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EEPW首页 >> 主题列表 >> 电容

电容 文章 进入电容技术社区

投射式电容触摸屏

  • iPhone以及Prada等较新较高端的触摸屏手机所采用的技术。电容式触控屏利用人体的电流感应进行工作。电容式触控屏是一块四层复合玻璃屏,玻璃屏的内表面和夹层各涂有一层ITO(镀膜导电玻璃),最外层是一薄层矽土玻璃
  • 关键字: 触摸屏  电容  投射  

电容式电阻式触摸屏为主流

  • 依照感应方式的不同,触摸屏大致可以分为电阻式、电容式、红外线式、超音波式四类。其中电阻式与电容式目前的市场前景最被看好,其他技术短期内恐很难赶上。

    就技术原理来看,电阻式触摸屏只能算是一
  • 关键字: 为主  触摸屏  电阻  电容  

高性能音频放大器的设计准则与技巧

  • 随着高阶的音讯系统的市场发展,专业级的放大器要求有更大的输出功率、更高的线性度和更高的稳定性。美国国家半导体音讯驱动可为工程师们带来更有价值的设计,使他们可创造出更多高性能和高度稳定的音讯放大器系统。
  • 关键字: 放大器  音频  准则  技巧  设计  高性能  电容  电阻  

TDK当选 “2008中国电容器行业十大知名品牌”

  •                 图一 TDK当选 “2008中国电容器行业十大知名品牌”   2008年11月8日,由国内首家资讯上市公司慧聪网主办的“2008中国电容器行业十大品 牌与风云人物评选颁奖盛典暨电容行业发展高峰论坛”,在钓鱼台国宾馆芳菲厅隆重举 行。TDK中国凭借着雄厚的技术实力、强大的品牌影响力以及在中国市场作出的巨大贡 献,被评为“2008中国电容器行业十大知名品牌”。TDK中国上海技术经理三浦诚代表 T
  • 关键字: TDK  电容  知名品牌  

多种技术并存 触摸屏产业百家争鸣

  •      多种触摸屏技术各有千秋       ·目前市场主流的触摸屏解决方案有电阻式和电容式两种,其他诸如红外式触摸屏、表面声波式触摸屏相对采用得较少。        ·不同的应用对触摸屏的需求不一样,对于PND用户,美观、新颖、高精度是首选,对于车载应用,亮度、反馈等是用户考虑的主要因素。
  • 关键字: 触摸屏  电阻式  电容  解码技术  ITO  

金融危机影响电子元器件市场

  •   由于全球金融市场的大动荡,市场上几乎没有什么好消息,而要确定这次金融动荡对元器件市场的影响则更加困难。消费者的信心己经降到历史低点,由于消费市场占了元器件市场的70%以上,预计年底的假日消费市场将会十分低迷,并最终导致电子元器件需求下降。通常,元器件市场是买方市场,对部分产品而言,买方一直占据着主导的位置。但是,由于原材料和能源价格的上涨,供货商们面临着成本上升,因此,电子元器件的价格也不会自动地下降。   尽管如此,元器件市场仍然有一线曙光:供货商们对库存的管理十分严格,因此,库存会持续地下
  • 关键字: 晶体管  元器件  模拟器件  放大器  电容   

茂达电子推出低压降线性降压转换器APL5601/5602

  •      APL5601/2是低压降(low dropout)的线性降压转换器,其输入电压可操作在2.9V至6V电压范围之间,且输出电流可高达600mA﹔一般来说当输出电流为600mA时,压降为220mV。APL5601/2所需的静态电流仅需140μA,非常适合电池系统上的应用。APL5601/2的输出电容仅需2.2μF,即可保持系统稳定。APL5601/2内建过电流保护(current limit) ,短路电流保护(short circuit curr
  • 关键字: 电容  电压  APL5601/2    

电容漏泄的测量

  •   电容器是几乎所有电气设备上都会用到的主要器件。漏阻是电容器被测试的众多电气特征中的一个。漏阻通常被称为“IR”(Insulation Resistance,绝缘电阻),以“兆欧-微法”表示。在其它情况下,漏泄可能被表示为特定电压(通常为工作电压)下的漏泄电流。   电容器的漏泄是通过向电容施加一个固定电压,并测量产生的电流测得的。漏流将随时间呈指数衰减,因此在测量电流之前,施加电压必须达到一个已知的时间周期(保压时间)。   出于统计目的,必须测试一
  • 关键字: 电容  

安森美半导体推出下一代高速电信设备用浪涌保护器件系列

  •   2008年10月10日 – 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出新的低电容晶闸管浪涌保护器件(TSPD)系列,专为保护下一代高速电信设备而设计。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力,同时维持低电容和低泄漏,是先进电信产品的极佳组合。   NP0080、NP0120和NP0160低电容、低泄漏TSPD器件采用节省空间的TSOP-5封装,保护数字用户线路(DSL)芯片组和线路驱动器。虽然在正常电路工
  • 关键字: 电信设备  安森美半导体  电容  

