首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 漏极

漏极 文章 进入漏极技术社区

漏极和源极之间产生的浪涌

  • 开关导通时,线路和电路板版图的电感之中会直接积蓄电能(电流能量)。当该能量与开关器件的寄生电容发生谐振时,就会在漏极和源极之间产生浪涌。下面将利用图1来说明发生浪涌时的振铃电流的路径。这是一个桥式结构,在High Side(以下简称HS)和Low Side(以下简称LS)之间连接了一个开关器件,该图是LS导通,电路中存在开关电流IMAIN的情形。通常,该IMAIN从VSW流入,通过线路电感LMAIN流动。本文的关键要点・漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的。・在实际的版图设
  • 关键字: ROHM  漏极  源极  

上下拉电阻作用的引申―OC,OD门

  • OC(open collector)是集电极开路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动
  • 关键字: OC  OD  集电极  漏极  上下拉电阻  

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  • 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。
  • 关键字: MOSFET  漏极  导通  开关过程    
共3条 1/1 1

漏极介绍

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点, [ 查看详细 ]

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473