回望50年
岁月如流，58年大学毕业至今，半个世纪已逝去，而往事却历历在目，仿佛就发生在昨天，一幕又一幕……
走进微电子
56年毛主席，周总理为了发展我国的科学事业，采取了四项紧急措施，其中之一就是加速半导体学科的发展，清华当年即创办了半导体专业，57年李志坚教授从前苏联学成回国，领导教研室，58年前苏联专家又来清华讲学，因此母校华中工学院(今华中理工大学)即时派我到清华进修，主攻半导体器件，从此与微电子学结上了终身之缘。
我是与清华首届半零[1]同
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龙芯 半导体 晶体管
根据报道， Intel公司新推出一种名为“P-channel”和“N-channel”的晶体管能够将处理器的功耗降低至当前处理器产品的10％。Intel公司于日前公布了新材料“P-channel”晶体管的更多细节，新晶体管基于的是硅基，使用了一种名为III-V的化合物半导体。大约在一年之前Intel公司就对外描述过基于III-V 材料的“P-channel”晶体管，当时同样基于的是硅基。
根据Inte
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Intel 晶体管 处理器
尽管高登-E-摩尔（Gordon E. Moore）提出警告，认为“摩尔法则”无法继续有效，但微处理器的高集成度化仍在进一步发展，并为性能的提高作出重大贡献。虽然处理器内核的数量及缓存容量持续增加，但目前仍存在诸多应该解决的重要课题，其中包括芯片间的通信性能出现瓶颈、耗电量增加、以及由于软错误及缺陷造成的错误等导致的可靠性低下等。另外，芯片内的时钟及电源分配难度也很高，因此要求进一步革新电路技术。
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ISSCC 处理器 晶体管 集成度 性能 极限
芯片尺寸在接下来的几年将持续微缩，不过芯片制造商也面临许多挑战。在美国旧金山举行的国际固态电路会议(ISSCC)上，英特尔(Intel)资深院士、制程架构与整合总监Mark Bohr列出32奈米以下制程节点遭遇的五大障碍/挑战，也提出了有潜力的解决方案。
1. 光刻技术(patterning or lithography)
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英特尔 光刻技术 晶体管 嵌入式内存
工信部（工信运行简函[2008]2号）文《关于下达等产品单耗制定计划的通知》：经海关总署及国家发改委审定，晶体管、刚性、两极管三个产品的标准列为2008年度加工贸易单耗标准制定计划（署办发[2008]186号文），并要求由上海市集成电路行业协会组织有关企业开展起草上述三个单耗标准工作。
为此，近日上海协会召开了“晶体管、刚性智能卡、两极管三个产品的加工贸易单耗标准起草小组会议”。产品的加工贸易单耗标准关系到企业进口业务、物流通畅、关税、成本等重要环节，今后
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晶体管 两极管 刚性智能卡
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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晶体管 直流电源 开关电源 稳压电源
据国外媒体报道，自从20世纪40年代晶体管出现以来，它一直是电脑和其他现代电子装置的核心元件。晶体管的作用是接通、关闭或者增强电流，晶体管有各种形状、大小和材质，这些主要根据它的用途而定。最近科学家制作出一种新晶体管——一个微型电子计大小的等离子晶体管。
美国伊利诺斯大学的研究人员将一个常规微腔等离子装置和一个电子发射体结合，研发出这种微束等离子晶体管。陈国锋和光学物理及工程学实验室主管加里·艾顿教授将他们的研究结果发表在最近的
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晶体管 等离子 显示器
由于全球金融市场的大动荡，市场上几乎没有什么好消息，而要确定这次金融动荡对元器件市场的影响则更加困难。消费者的信心己经降到历史低点，由于消费市场占了元器件市场的70%以上，预计年底的假日消费市场将会十分低迷，并最终导致电子元器件需求下降。通常，元器件市场是买方市场，对部分产品而言，买方一直占据着主导的位置。但是，由于原材料和能源价格的上涨，供货商们面临着成本上升，因此，电子元器件的价格也不会自动地下降。
