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碳化硅(sic)mosfet 文章 进入碳化硅(sic)mosfet技术社区

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

  • 英飞凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14 mm,电气间隙为5
  • 关键字: 英飞凌  CoolSiC  MOSFET  

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统

  • 英飞凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%,不仅提升了整体能效,更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势,通过降低能量损耗来提高功率转换过程
  • 关键字: 英飞凌  碳化硅  CoolSiC  MOSFET  

纳芯微推出基于创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC: NCA1462-Q1

  • 纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC(信号改善功能,Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。相比当前主流的CAN FD车载通信方案,NCA1462-Q1在满足ISO 11898-2:2016标准的前提下,进一步兼容CiA 601-4标准,可实现≥8Mbps的传输速率。凭借纳芯微专利的振铃抑制功能,即使在星型网络多节点连接的情况下,NCA1462-Q1仍具有良好的信号质量;此外,超高的EMC表现,更加灵活、低至1.8V的VIO可有效助力工
  • 关键字: 纳芯微  振铃抑制  CAN SIC  

晶盛机电披露碳化硅进展

  • 近日,晶盛机电在接受机构调研时表示,目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售,6英寸碳化硅外延设备实现批量销售且订单量快速增长,成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备,实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸,开发出了应用于8-12英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD设备、ALD设备等。晶盛机电自2017年开始碳化硅产业布局,聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺,量产晶片的核心位错达到
  • 关键字: 半导体设备  晶盛机电  碳化硅  

​MOSFET共源放大器的频率响应

  • 在本文中,我们通过研究MOSFET共源放大器的s域传递函数来了解其频率响应。之前,我们了解了MOSFET共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共用源(CS)放大器在较高频率下的功能,我们需要更详细地研究其频率响应。在本文中,我们将在考虑MOSFET寄生电容的情况下导出CS放大器的全传递函数。然而,在我们这么做之前,让我们花点时间回顾频域中更为普遍的传递函数(TF)分析。s域传输函数TF是表示如何由线性系统操纵输入信号(x)以产生输出信号(y)的方程式。其形式为:&n
  • 关键字: MOSFET  共源放大器  

基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计为先进电机应用铺平了道路

  • 先进电机应用(如高转速、高频、高功率密度、高温等)需要相匹配的逆变器支持,但业界一直为其开发难度所困扰。全球领先的高温半导体解决方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅(SiC)功率器件的完整逆变器参考设计很好地解决了这一问题。该参考设计整合了CISSOID 公司的SiC高压功率模块和相匹配的集成化栅极驱动器,Silicon Mobility公司的控制板和软件,超低寄生电感的直流母线电容和EMI滤波器,直流和相电流传感器等其它附件。由此为先进电机应用提供了一个已全面集成的完整“傻瓜型”逆变器开发平
  • 关键字: SiC  逆变器  电机  CISSOID  Silicon Mobility  

轻松了解功率MOSFET的雪崩效应

  • 在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。根据电路条件不同,在雪崩、MOSFET漏极或源极中,电流范围可从微安到数百安。  额定击穿电压,也可称之为“BV”,通常是在给定温度范围(通常是整个工作结温范围)内定义的MOSFET器件的最小阻断电压(例如30V)。数据表中的BVdss值是在低雪崩电流(通常为
  • 关键字: MOSFET  雪崩  电流  

Qorvo推出紧凑型E1B封装的1200V SiC模块

  • 中国 北京,2024 年 2 月 29 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示:“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET,从而简化
  • 关键字: Qorvo  1200V  SiC模块  SiC  

Nexperia在APEC 2024上发布拓宽分立式FET解决方案系列

  • 奈梅亨,2024年2月29日:Nexperia再次在APEC上展示产品创新,今天宣布发布几款新型MOSFET,以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围,可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET),采用DFN2020封装,体积缩小60%,以及改进了电磁兼容性(EMC)的40  V NextPowerS3 MOSFETPoE交换机通常有多达48个端口,每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96
  • 关键字: Nexperia  APEC 2024  拓宽分立式FET  MOSFET  

