首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 晶体管-场效应管

晶体管-场效应管 文章 进入晶体管-场效应管技术社区

基础知识之晶体管

  • 一、晶体管的功能晶体管具有放大和开关电信号的功能。 比如在收音机中,会扩大(放大)空中传输过来的非常微弱的信号,并通过扬声器播放出来。这就是晶体管的放大作用。 另外,晶体管还能仅在事先确定的信号到达时才工作,这时发挥的是开关作用。 我们常听到的“IC”也好“LSI”也好,都是晶体管的集合体,是晶体管构成了其功能的基础。【晶体管的基本功能示意图】作为开关使用的晶体管下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管。当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在
  • 关键字: 晶体管  

模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性

  • MOS晶体管表现出理想模型所没有的各种二阶效应。为了设计在现实世界中工作的模拟集成电路,我们需要了解这些非理想因素。在上一篇文章中,我们介绍了基本的MOSFET结构和工作区域。我们讨论的模型描绘了一个理想的MOSFET,并且由于其较长的沟道尺寸,对于早期的MOSFET来说是相当准确的。然而,随后的研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶体管行为中的一系列非理想性。本文将介绍这些非理想性的基础知识以及它们如何影响模拟集成电路中的晶体管性能。寄生电容由于MOSFET的物理实现,在端子结之间形成了以下寄生电容:CGS
  • 关键字: MOSEFT  晶体管  

万亿级晶体管芯片之路

  • 台积电、英特尔都在规划如何走向万亿级晶体管。
  • 关键字: 晶体管  

必看!IGBT基础知识汇总!

  • 01 IGBT是什么?IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。(因为MOS管有Rds,如果Ids比较大,就会导致Vds很大)IGBT综合了以
  • 关键字: IGBT  晶体管  基础知识  

IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管

  • IBM在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管。纳米片晶体管将通道分割成一堆薄硅片,完全被栅包围。IBM的高级研究员鲍汝强表示:“纳米片器件结构使我们能够在指甲大小的空间内容纳50亿个晶体管。”这些晶体管有望取代当前的FinFET技术,并被用于IBM的首个2纳米原型处理器。纳米片技术是逻辑器件逐步缩小的下一步,将其与液氮冷却技术搭配可能会带来更好的性能。研究人员发现,在77K的温度下运行,与在大约300K的室温条件下运行相比,设备
  • 关键字: IBM  芯片  晶体管  

e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求

  • 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝(Toshiba)产品,包括一系列新型N通道功率场效应管(MOSFET)。新增系列将涵盖600V-650V的高压和30V-150V的低压产品。Farnell及e络盟高级供应商客户经理Ibtissame Krumm表示:“全球功率半导体市场正在迅速扩张。尽管这段时间以来,汽车应用对功率半导体的需求一直是人们的热点话题。但它掩盖了一个事实,那就是许多其他应用的需求增长速度也非常迅猛,至少与汽车应用的需求增长速度相当。”他补充道:“功率场效
  • 关键字: e络盟  东芝  场效应管  

GaN晶体管尺寸和功率效率加倍

  • 无论是在太空还是在地面,这些基于 GaN 的晶体管都比硅具有新的优势。
  • 关键字: GaN  晶体管  

如何有效利用氮化镓提高晶体管的应用?

  • 如今,越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要,因为它有助于提高功率晶体管的效率,从而减小电源的尺寸并降低工作温度。如今,越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要,因为它有助于提高功率晶体管的效率,从而减小电源的尺寸并降低工作温度。晶体管,无论是由硅还是氮化镓制成,都不是理想的器件,有两个主要因素导致其效率下降(在简化模型中):一个是串联电阻,称为 RDS(ON),另一个是并联电容器称为 C
  • 关键字: 氮化镓  晶体管  

3D 晶体管的转变

晶体管的第一个76年:变小了,却变大了?

  • 1947年,当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时,他们未曾想到,晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一,它改进了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷,为电子设备的发展奠定了基础,也为人们带来了便捷高效的数字化生活。1947年,当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时,他们未曾想到,
  • 关键字: 新思科技  晶体管  

双极结型晶体管的电流增益

  • 如果您施加一个足够高的电压 V IN以正向偏置基极-发射极结,电流将从输入端流过 R B,通过 BE 结,到达地。我们称之为 I B。电流还将从 5 V 电源流经 R C,流经晶体管的集电极到发射极部分,流到地。称之为I C。假设 I C足够小以在集电极端留下相对较高的电压——足够高的电压,即保持基极-集电极结反向偏置。假设我们正在使用一个简单的电路,该电路由一个 npn双极结型晶体管(BJT) 和几个电阻器组成,连接方式如下:如果您施
  • 关键字: 晶体管  

意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管

  • 2023 年 5 月 24 日,中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术,引入氧化物填充沟槽工艺,集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身,实现高效的开关性能。因此,STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ(在 VGS = 10V 时),高效运行频率达到6
  • 关键字: 意法半导体  STripFET F8  晶体管  优值系数  

短沟道 MOS 晶体管中的漏电流成分

  • MOS 晶体管正在按比例缩小,以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。MOS 晶体管正在按比例缩小,以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。在我们尝试了解各种漏电流成
  • 关键字: MOS  晶体管  

干货总结|晶体管的应用知识

  • 晶体管是一个简单的组件,可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中,将带你了解晶体管是如何工作的,以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识,这其实是相当容易的。
  • 关键字: 晶体管  

妙趣横生的电子小知识 第1篇:初识晶体管

  • 本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛,涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容,希望能够帮到那些“至今不好意思问别人,但又拿不准自己是否已经理解了”的人。第一个应该了解的要数“晶体管”了。“晶体管”在电子制作领域是非常常用的易用器件,尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和电机时,晶体管是不可或缺的重要器件。但是,对于电子制作初学者来说,掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件,比如电池、LED、电阻器和开关等,几乎都是两个引脚,而晶体管却有三个引
  • 关键字: ROHM  晶体管  
共460条 1/31 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

晶体管-场效应管介绍

您好,目前还没有人创建词条晶体管-场效应管!
欢迎您创建该词条,阐述对晶体管-场效应管的理解,并与今后在此搜索晶体管-场效应管的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473