尽管如此，元器件市场仍然有一线曙光：供货商们对库存的管理十分严格，因此，库存会持续地下
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晶体管 元器件 模拟器件 放大器 电容
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OLED 晶体管 显示 MP3
1 引 言
电压基准可以在温度及电源电压变化环境中提供稳定的参考电压，被广泛应用于比较器，A／D，D／A转换器，信号处理器等集成电路中。目前已有不少和工艺的电压基准应用于实际中，并且获得了很高的精度和稳定性。然而随着各种便携式移动通信和计算产品的普及，对电池的需求大大加强，但是电池技术发展相对落后，降低电路的功耗成为IC设计关注的一个焦点；电路的功耗会全部转换成热能，过多的热量会产生焦耳热效应，加剧硅失效，导致可靠性下降，而快速散热的要求又会导致封装和制冷成本提高；同时功耗大将导致温度高，载流子
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运算放大器 晶体管 PTAT
交叠是推挽驱动器的两个晶体管同时处于导通状态的短暂时间。在中心抽头变压器的初级中，这是常见的问题。交叠导致很大的电流尖峰和更多的开关损耗。饱和的晶体管关断速度慢于接通速度，导致了这个问题。防止交叠的一种方法是在关断一个晶体管之后并在接通另一个晶体管之前提供延时。该方法需要几个额外元件，并且必须为最坏情形包含足够长的延时。本设计实例利用交叉耦合门来防止晶体管在另一个晶体管关断之前被接通（图1）。为简化起见，该图并未描绘旁路电容器、缓冲器网络和其它无需用来描绘该方法的元件。
门IC2A防止Q1在
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驱动器 推挽 晶体管 变压器
引言
低噪声放大器(LNA)是雷达、通信、电子对抗、遥测遥控等电子系统中关键的微波部件，有广泛的应用价值。由于微波系统的噪声系数基本上取决于前级放大器的噪声系数，因此LNA噪声系数的优劣会直接影响整个系统性能的好坏。低噪声放大器的设计主要包括输入、输出匹配网络和直流偏置网络的设计以及改善晶体管稳定的措施。
本文首先介绍放大器提高稳定性的源极串联负反馈原理，然后设计了一个L波段的低噪声放大器实例，并给出了放火器输入、输出回波损耗、增益、噪声系数等参数的仿真结果。
低噪声放大器的设计
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放大器 低噪声 LNA 晶体管
IBM研究人员在一篇新的论文中详细介绍了IBM所说的在纳米技术领域取得的重要技术突破。这项技术突破将推动处理器技术和光子领域的新发展。IBM研究人员详细介绍了他们如何控制碳纳米管晶体管的发光。
这将是开发和推动新的处理器的新方法。在纳米技术领域，IBM、惠普和英特尔都在通过自己的研究部门研究新的开发处理器的技术。
IBM研究人员称，在新兴的纳米技术领域的一项重大的技术突破将改变工程师和IT行业开发微处理器的方法和思路。IBM研究人员8月25日在《自然纳米技术》杂志上发表的论文中介绍了他们如
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IBM 纳米 处理器 晶体管
1 引言
1965 年，摩尔用三个集成电路产品集成度随时间的增长数据，外加1959 年的晶体管（集成度为1）和1965 年预计可推出的实验室产品（有64 个元件），用半对数坐标，外插预测到十年后集成电路的集成度将达到65,000 个元件。1975 年预测成真，随后被称为“摩尔定律”。近40 年来，“摩尔定律”作为半导体发展的指南针对整个产业的发展产生了重大影响。由此我们可以体会到总结规律、预测发展的重要意义。半导体产品是半导体技术的载体，也是半导体
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集成电路 晶体管 半导体 摩尔定律 可重构
晶体管介绍
【简介】
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个P [
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