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碳化硅(sic)mosfet 文章 进入碳化硅(sic)mosfet技术社区

从硅到碳化硅,更高能效是功率器件始终的追求

  • 随着新能源汽车和电动飞机概念的兴起,在可预见的未来里,电能都将会是人类社会发展的主要能源。然而,随着电气化在各行各业的渗透率不断提升,每年全社会对电能的消耗量都是一个天文数字。比如在中国,根据国家能源局发布的数据,2022年全社会用电量86,372亿千瓦时,同比增长3.6%;其中,高速发展的新能源汽车在整车制造方面,用电量大幅增长71.1%。图1:全社会用电量统计(图源:贸泽电子)各行业电气化进程逐渐深入后,我们也必须要考虑到一个严峻的问题,那就是节能。当前,任何一种用电设备在设计之初,都会将高能效和低能
  • 关键字: Mouser  碳化硅  功率器件  

100W MOSFET功率放大器电路

  • 我们设计了一个使用 MOSFET 的功率放大电路,可产生 100W 的输出功率,驱动约 8 欧姆的负载。 所设计的功率放大电路具有效率高、交叉失真和总谐波失真的优点。工作原理:该电路采用多级功率放大原理,包括前置放大器、驱动器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器,驱动级是带有电流镜负载的差分放大器,功率放大采用 MOSFET AB 类工作方式。与 BJT 相比,MOSFET 具有驱动电路简单、热稳定性较低、输入阻抗高等优点。前置放大器由两级差分放大器电路组成,用于产生无噪声放大信号
  • 关键字: 功率放大器  MOSFET  

自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试

  • _____减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资,特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告,到 2050 年,几乎所有道路运输都将实现电气化,预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的,包括比硅器件更快
  • 关键字: 宽禁带  SiC  GaN  双脉冲测试  

碳化硅芯片是否即将主宰市场?阿斯麦脸色不再重要!

  • 在科技领域中,碳化硅芯片正如一颗闪耀的明星,逐渐崭露头角。随着移动互联网、人工智能和物联网等领域的迅速发展,芯片技术也不断突破创新。而在这股技术浪潮中,碳化硅芯片凭借其独特的优势正愈发引起人们的瞩目。伴随着阿斯麦这位传统芯片巨头的重磅投资,人们开始纷纷关注,碳化硅芯片是否即将主宰市场?更高的温度耐受性碳化硅芯片,作为一种新兴的半导体材料,因其出色的性能和优异的耐受性而备受关注。其中,其更高的温度耐受性是其最大的优势之一。碳化硅芯片的高温耐受性是由其特殊的晶格结构决定的。碳化硅是由碳原子和硅原子组成的晶体,
  • 关键字: 碳化硅芯片  SiC  阿斯麦  

东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多为1200V或1700V产品。然而,预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用,因此东芝发布了业界首款
  • 关键字: 东芝  2200V  双碳化硅  SiC  MOSFET模块  

大功率、高性能汽车类 SiC 牵引逆变器参考设计

  • TIDM-02014 是一款由德州仪器 (TI) 和 Wolfspeed 开发的基于 SiC 的 800V、300kW 牵引逆变器系统参考设计,该参考设计为 OEM 和设计工程师创建高性能、高效率的牵引逆变器系统并更快地将其推向市场提供了基础。该解决方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牵引逆变器系统技术(包括用于驱动 Wolfspeed SiC 电源模块、具有实时可变栅极驱动强度的高性能隔离式栅极驱动器)如何通过降低电压过冲来提高系统效率。隔离式栅极驱动器与 TI 的隔离式辅助电源解决方案配合使用
  • 关键字: SiC  牵引逆变器  

碳化硅下游市场需求旺盛 企业纷纷扩张产能加速出货

  • 随着碳化硅(SiC)在电动汽车、新能源等领域的应用日益广泛,市场需求不断增长。近期,一批碳化硅项目集中开工,部分公司接到批量订单,推动了碳化硅加速量产。传播星球App联合创始人由曦向《证券日报》记者介绍,碳化硅的应用场景主要包括电动汽车、光伏发电、充电桩、电力电子等领域。近年来,我国在碳化硅领域的研究和应用取得快速发展,一些项目已经落地实施。例如,在新能源汽车的高压充电技术方面,碳化硅作为其中的关键材料,其需求正日益增长。“碳化硅作为一种优良的半导体材料,具有耐高压、导热好、耐高温等优点,是实现高压快充技
  • 关键字: 碳化硅  新能源  