Vishay 推出高性能、超小型4 线ESD保护阵列

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 线 ESD 保护阵列 --- VBUS054CV-HS3,该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容,以保护两个高速 USB 端口或四个其它高频信号线,以免它们受到瞬态电压信号的损坏。   VBUS054CV-HS3 采用占位面积为 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的无铅 LLP75 封装,可将众多便携式电子设备中的有源 ESD 保护所需的板面空间缩减至最小,这些系统包括便携式与手持式计算、通
  • 关键字: Vishay  ESD  保护阵列  电容  

村田:不断创新迎来更大发展空间

  •   产品的革新。从1944年创立于日本京都的一家普通陶瓷作坊到如今执全球电容、滤波器、传感器牛耳的大公司,村田一直立足陶瓷材料,不断创新,村田1944年开发的钛酸钡陶瓷仍就是现今世界上仍然沿用的两大电子材料之一,村田一直引领着MLCC的发展,如今,村田又发现原钛酸钡可以吸收CO2,这将为全球解决环境污染问题作出重要贡献。未来,村田研发的重点是哪些?村田如何和中国电子产业一起比翼齐飞?电容产品的未来发展如何?在深圳市创意时代会展有限公司策划的“高交会电子展ELEXCON2008-行业领袖话中国&
  • 关键字: 村田  传感器  汽车电子  电容  MLCC  GPS  电子工业  

电压不足期间支持电信电源的小电容

  •   本设计实例介绍如何在短暂电压不足期间使电信设备保持正常工作。首先必须了解电信设备专用电源的几个细节。向电信设备馈电的电源的共模电压为-48V,尽管实际电压范围可能是-42.5V ~ -56V、-40V ~ -60V,甚至超出这些范围。公共电源——“砖块”DC/DC转换器工作于-36V ~ -75V范围。当-48V源降至0V并持续10ms时,就会出现电压不足。   利用连至“砖块”输入端的电容存储装置,是一条克服此问题的路径,但当
  • 关键字: 转换器  电容  存储  DC/DC  电源  

高隔离度X波段RF MEMS电容式并联开关

  •   0 引 言   RF MEMS开关在隔离度、插入损耗、功耗以及线性度等方面,具有比FET或pin二极管传统微波固态开关无法比拟的优势,从而获得了广泛的关注,并显示出在微波应用领域的巨大潜力。自1979年K.E.Petersen第一次报道RF MEMS开关的应用以来,业界已研制出很多不同结构的RF MEMS开关。无论是在隔离度还是在插入损耗上,RFMEMS电容式并联开关在Ka到W波段都表现出了良好的性能。但是,RF MEMS电容式开关在低频段的较低隔离度限制了其在X波段的应用。为克服以上不足,J.B.
  • 关键字: MEMS  RF  电容  开关  

太阳诱电:无惧行业风云变幻,关注电容独领风骚

  •   我认为随着终端产品性能的不断提高会加大电容等无源器件的需求,今后的市场中还是以手机和PC为中心的产品发展。在此之外有可能推动电容产品的市场需求量的应用设备是PDP/液晶电视等超薄电视产品,特别是大屏幕液晶电视等产品中每台设备会使用到2000颗以上的陶瓷电容,这么大的用量将可以与手机的用量市场相匹敌。(一台手机中通常会用到200颗MLCC产品)另外,用于手机中的模块产品也将进一步的实现小型化,目前的趋势是由1005→0603→0402(mm)变化。面对这样的市场动态,我们在不断推动产
  • 关键字: 电容  手机  液晶电视  TDK  蓝牙  LAN  

电压不足期间支持电信电源的小电容

  •   本设计实例介绍如何在短暂电压不足期间使电信设备保持正常工作。首先必须了解电信设备专用电源的几个细节。向电信设备馈电的电源的共模电压为-48V,尽管实际电压范围可能是-42.5V ~ -56V、-40V ~ -60V,甚至超出这些范围。公共电源——“砖块”DC/DC转换器工作于-36V ~ -75V范围。当-48V源降至0V并持续10ms时,就会出现电压不足。   利用连至“砖块”输入端的电容存储装置,是一条克服此问题的?径,但当
  • 关键字: 电源  转换器  DC/DC  电容  
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电容介绍

电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量,叫做电容器的电容。 电容的符号是C。在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F。一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法。 电容的公式是:C=Q/U 但电容的大小不是由Q或U决定的,即:C=εS/4πkd 。ε是一个常数,与电介质的性质有关。k [ 查看详细 ]

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