功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新PVT412A微电子继电器 (MER) 系列。与早前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻断条件下的负载电流性能高出两倍，器件通态电阻低出1/4，因此更具效率且性能更加稳定。全新MER可取代机电式继电器，大大增加了操作寿命及可靠性，且体积更小、敏感度更高。它们不仅具有无弹跳 (无噪音) 切换功能，还能实现更低起动电流，以及高水平抗冲击与振动性能，有助降低功耗。IR中国及香港销售总监严国富
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IR 继电器
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 公布2003财年第四季度业绩，季内营业收益为2.284亿美元，不包括早前公布有关遣散及重组活动的开支，模拟净收入为1540万美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的净收入为1610万美元 (或每股 0.25美元)，营业收益则为2.01亿美元。计入共380万美元的遣散及重组开支后，IR第四季度的净收入为1320万美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的营业收益在预定指标上端，比上季度增加超过6%，比去年同
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IR
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 在其PlugNDrive集成功率模块系列中推出新成员IRAMX16UP60A，全面简化变速电子电机控制电路。 最新16A额定IRAMX16UP60A模块能为电子控制变速电机降低多达30%的能耗，并专为750W至1.2kW变速电机驱动应用而设计，如室内空调系统、商用冷藏柜及大容量洗衣机。 新功率模块属于IR iMOTION集成设计平台系列一部分，将一个三相逆变器功率平台、栅驱动器和辅助电路结合在小巧的高性能绝缘型封装
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IR 模块
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它们采用TO-220全绝缘型封装 (Full-Pak)，绝缘能力保证不低于2kV。新器件与IR新一代超快软恢复二极管组合封装，采用IR先进的薄硅片工艺制造。新工艺可增强电及热性能，有助降低传导损耗，却不增加开关损耗。全新IGBT是IR专为电机控制而设计的iMOTION集成设计平台系列的一部分。新器件的工作结温高达175°C，标准工作范围比同类产品高出20%。另外，它们
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IR 封装
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具备快速本体二极管特性，专为零电压开关 (ZVS) 电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率，并能提高功率输出，适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新L系列HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性，因此无需在ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管，减少了元件数目，节省了电路空间
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IR
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新PVT412A微电子继电器 (MER) 系列。与早先前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻断条件下的负载电流性能高出两倍，器件通态电阻低出1/4，因此更具效率且性能更加稳定。全新MER可取代机电式继电器，大大增加了操作寿命及可靠性，且体积更小、敏感度更高。它们不仅具有无弹跳 (无噪音) 切换功能，还能实现更低起动电流，以及高水平抗冲击与振动性能，有助降低功耗。IR中国及香港销售总监严国
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IR 继电器
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出高度灵活和可扩展的XPhase架构，适用于需要一个或更多相位的多相交错降压直流-直流转换器。首个Xphase芯片组配备了IR3081控制集成电路及IR3086相位集成电路，可提供超出CPU电压调节组件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解决方案，适用于服务器和高端台式电脑内最先进的微处理器。IR XPhase架构有别于其它只能驱动有限相位的多相方案，它提供可扩展的多相设计，满足先进CPU瞬息万
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IR
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，额定电流分50A、35A和20A三种。新器件的关断性能经特别改良，适用于电信和服务器系统中的大电流、高频开关电源电路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能价格比，提供理想的性能和效率。这些IGBT与 HEXFRED二极管组合封装，性能高于功率MOSFET中的集成体二极管。新器件采用TO-247及TO-220封装。IR中国及香港销售总监
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IR 模拟IC 电源
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET，额定电压达80V，可用作隔离式直流-直流转换器中的原边和付边MOSFET，专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边MOSFET时，IRF1312能用于高达60V最大输入电压，因此最适用于36V至60V及48V稳压输入母线隔离式直流-直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类75V MOSFET相比，其80V额定电压提供额外6% 的防护带，使设计更加坚固耐用。IR中国
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IR
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新MTP隔离式开关模块系列，它们以氮化铝陶瓷层进行绝缘，在结点与外壳间发挥更佳导热性能。该绝缘层的热传导性 (冷却能力) 比用于同类器件的氧化铝基板高出7倍之多。新模块系列的额定电压为600V和1200V，它们把高速IGBT和优化的二极管结合在同一封装内，有助节省空间和降低组装成本，可取代分立式解决方案。新器件专为大电流工业电源而设计，适用于高频弧焊机及不间断电源 (UPS)。IR中国及香港销售总监严国富先生
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IR 模块
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新产品IRF3000。它是一个300V、N沟道HEXFET功率MOSFET，用于取代多种电信及网络应用中的机电式继电器。新器件是一种固态半导体，无机械部分，故可提高整体系统可靠性，且体积比机电式继电器低30%之多。IRF3000比机电式继电器更具效率，导通电阻比机械继电器低90%以上，最大限度地减低了传导损耗。新器件的栅电荷极低，可最大程度减低开关损耗。IRF3000比继电器更易驱动，有助简化电路设计并降低整体
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IR 继电器
国际整流器公司 (International Rectifier)披露首个iNTERO可编程隔离式智能功率模块 (PI-IPM)，在单一封装内将功率平台整合到嵌入式驱动器板上，纳入一个可编程数字信号处理器。新器件型号为PIIPM50P12B004，额定值为1200V和50A，具备电流传感、隔离、栅驱动器及功率平台保护功能，可直接与电机驱动器主机及输入平台接口，方案内设有基本应用指令集及开发工具，效率高、坚固耐用，噪音低。该模块电流反馈环路频宽5kHz，提供平直的安全操作区，融合了IGBT技术，采用EMP封
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IR 模块
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出高效、低成本强化集成开关IRIS系列，将HEXFET功率MOSFET与控制集成电路结合在单一封装内，可简化电路设计，减少了印制电路板尺寸及25%的元件数目。与交流-直流开关电源的分立电路相比，效率相同，甚至更佳。
全新IRIS集成开关系列将一个低损耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET与一个双电压及电流控制集成电路结合在单一封装内，适用于通用输入及单输入60W至180W开关电源的反激变换技术。
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IR 模拟IC 电源
红外线载波输出(ir-carrier)介绍
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