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硅化物阻挡层(sab) 文章

带有硅化物阻挡层的可控硅器件对维持电压的影响*

  • 基于0.18 μm双极CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究并实现了一种阳极和阴极两侧均加入硅化物阻挡层(SAB)的可控硅(SCR)器件,可用于高压静电放电保护(ESD)。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了SAB层对可控硅性能的影响。测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过增加SAB层,器件的维持电压(Vh)可以从3.03 V提高到15.03 V。与传统SCR器件相比,带有SAB层的SCR器件(SCR_SAB)具有更高的维持电压。
  • 关键字: 可控硅(SCR)  硅化物阻挡层(SAB)  仿真  传输线脉冲测试系统(TLP)  维持电压(Vh)  202109  
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硅化物阻挡层(sab)介绍

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