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EEPW首页 >> 主题列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章

减慢开关转换时要谨慎

  • 开关调节器中的快速开关瞬变是有利的,因为这显著降低了开关模式电源中的开关损耗。尤其是在高开关频率时,可以大幅提高开关调节器的效率。但是,快速开关转换也会带来一些负面影响。开关转换频率在20 MHz和200 MHz之间时,干扰会急剧增加。这就使得开关模式电源开发人员必须在高频率范围内,在高效率和低干扰之间找到良好的折衷方案。此外,ADI公司提出了创新的Silent Switcher®技术,即使是极快的开关边沿,也可能产生最小电磁辐射。图1.对开关模式电源进行开关转换,在开关节点处施加输入电压。图1显示了快速
  • 关键字: 开关  MOSFET  

ST进军工业市场,打造丰富多彩的工业乐园

  • 近日,意法半导体(ST)在华举办了“ST工业巡演2019”。在北京站,ST亚太区功率分立和模拟产品器件部区域营销和应用副总裁Francesco Muggeri分析了工业市场的特点,并介绍了ST的产品线宽泛且通用性强,能够提供完整系统的支持。1 芯片厂商如何应对工业市场少量多样的挑战工业领域呈现多样、少量的特点,需要改变消费类电子大规模生产的模式,实现少量、高质量的生产。具体地,工业的一大挑战是应用的多样化,即一个大应用下面通常有很多小的子应用,所以产品会非标准化,即一个产品只能针对某一类小应用/小客户的需
  • 关键字: 电机  MCU  电源  SiC  

ROHM开发出4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304
  • 关键字: SiC  MOSFET  

中欧“大咖”齐聚深圳,共话第三代半导体发展

  • 最近,由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导,青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办,深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会,围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流,加速第三代半导体材料国产化替代进程,助力国产半导体开辟一片新天地。深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论
  • 关键字: 碳化硅  二极管  MOSFET  

Diodes公司推出微型车用 MOSFET,可提供更高的功率密度

  • Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出额定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及额定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ,两者均为符合车用规范的 MOSFET,采用 DFN2020 封装。这两款微型 MOSFET 仅占较大封装 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 区域,可在直流对直流 (DC-DC) 转换器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎盖下」的汽车应用之中,提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 标
  • 关键字: MOSFET  汽车  

更高效的半导体材料——碳化硅

  • 在功率电子学中,半导体基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率会高得多。巴塞尔大学的物理学家,Paul Scherrer研究所和ABB在科学期刊“应用物理快报”中解释了阻止硅和碳结合使用的原因。能源消耗在全球范围内不断增长,风能和太阳能等可持续能源供应变得越来越重要。然而,电力通常远离消费者产生。因此,高效的配电和运输系统与将产生的直流电转换成交流电的变电站和电力转换器同样重要。节省大笔开支现代电力电子设备必须能够处理大电流和高电压。目前用于场效应晶体管的半导体材料制成的晶体管现在主要基于硅技术。然而,在硅上使
  • 关键字: 碳化硅  

科锐宣布与德尔福科技开展汽车SiC器件合作

  • 近日,科锐宣布与德尔福科技(Delphi Technologies PLC)开展汽车碳化硅(SiC)器件合作。
  • 关键字: 科锐  德尔福科技  SiC  

安森美为20岁庆生,“高能效电子创新”显示旺盛活力

  • 1999年从摩托罗拉半导体部剥离时,安森美只是一家年营业额12亿美元的标准半导体供应商,2018年已达到年营收近60亿美元,转型成为领先的高能效创新的半导体方案供应商。过去的20年,是半导体技术飞跃发展的20年,也是并购重组频繁的20年,很多中小公司在并购浪潮中淹没了,而安森美却逐渐壮大,形成了自己的特色和稳定的市场。安森美的成功经验是什么?如今的特色和对未来的观察是什么?近日,安森美半导体战略、营销及方案工程高级副总裁David Somo和中国区销售副总裁谢鸿裕接受了电子产品世界等媒体的采访。1 靠创新
  • 关键字: 汽车  传感器  碳化硅  云电源  

SiC: 为何被称为是新一代功率半导体?

  •   王 莹 (《电子产品世界》编辑,北京 100036)  SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。据SiC厂商罗姆基于IHS的调查显示,2025年整个市场规模将达到约23亿美元。在应用中,在光伏和服务器市场最大,正处于发展中的市场是xEV(电动与混动汽车)。随着SiC产品特性越做越好,在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。  不过,制约SiC发展的关键是价格,主要原因有两个:衬底和晶圆尺寸。例如晶圆尺寸越大,成本也会相应地下降,罗姆等公司已经有6英
  • 关键字: 201909  新一代功率半导体  SiC  

华为出手第三代半导体材料 性能实现千倍提升

  • 华为出资7亿元全资控股,刚刚于今年4月23日成立的哈勃科技投资有限公司近日出手,投资了山东天岳先进材料科技有限公司,持股达10%。山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。
  • 关键字: 华为  半导体  碳化硅  

针对高耐用性和可靠性电源需求,意法半导体推出市场上击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器

  • 中国,2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压,无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件,即可实现类似的电压处理能力,可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能,MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑,包括原边或副
  • 关键字: 电源  意法半导体  击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器  

SiC将达23亿美元规模,技术精进是主攻方向

  •       SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。在应用中,在光伏和服务器市场最大,正处于发展中的市场是xEV(电动与混动汽车)。随着SiC产品特性越做越好,在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。      不过,制约SiC发展的,最主要的是价格,主要原因有两个,一个是衬底,一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大,成本也会相应地下降,ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面,众厂商竞争
  • 关键字: SiC  MOSFET  

CISSOID发布最新工业和汽车级碳化硅功率模块高温栅极驱动器创新成果

  • 中国北京,2019年7月16日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布,公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上,发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文,并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。当今,碳化硅(SiC)在汽车制造商的大力追捧下方兴未艾,碳化硅技术可以提供更高的能效和增加功率密度;在工业应用方面,越来越多的人则
  • 关键字: CISSOID  碳化硅  功率模块  高温栅极驱动器  

华为强力扫货 手机、服务器用MOSFET急单声声催

  • 中美贸易战战火延烧,华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货,熟悉功率元件业者透露,除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外,疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFET)。
  • 关键字: 华为  MOSFET  中美贸易战  

Cree将投资10亿美元,扩大SiC(碳化硅)产能

  • 此次产能扩大,将带来SiC(碳化硅)晶圆制造产能的30倍增长和SiC(碳化硅)材料生产的30倍增长,以满足2024年之前的预期市场增长 5年的投资,充分利用现有的建筑设施North Fab,并整新200mm设备,建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂 投资:4.5亿美元用于North Fab;4.5亿美元用于材料超级工厂(mega factory);1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入
  • 关键字: 碳化硅  碳化硅基氮化镓  工厂  
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碳化硅(sic)mosfet介绍

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