首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 栅极电压

栅极电压 文章

轻松驱动CoolSiC™ MOSFET:栅极驱动设计指南

  • 由米勒电容引起的寄生导通效应,常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应,在硬开关变流器的栅极驱动设计中,通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET真的有必要吗?引言选择适当的栅极电压值是设计所有栅极驱动的关键。借助英飞凌的CoolSiC MOSFET技术,设计人员能够选择介于15-18 V之间的开通栅极电压,从而让开关拥有最佳的载流能力或抗短路能力。而栅极关断电压值只需要确保器件能够安全地关断。英飞凌建议设计人员将MOSFET分立器件的关断电压定为0 V,从而
  • 关键字: MOSEFT  栅极电压  
共1条 1/1 1

栅极电压介绍

您好,目前还没有人创建词条栅极电压!
欢迎您创建该词条,阐述对栅极电压的理解,并与今后在此搜索栅极电压的朋友们分享。    创建词条

热门主题

FPGA    DSP    MCU    示波器    步进电机    Zigbee    LabVIEW    Arduino    RFID    NFC    STM32    Protel    GPS    MSP430    Multisim    滤波器    CAN总线    开关电源    单片机    PCB    USB    ARM    CPLD    连接器    MEMS    CMOS    MIPS    EMC    EDA    ROM    陀螺仪    VHDL    比较器    Verilog    稳压电源    RAM    AVR    传感器    可控硅    IGBT    嵌入式开发    逆变器    Quartus    RS-232    Cyclone    电位器    电机控制    蓝牙    PLC    PWM    汽车电子    转换器    电源管理    信号放大器    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473