适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案

  • 随着设备变得越来越小,电源也需要跟上步伐。因此,当今的设计人员有一个优先目标:化单位体积的功率(W/mm 3)。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性,并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作,但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗,同时限度地延长系统正常运行时间。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱
  • 关键字: SiC  

碳化硅热度,只增不减

  • 在半导体行业的下行周期中,也并非一片低迷之声,碳化硅就是萎靡之势中的一个反例。随着电动汽车功率半导体价值量的提升,以碳化硅为代表的第三代半导体正在逆势而上。需求殷切令各路厂商竞相投资扩大产能,并且在未来的五年里,它的热度只会增不会减。这一趋势在最近两年碳化硅行业的投资并购动作中也可窥见一二。国内上半年融资创三年之最2021 年有多家碳化硅企业获得了投资机构的青睐,相继宣布完成融资,行业内也随之激起一番融资浪潮。2021 年全年投融资及并购金额达到 21.32 亿元,数量达到 15 起。2022 年也是碳化
  • 关键字: 碳化硅  

高性能 SiC MOSFET 技术装置设计理念

  • 合适的设备概念应允许一定的设计自由度,以便适应各种任务概况的需求,而无需对处理和布局进行重大改变。然而,关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻,与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数,还可以添加更多参数。合适的设备概念应允许一定的设计自由度,以便适应各种任务概况的需求,而无需对处理和布局进行重大改变。然而,关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻,与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数,还可以添加更多参数。图 1:必须与 SiC MOSF
  • 关键字: MOSFET  

全球SiC争霸赛,谁在豪掷千金?

  • “能够优先掌握SiC这种领先技术的国家,将能够改变游戏规则,拥有SiC将对美国具有深远的影响。” Alan Mantooth 接受媒体采访时坦言道。2021年10月,由Alan Mantooth 领导的工程研究人员从美国国家科学基金(NSF)获得了1787万美元的资助,用于在阿肯色大学开始建设一个国家级SiC研究和制造中心。该SiC研究与制造中心一方面为美国学生提供SiC相关技术的培训和教育,以达到鼓励美国新一代在该领域发展的目的,此外其部署的SiC晶圆生产线,能够让美国大学,企业以及政府研究人员进行长期
  • 关键字: SiC  MOSFET  功率损耗  碳中和  

意法半导体是怎样炼成巨头的?擅长联合,布局多重应用,投资未来

  • 欧洲是世界半导体的重要一极,ST(意法半导体)、英飞凌、恩智浦(NXP)被称为欧洲半导体的三驾马车,也是全球知名的半导体巨头。ST的特点是不像欧洲其他两家巨头——英飞凌和恩智浦出身名门1、自带一定的应用市场,ST要靠自己找市场、摸爬滚打,以解决生存和发展问题。据市场研究机构Garnter数据,ST 2022年营收158.4亿美元,年增长率为25.6%,是欧洲最大、世界第11大半导体公司。大浪淘沙、洗牌无数的半导体行业,ST是如何显露出真金本色,成为欧洲乃至世界半导体巨头的?又是如何布局未来的?表1 202
  • 关键字: 意法半导体  MCU  SiC  

英飞凌高压超结MOSFET系列产品新增工业级和车规级器件

  • 【2023年7月27日,德国慕尼黑讯】在静态开关应用中,电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计,同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结(SJ)MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源(SMPS)、太阳能系统、电池保护、固态继电器(SSR)、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器(PLC)、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器
  • 关键字: 英飞凌  高压超结  MOSFET  

如何优化SiC MOSFET的栅极驱动?这款IC方案推荐给您

  • 在高压开关电源应用中,相较传统的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频(数百千赫兹)开关,但它们不能用于非常高的电压(>1000 V)。而IGBT虽然可以在高压下使用,但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美,可实现在高压下的高频开关。然而,SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后,设计人员就可以选择能够提高器件可靠性
  • 关键字: 安森美  MOSFET  

ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积!

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1,开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年来,为了实现可持续发展的社会,对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求,GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而,与Si MOSFET相
  • 关键字: ROHM  AC适配器  GaN HEMT  Si MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介绍

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