- 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W，频率为 3.1至3.5GHz 之间，与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比，能够提供优越的漏极效率(接近70%)。
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科锐 晶体管 HEMT
- (一)晶体管材料与极性的判别 1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母AD表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料
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晶体管 相关知识
- 晶体管的检测： 1、检测小功率晶体二极管
A、判别正、负电极
(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
(b)、观察外
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晶体管 检测方法
- 晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶...
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晶体管 图示仪
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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ADS 晶体管 基站功率放大器 仿真 LDMOS
- DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的M...
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电源系统 开关控制器 晶体管
- 来自瑞典Linkoping大学的有机电子学博士研究生KlasTybrandt发明了一种可以控制肌肉的离子芯片，这项研究结果发布在最新的NatureCommunications杂志上。
来自Linkoping大学有机电子学的研究团队在此前成功的发明了可以同时运送正离子与负离子的离子晶体管，这种离子晶体管同时也可以运送生物分子。Tybrandt现在成功的将离子晶体管进行正负离子的运输结合为互补的循环模式，机制与此前经典的硅电子相似。
这种化学循环的优势在于，电荷载体由多种功能的化学物质组成，这
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Linkoping 晶体管 芯片
- ARM处理器部门主管西蒙·赛加斯(Simon Segars)周一在Computex大展上表示，采用20纳米工艺生产的ARM芯片最快将于明年底发布。赛加斯说：“整个行业都推进下一代技术，只要在经济和技术上可行，便会立刻推出。”
赛加斯说：“整个行业都推进下一代技术，只要在经济和技术上可行，便会立刻推出。”
生产工艺的尺寸越小，芯片中使用的晶体管尺寸越小，数量越少，从而可以延长电池寿命或提升设备性能。
ARM并不自主生产芯片，
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ARM 20纳米 晶体管
- 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，这种产品
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LDMOS 大功率 测试 晶体管
- 据IHS iSuppli公司的电源管理市场追踪报告，继2011年第四季度惨跌之后，电源管理半导体在2012年初有所回升，并在第二季度终于走上明显增长之路，主要是受消费与工业领域的扩张推动。
第二季度电源管理半导体营业收入将达到80亿美元，比第一季度的75亿美元增长6.7%。这是该产业营业收入在去年底急剧下降以来，首次有明显的增长迹象。在2011年第四季度营业收入环下降10.7%以前，该市场曾经连续七个季度增长，如图2所示。
但是，去年第四季度过后，该市场趋于稳定，今年初营业收入持平，没有进
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半导体 晶体管
- 如何构建基于单个区域晶体管
如果不安全的 - 蜂鸣器会响起，当你在报警开关。在这种情况 - 你应该关闭一个开放的窗口或门等报警，并检查是否所有的触发器开关完整 - 当你的报警蜂鸣器不发声开关。相反 - 自动退
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构建 方法 报警器 晶体管 单个 区域 基于
- 涉足尖端技术研究工作的芯片制造商正在把无数新材料和奇特的器件结构结合起来，用于65nm及更低节点的量产。同时他们发现，在这些研究上的努力生产的结果还包括目前必须着手解决各器件各个层上出现的越来越多的细微的
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电子束 检测技术 辅助 晶体管
- 如何建立一个可扩展的基于晶体管的防盗报警器？ 这是一个简单的晶体管的防盗报警电路。它的功能包括自动出入境延误 - 贝尔一起定时切断复位。它的设计是与常闭输入设备类型，如通常使用 - 磁簧触点 - 微动开关 -
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防盗报警 方法 晶体管 基于 一个 扩展 建立
晶体管介绍
【简介】
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个P [
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