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EEPW首页 >> 主题列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章

安森美半导体高能效方案赋能机器人创新,助力工业自动化升级

  • 工业自动化简单说来指从人力制造转向机器人制造,涉及信息物理系统(CPS)、物联网(IoT)/工业物联网(IIoT)、云计算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多种技术,可实现经济增长和利润最大化,提高生产效率,并避免人力在执行某些任务时的安全隐患。安森美半导体为工业自动化提供全面的高能效创新的半导体方案。其中,机器人半导体方案构建框图如图1所示。图1 工业自动化-机器人半导体方案构建框图电机控制设计人员可采用安森美半导体的无刷直流电机(BLDC)控制器实现BLDC电机控制,如高
  • 关键字: MOSFET  BLDC  IoT  IIoT  

功率半导体-马达变频器内的关键组件

  • 全球有约 30% 的发电量用于驱动工业应用中的马达,而全球工业产业消耗的能源量预期到 2040 年将成长一倍。随着对能源成本和资源有限的意识不断提高,未来提升驱动马达用电效率的需求将会越来越显著。
  • 关键字: IGBT7  SiC MOSFET  马达变频器  功率半导体  英飞凌  

以中国带动世界 意法半导体抢占新能源汽车制高点

  • 意法半导体(STMicroelectronics) 以“意法半导体,科技始之于你”为主题亮相2021年慕尼黑上海电子展,展示其行业领先的智能出行、电源和能源管理、物联网和5G产品及解决方案。 作为意法半导体重要的业务领域之一,此次展台的焦点是一辆智能电动轿跑小鹏P7,这款先进的新能源智能汽车的车辆控制单元(VCU)中采用意法半导体的先进的多功能芯片L9788,这是首个集成CAN FD收发器的U-chip解决方案,符合最高的功能性安全标准,产品竞争优势包括节省物料清单(BOM)成本、减少印刷电路板(PCB)
  • 关键字: 意法半导体  SiC  BMS  

功率器件和被动元件点亮第97届中国电子展,CEF下半年成都上海再相见

  • 2021年4月11日,为期三天的第97届中国电子展在深圳会展中心圆满落幕,展会与第九届中国电子信息博览会(CITE2021)同期举办,现场有超1500家参展商参展,共发布近万件新产品、新技术,全方位、多角度展示我国电子信息产业的最新发展成果。同时,博览会期间还举办了近100场同期活动,吸引了超过10万名专业观众到场参观,500余万观众线上观展。据主办方介绍,展会以“创新驱动 高质量发展”为主题,展览展示、论坛会议和现场活动三大板块联动,三位一体,亮点纷呈。亮点一展览:展示最新产品 9号馆——基础
  • 关键字: MOSFET  

碳化硅技术如何变革汽车车载充电

  • 日趋严格的CO2排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车(EV)的发展。这为车载充电器(OBC)带来在未来几年巨大的增长空间,根据最近的趋势,到2024年的复合年增长率(CAGR(TAM))估计将达到37.6%或更高。对于全球OBC模块正在设计中的汽车,提高系统能效或定义一种高度可靠的新拓扑结构已成为迫在眉睫的挑战。用于单相输入交流系统的简单功率因数校正(PFC)拓扑结构(图1)是个传统的单通道升压转换器。该方案包含一个用于输入交流整流的二极管全桥和一个PFC控制器,以增加负载的功率因数,从
  • 关键字: MOSFET  PFC  

Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装,10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。日前发布的汽车级M
  • 关键字: MOSFET  

72V 混合式 DC/DC 方案使中间总线转换器尺寸锐减 50%

  • 背景资讯大多数中间总线转换器 (IBC) 使用一个体积庞大的电源变压器来提供从输入至输出的隔离。另外,它们一般还需要一个用于输出滤波的电感器。此类转换器常用于数据通信、电信和医疗分布式电源架构。这些 IBC 可由众多供应商提供,而且通常可放置于业界标准的 1/16、1/8 和 1/4 砖占板面积之内。典型的 IBC 具有一个 48V 或 54V 的标称输入电压,并产生一个介于 5V 至 12V 之间的较低中间电压以及从几百 W 至几 kW 的输出功率级别。中间总线电压用作负载点稳压器的输入,将负责给 FP
  • 关键字: MOSFET  IBC  

意法半导体发布隔离式栅极驱动器,可安全控制碳化硅MOSFET

  • STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压,将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V,满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果电源电压低引起驱动电压太低,UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态,以免产生过多的耗散功率。这款驱动器有双两个输入引脚,让设计人员可以定义栅极驱动信号的极性。STGAP2SiCS在输入部分和栅极驱动输出之间设计6kV电气隔离,电隔离有助于确保消费电子和工业设备的用电安全。4A吸电流/拉电流驱动能力使其适用于高端家用电器、工业驱动装置、风扇、电磁炉、电焊机
  • 关键字: MOSFET  UVLO  

