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栅极 文章 进入栅极技术社区

桥式结构中的栅极-源极间电压的行为:关断时

  • 具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET产品相比,在桥式结构情况下的栅-源电压的行为不同。在上一篇文章中,我们介绍了LS(低边)SiC MOSFET导通时的行为。本文将介绍低边SiC MOSFET关断时的行为。本文的关键要点1 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比,SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。2 要想正确实施SiC MOSFET的栅-源电压的浪涌对
  • 关键字: ROHM  桥式结构  栅极  

桥式结构中的栅极-源极间电压的行为:导通时

  • 在功率开关器件最常见的应用中,包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为,在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”和这篇文章所依据的应用指南“桥式结构中栅极-源极电压的行为”中,介绍了相互影响的动作情况。●   具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比,SiC MO
  • 关键字: 罗姆  栅极,桥式结构  

业界大哥大——英特尔

  • 半导体制程工艺上,英特尔要是说第二,那没人敢说第一。晶圆制造这个圈子,英特尔毫无疑问处于第一流,其他厂商包括IBM,英飞凌,NEC,意法半导体以及东芝等公司,以及目前半导体代工行业的老大老二老三——台积电、GlobalFoundries、三星,统统都是二流。
  • 关键字: 英特尔  半导体  栅极  

模拟电子—从放大器说起(二):电子管

  • 在之前的章节已经说道,如果要实现一个放大器的功能,需要一个固定的放大倍数(Gain),这也就是说输出信号应该是跟随输入信号变化而变化,换句话说输出信号应该要受到输入信号的控制。
  • 关键字: 放大器  输入信号  三极管  二极管  栅极  

在ZVS拓扑中选择最优的死区时间

  • 摘要:通过本文的分析来优化中压和高压功率MOSFET在各种隔离式转换器拓扑使用时的死区时间,能够帮助工程师发现各种器件技术的优点,甚至使那些过时的设计方案也能达到更好的性能。
  • 关键字: ZVS  MOSFET  DC-DC  IBC  栅极  201311  

Vishay发布新款斜率控制的P沟道高边负载开关

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出可在1.5V~5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关--- SiP32458和SiP32459。这两款器件均具有一个集成的可提供稳定的20mΩ低导通电阻,同时保持低静态电流的栅极泵。
  • 关键字: Vishay  栅极  

用栅极驱动器集成电路制作的100W数字功率放大

  • 当数字功率放大器的输出功率大于50W之后,就无法只用单片全集成的集成电路来构成放大器,必须采用栅极驱动器集 ...
  • 关键字: 栅极  驱动器  集成电路  数字功率放大  

开关电流电路故障诊断技术的初步研究

  • 由于SI技术得到广泛应用,而电子电路都可能有故障存在,这就提出一个新的课题:怎样对SI电路进行故障诊断。 ...
  • 关键字:   采样  栅极  线性  激励  

在300mV供电电压下工作的JFET DC/DC转换器

  • 通过利用JFET在零偏置时导通大电流的能力,能够设计出一种自起动、低输入电压的转换器。...
  • 关键字: 绕组  电压  栅极  偏压  
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栅极介绍

由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中最靠近阴极的一个电极,具有细丝网或螺旋线的形状,插在电子管另外两个电极之间,起控制板极电流强度、改变电子管性能的作用。   在场效应管中,栅极是由英文gate electrode翻译而来的.位置类似于晶体三极管中的Gate. [ 查看详细 ]

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