 11月2日消息,据“智新科技”官微消息,近日,首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线,完成自主封装、测试以及应用老化试验。该碳化硅模块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术,使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板,热阻较传统工艺改善10%以上,工作温度可达175℃,损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上,整车续航里程提升5%-8%。据悉,智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台,项目于2021年进行前期先行开发,2022年12月正式立项为量产
  • 关键字: IGBT  碳化硅  东风  智新半导体  

IGBT/MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计

  • 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分;驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处(例如外部栅极电阻器上)损失的功率。在以下示例中,我们将讨论使用 Avago ACPL-332J(2.5nApeak 智能栅极驱动器)的 IGBT 栅极驱动器设计。本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦
  • 关键字: IGBT  MOSFET  

能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块

  • 随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求,高效率,高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。Nexperia(安世半导体)的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力,实现更高的电流密度和系统可靠性。自推出以来,绝缘栅双极晶体管(IGBT)由于其高电压、大电流、低损耗等优势特点,被广泛应用于马达驱动,光伏,UPS,储能,汽车 等领域。变频器变频器由于“节能降耗”等优势,广泛的使用在电机驱动的各个领域。让我们先来走进变频器,看看变频器的典型电路。“交—直—交”电路
  • 关键字: Nexperia  IGBT  

SiC MOSFET 器件特性知多少?

  • 对于高压开关电源应用,碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事,即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用,但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢,因此仅限用于较低的工作频率。因此,硅 MOSFET 更适合低压、高频操作,而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件,能够像 IGBT 一样进行高压
  • 关键字: SiC  MOSFET  IGBT  WBG  

充分利用IGBT的关键在于要知道何时、何地以及如何使用它们

  • 如今,碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体风头正盛。但在此之前,绝缘栅双极晶体管 (IGBT)才是电力电子行业的主角。本文将介绍IGBT在哪些应用中仍能发挥所长,然后快速探讨一下这些多用途器件的未来前景。焊接机许多现代化焊接机使用逆变器,而非焊接变压器,因为直流输出电流可以提高焊接工艺的控制精度。更多优势还包括直流电流比交流电流更安全,并且采用逆变器的焊接机具有更高的功率密度,因此重量更轻。图 1:焊接机框图焊接逆变器常用的开关拓扑结构包括全桥、半桥和双管正激,而恒定电流是最常用的控制方
  • 关键字: 安森美  IGBT  

英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

  • 英飞凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管,先进的发射器控制设计结合高速技术,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度。因此,该半导体器件适合用于各种应用,如组串式逆变器、储能系统(ESS)、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。 在分立式封装
  • 关键字: 英飞凌  650V  IGBT  

onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驱动IC 应用于工业马达控制器

  • 1.方案介绍:NCD57000 是一种具有内部电流隔离的高电流单通道驱动器,专为高功率应用的高系统效率和高可靠性而设计。其特性包括互补的输入端(IN+ 和 IN-)、漏极开路或故障侦测功能、有源米勒箝位功能、也配备了精确的 UVLO和DESAT保护能力(Programmable Delay) ,其中DESAT 时的软关断以及独立的高低驱动器输出(OUTH 和 OUTL)皆可用以方便系统设计及开发。       NCD57000 可在输入侧提供 5
  • 关键字: NCD57000  驱动器  IGBT  MOSFET  onsemi  马达控制  
共663条 1/45 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

绝缘栅双极型晶体管(igbt)介绍

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