电机驱动系统:新一代功率解决方案提升能效和可靠性

  • 1   电机驱动系统的关键是可靠性和能效电机在现代生活中无处不在, 从气候控制、电器和商业制冷到汽车、工厂和基础设施。根据国际能源署 (International Energy Agency) 的数据,电机占全球总电力消耗的45%,因此电机驱动电子设备的可靠性和能效会对世界各地的舒适、便利和环境及各种应用产生影响。工业自动化和机器人是电机最重要的应用之一,随着传统机器人、协作机器人和自主移动机器人的采用,我们看到工厂和其他设施变得更加自动化。一种提高电机驱动系统能效的方法是,以基于三相
  • 关键字: MOSFET  IPM  

基于LCC拓扑的2相输入300W AC-DC LED电源

  • 近年来,谐振变换器的热度越来越高,被广泛用于计算机服务器、电信设备、灯具和消费电子等各种应用场景。谐振变换器可以很容易地实现高能效,其固有的较宽的软开关范围很容易实现高频开关,这是一个关键的吸引人的特性。本文着重介绍一个以半桥LCC谐振变换数字控制和同步整流为特性的300W电源。图1所示的STEVAL-LLL009V1是一个数控300W电源。原边组件包括PFC级和DC-DC功率级(半桥LCC谐振变换器),副边组件包括同步整流电路和STM32F334微控制器,其中STM32F334微控制器对DC-DC功率级
  • 关键字: MOSFET  IC  

开关模式电源电流检测

  • 开关模式电源有三种常用电流检测方法是:使用检测电阻,使用MOSFET RDS(ON),以及使用电感的直流电阻(DCR)。每种方法都有优点和缺点,选择检测方法时应予以考虑。检测电阻电流作为电流检测元件的检测电阻,产生的检测误差最低(通常在1%和5%之间),温度系数也非常低,约为100 ppm/°C (0.01%)。在性能方面,它提供精度最高的电源,有助于实现极为精确的电源限流功能,并且在多个电源并联时,还有利于实现精密均流。图1.RSENSE电流检测另一方面,因为电源设计中增加了电流检测电阻,所以电阻也会产
  • 关键字: MOSFET  DCR  

东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。为达到175℃的通道温度,该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV(智能柔性封装低电压)封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。◆   应用●   用于轨道车辆的逆变器和转换
  • 关键字: MOSFET  

开关模式电源电流检测——第二部分

  • 电流检测电阻的位置连同开关稳压器架构决定了要检测的电流。检测的电流包括峰值电感电流、谷值电感电流(连续导通模式下电感电流的最小值)和平均输出电流。检测电阻的位置会影响功率损耗、噪声计算以及检测电阻监控电路看到的共模电压。放置在降压调节器高端对于降压调节器,电流检测电阻有多个位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时(如图1所示),它会在顶部MOSFET导通时检测峰值电感电流,从而可用于峰值电流模式控制电源。但是,当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时,它不测量电感电流。图1 带高端RSENSE
  • 关键字: MOSFET  

Nexperia扩展LFPAK56D MOSFET产品系列,推出符合AEC-Q101标准的半桥封装产品

  • 关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥(高端和低端)汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用(包括电机驱动器和DC/DC转换器)的标准构建模块。这种新封装提供了一种单器件半桥解决方案。与用于三相电机控制拓扑的双通道MOSFET相比,由于去掉了PCB线路,其占用的PCB面积减少了30%,同时支持在生产过程中进行简单的自动光学检测(AOI)。LFPAK56D半桥产品采用现有的大批量LFPAK56D封装工艺,并具有成熟的汽车级
  • 关键字: Nexperia  MOSFET  AEC-Q101  

采用 23mm x 16.5mm 封装的 170W 倍压器

  • 设计要点 DN571 - 引言对于高电压输入/输出应用,无电感型开关电容器转换器 (充电泵) 相比基于电感器的传统降压或升压拓扑可显著地改善效率和缩减解决方案尺寸。通过采用充电泵取代电感器,一个 “跨接电容器” 可用于存储能量和把能量从输入传递至输出。电容器的能量密度远高于电感器,因而采用充电泵可使功率密度提高 10 倍。但是,由于在启动、保护、栅极驱动和稳压方面面临挑战,所以充电泵传统上一直局限于低功率应用。ADI公司的LTC7820 克服了这些问题,可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案
  • 关键字: MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介绍

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