- 搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？我们先来看IGBT开通时的典型波形：上图中，绿色的波形是GE电压，蓝色的波形是CE电压，红色的波形是集电极电流IC。在开通过程中，GE的电压从-10V开始上升，上升至阈值电压后，IGBT导通，开始流过电流，同时CE电压下降。CE电压下降过程中，门极电压不再上升，而是维持在一定的电压平台上，称为米勒平台。在这期间，CE电压完全降至0V。随后GE电压继续上
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英飞凌 米勒电容 米勒效应
- 本文主要分析了功率MOSFET的输出电容和米勒电容的定义以及他们非线性特性的表现形态，探讨了影响这二个电容的相关因素，阐述了耗尽层电荷浓度非线性变化以及耗尽层厚度增加输出电容和米勒电容的非线性特性的原因。
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功率MOSFET 输出电容 米勒电容 非线性
- 当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1)。
图1：下管IGBT因为寄生米勒电容而引起导通 寄生米勒电容引起的导通 在半桥拓扑中，当上管IGBT(S1)正在导通， 产生变化的电压dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E间。电流流经S
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米勒电容 IGBT
米勒电容介绍
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