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晶体管 文章 进入晶体管技术社区

SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

  •   SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulator:FDSOI)技术。   如果采用FDSOI技术,无需使晶体管立体化便可继续推进SoC微细化至10nm工艺左右。由于可以沿用原有半导体制造技术和设计技术,因此无需很多成本即可继续推进微细化(图1)。对于希望今后仍长期享受SoC微细化恩惠的
  • 关键字: 意法  10nm  晶体管  

美研制出新型“4维”晶体管

  •   据物理学家组织网报道,美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明:一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管,其重要组件“门”(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为“4维”晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流。该研究成果将于12月8日至12日在旧金山举行的国际电子元器件会议上以两篇论文的形式提交。   平面结构的硅芯片晶体管一直沿用了半个多世纪,直至去年英特尔公司研发出垂直3维结构的晶体管,才宣告迈入了3
  • 关键字: 笔记本  晶体管  14纳米  

三星、台积电将于2013年实现20纳米工艺量产

  •   据DigiTimes报道,三星将于2013年采用20纳米技术,同时开始建造生产14纳米晶体管的工厂。台积电也会在2013年下半年开始采用20纳米技术生产晶体管。当前主流的智能手机芯片主要由高通和三星制造,高通的代工厂中,最出名的就是台积电   此前,台积电采用的是28纳米技术,三星采用的是32纳米技术。众所周知,晶体管是越细越好,耗能也越少,芯片体积也将更小。   可以预见,我们或将在2013年年底或2014年年初见到采用20纳米技术制造的高通芯片。另外,台积电也是英伟达(NVIDIA)的代工厂,
  • 关键字: 三星  晶体管  20纳米  

科学家首次研制成功单电子半加器

  •   据物理学家组织网11月21日报道,研究人员一直在努力降低硅基计算组件的尺度,以满足日益增长的小规模、低能耗计算需求。这些元件包括晶体管和逻辑电路,它们都被用于通过控制电压来处理电子设备内的数据。在一项新研究中,韩国、日本和英国科学家组成的科研小组仅用5个晶体管就制造出一个半加器,它是所有逻辑电路中最小的一种。这也是首次成功制成基于单电子的半加器(HA)。相关研究报告发表在最新一期《应用物理快报》上。   研究人员称,单电子半加器是单电子晶体管多值逻辑电路家族中最小的运算模块,所有的逻辑电路都由众多半
  • 关键字: 半加器  晶体管  CMOS  

飞兆发布碳化硅(SiC)技术解决方案

  • 为努力实现更高的功率密度并满足严格的效率法规要求以及系统正常运行时间要求,工业和功率电子设计人员在进行设计时面临着不断降低功率损耗和提高可靠性的难题。 然而,在可再生能源、工业电机驱动器、高密度电源、汽车以及井下作业等领域,要想增强这些关键设计性能,设计的复杂程度就会提高,同时还会导致总体系统成本提高。
  • 关键字: 飞兆  SiC  晶体管  

晶体管驱动负载技巧及选择的注意事项

  • 在电子制作时,经常涉及到需要控制蜂鸣器、继电器、电机等元件,发现晶体管负载的不同接法,效果差别很大,有的接法 ...
  • 关键字: 晶体管  驱动负载  注意事项  

车载数码相机充电适配器设计 

  • 附图为数码相机充电适配器电路。电路采用一对晶体管差分放大器和一级电流放大器.分别输出恒定的电压和要求的...
  • 关键字: 数码相机    充电适配器    晶体管  

IBM再创奇迹!碳纳米管迈出取代硅第一步

  •   蓝色巨人IBM的科学家们再次展示了他们雄厚的科研实力:历史上第一次,使用标准的主流半导体工艺,将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确地放置在了一颗芯片内,并通过了可行性测试。多年来,人们一直期望找到一种新的材料,可以替代传统芯片中的硅,从而更深入地推进半导体制造工艺,获得更小、更快、更强的计算机芯片,IBM则迈出了用碳纳米管在此领域投入商业化应用的第一步。   作为一种半导体材料,碳纳米管有着很多优于硅的天然属性,特别适合在几千个原子的尺度上建造纳米级晶体管,其中的电子也可以比硅晶体管更轻松地转移,实现
  • 关键字: IBM  晶体管  碳纳米管  

罗姆推出最小晶体管封装“VML0806”开始量产

  • 近日,日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机和数码相机等各种要求小巧、轻薄的电子设备,开始量产世界最小※尺寸的晶体管封装“VML0806”(0.8mm×0.6mm,高度0.36mm)。
  • 关键字: 罗姆  晶体管  

意法半导体发布先进功率MOSFET系列产品

  • 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管,助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求,瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。
  • 关键字: 意法  晶体管  MOSFET  LED  

IR推出600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列

  • 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,适合在10kHz以下工作的电机驱动应用,包括冰箱和空调的压缩机。
  • 关键字: IR  晶体管  

二极管桥和晶体管构建的XOR/XNOR功能

  • 在用高于常见的电源电压(如24V)设计逻辑电路时,可以结合使用标准逻辑系列与一只稳压器,通过电平转换器做接口。另外,如果逻辑并不太复杂,速度也不是非常高,可以用分立元件建立门控电路,直接用当前电压运行。分立
  • 关键字: XNOR  XOR  二极管  晶体管    

恩智浦扩大DFN1006超小型封装晶体管的产品阵容

  •   中国上海,7月30日——恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)今日宣布扩大了其超小型分立式薄型无引脚封装DFN1006B-3 (SOT883B)的晶体管产品阵容。目前,恩智浦提供60款双极性晶体管(BJT)和12款小信号单N/P沟道MOSFET产品,均采用 1-mm x 0.6-mm x0.37-mm DFN塑料SMD封装——是业界提供最小晶体管封装(DFN1006)最丰富的产品组合。   新的产品组合
  • 关键字: 恩智浦  晶体管  

晶体管交直流参数对电路设计的影响

  •  在电路中,不管晶体管是工作在直流工作状态还是交流工作状态,正确选择晶体管的直流参数是很重要的。也就是说,应根据工作环境中直流电路的工作状态要求,对晶体管进行最基础的选择,确定晶体管的工作电压,工作电
  • 关键字: 晶体管  交直流  参数  电路设计    

分享晶体管的检测经验

  •  (一)晶体管材料与极性的判别  1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母AD表示晶体管的材料和极性。其中,“A”代表锗材料PNP型管,“B”代表锗材料
  • 关键字: 晶体管  检测  经验    
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晶体管介绍

【简介】   晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。   半导体三极管,是内部含有两个P [ 查看详细 ]
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