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栅极氧化层可靠性 文章

碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

  •   摘要:本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。  前言  就目前而言,碳化硅(SiC)材料具有极佳的的电学和热学性质,使得碳化硅功率器件在性能方面已经超越硅产品。在需要高开关频率和低电能损耗的应用中,碳化硅MOSFET正在取代标准硅器件。半导体技术要想发展必须解决可靠性问题,因为有些应用领域对可靠性要求十分严格,例如:汽车、飞机、制造业和再
  • 关键字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  热模型  失效分析  栅极氧化层可靠性  
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栅极氧化层可靠性介绍

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