MOSFET共源放大器介绍

  • 在本文中,我们介绍了具有不同负载类型的MOSFET共源放大器的基本行为。模拟电路随处可见,放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。在本文中,我们将讨论共用源极(CS)放大器,它使用栅极作为其输入端子,使用漏极作为其输出。在交流信号方面,源端子对于输入和输出都是公共的,因此得名为共源。图1显示了具有理想电流源的CS放大器。具有理想电流源负载的共源放大器。&nb
  • 关键字: MOSFET  共源放大器  

​MOSFET共源放大器介绍

  • 在本文中,我们介绍了具有不同负载类型的MOSFET共源放大器的基本行为。模拟电路随处可见,放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。在本文中,我们将讨论共用源极(CS)放大器,它使用栅极作为其输入端子,使用漏极作为其输出。在交流信号方面,源端子对于输入和输出都是公共的,因此得名为共源。图1显示了具有理想电流源的CS放大器。具有理想电流源负载的共源放大器。&nb
  • 关键字: MOSFET  共源放大器  

内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC,助推工厂智能化

  • 本文的关键要点各行各业的工厂都在扩大生产线的智能化程度,在生产线上的装置和设备旁边导入先进信息通信设备的工厂越来越多。要将高压工业电源线的电力转换为信息通信设备用的电力,需要辅助设备用的高效率电源,而采用内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC可以轻松构建这种高效率的辅助电源。各行各业加速推进生产线的智能化如今,从汽车、半导体到食品、药品和化妆品等众多行业的工厂,既需要进一步提升生产效率和产品品质,还需要推进无碳生产(降低功耗和减少温室气体排放)。在以往的制造业中,提高工厂的生产效率和
  • 关键字: 电力转换  SiC  MOSFET  

疯狂的碳化硅,国内狂追!

  • 近几日,英飞凌在碳化硅合作与汽车半导体方面合作动态频频,再度引起业界对碳化硅材料关注。1月23日,英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延伸现有的长期150mm碳化硅晶圆供应协议(原先的协议签定于2018年2月)。延伸后的合作将包括一个多年期产能预留协议。这将有助于保证英飞凌整个供应链的稳定,同时满足汽车、太阳能、电动汽车充电应用、储能系统等领域对于碳化硅半导体不断增长的需求。据英飞凌科技首席执行官 JochenHanebeck 消息,为了满足不断增长的碳化硅器件需求,英飞凌正在落实一项多供应商战略,从而在
  • 关键字: 碳化硅  英飞凌  晶圆  

安森美碳化硅技术专家“把脉”汽车产业2024年新风向

  • 回首2023年,尽管全球供应链面临多重挑战,但我们看到了不少闪光点,比如AIGC的热潮、汽车电子的火爆,以及物联网的小跑落地……今天,安森美(onsemi)碳化硅技术专家牛嘉浩先生为大家带来了他对过去一年的经验总结和对新一年的展望期盼。汽车产业链中的困难与挑战在过去一年中,汽车芯片短缺、全球供应链的复杂性和不确定性及市场需求的变化,可能是汽车产业链最为棘手的难题,汽车制造商需要不断调整生产和采购策略以应对潜在的风险和瓶颈。随着更多传统车企和新兴造车势力进入新能源汽车市场,竞争压力加大,汽车制造商需要不断提
  • 关键字: 智能电源  智能感知  汽车领域  SiC  

2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

  • CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术,CoolSiC™技术的输出电流能力强,可靠性提高。产品型号:▪️ IMYH200R012M1H▪️ IMYH200R024M1H▪️ IMYH200R050M1H▪️ IMYH200R075M1H▪️ IMYH200R0100M1H产品特点■ VDSS=2000V,可用于最高母线电压为1500VDC系统■ 开关损
  • 关键字: MOSFET  CoolSiC  Infineon  
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碳化硅(sic)mosfet介绍

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