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iPhone 17 Pro将首发！曝台积电2nm/1.4nm工艺量产时间敲定
- 4月11日消息，根据产业链消息，台积电的2纳米和1.4纳米工艺已经取得了新的进展。据了解，台积电的2纳米和1.4纳米芯片的量产时间已经确定。2纳米工艺的试产将于2024年下半年开始，而小规模量产将在2025年第二季度进行。值得一提的是，台积电在亚利桑那州的工厂也将参与2纳米工艺的生产。到了2027年，台积电将开始推进1.4纳米工艺节点，这一工艺被正式命名为"A14"。按照目前的情况，台积电最新的工艺制程很可能会由苹果率先采用。按照台积电的量产时间表，iPhone 17 Pro将成为首批
- 关键字： iPhone 17 Pro 台积电 2nm 1.4nm 工艺
One UI 6.1 导致 Galaxy S23 系列手机指纹识别出问题
- 4 月 8 日消息，近日，三星为 Galaxy S23 系列机型推送的 One UI 6.1 更新意外导致了手机的指纹识别功能出现故障。有用户反映，使用指纹识别解锁手机时，会出现第一次识别失败，手指离开后再重新识别才能解锁的情况。还有用户表示，每次使用指纹识别解锁手机时，系统都会崩溃，需要连续尝试两次才能成功。据 AndroidAuthority 报道，三星韩国社区论坛的一位社区经理已经确认了该问题的存在。他表示：“对于设备使用过程中出现的不便，我们深表歉意。我们已经确认，部分情况下锁屏的指纹识别功能
- 关键字： One UI 6.1 Galaxy S23 手机指纹 识别
Diodes公司的低功耗1.8V、2.5Gbps、双数据通道ReDriver支持 MIPI D-PHY 1.2协议
- Diodes 公司 (Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI® D-PHY 1.2 协议的信号 ReDriver™。PI2MEQX2503 可重建从相机传输到显示器的信号，数据传输速率高达 2.5Gbps，适用于笔记本电脑、平板电脑、手机、物联网 (IoT) 设备、商用显示器、增强现实头戴显示器、无人机和机器人等各种产品应用。PI2MEQX2503 具有双数据通道均衡器和单时钟通道，可补偿与 PCB、接口、线材及开关相关的损耗。此 ReDriver 可实现从 CSI2 信号来源传输到 D
- 关键字： Diodes ReDriver MIPI D-PHY 1.2
Diodes公司的低功耗1.8V、2.5Gbps、双数据通道ReDriver支持MIPI D-PHY 1.2协议
- Diodes 公司 (Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI® D-PHY 1.2 协议的信号 ReDriver™。PI2MEQX2503 可重建从相机传输到显示器的信号，数据传输速率高达 2.5Gbps，适用于笔记本电脑、平板电脑、手机、物联网 (IoT) 设备、商用显示器、增强现实头戴显示器、无人机和机器人等各种产品应用。PI2MEQX2503 具有双数据通道均衡器和单时钟通
- 关键字： Diodes ReDriver MIPI D-PHY 1.2协议
拥有8:1输入比的1/4砖100W DC/DC转换器
- Flex Power Modules向其产品系列中加入了一款全新1/4砖、底板冷却的DC/DC转换器PKM8100A，该产品具有9-75 VDC超宽的输入范围（100V/100 ms）。PKM8100A以最高达89%的效率提供100 W功率，并提供12 V/8.35A或54 V/1.85 A的初始输出。产品的输入到输出隔离电压额定值为3000 VDC，满足IEC/UL 62368-1的要求。该产品具有丰富的功能，包括远程控制、输出微调和遥感功能，保护功能则涵盖过温、输入欠压锁定、输出过压和短路。
- 关键字： Flex Power Modules 1/4砖 DC/DC转换器
机电1-Wire接触封装解决方案及其安装方法
- 本文介绍已获专利的适用于机电接触应用的1-Wire®接触封装解决方案，并对比传统的封装解决方案以展示1-Wire接触封装解决方案的优越性。本文还就如何将该解决方案安装到配件或耗材提供了建议，并作了机械规格和可靠性分析。
- 关键字： 机电 1-Wire接触封装
芯科科技为新发布的Matter 1.2版本提供全面开发支持
- Silicon Labs（亦称“芯科科技”）接续着连接标准联盟（CSA，Connectivity Standards Alliance）宣布其全面支持最新发布的Matter 1.2标准。Matter 1.2版本是该协议自2022年秋季发布以来的第二次更新。基于一年进行两次更新的步调，可以帮助开发者引入新的设备类型，将Matter扩展到新的市场，同时可带来互操作性和用户体验提升方面的其他改进。Matter协议旨在利用Wi-Fi和Thread等现有的IP网络技术来实现智能家居设备的互联互通，以建立一种新的开放
- 关键字： 芯科 Matter 1.2
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺
- ● 介绍随着技术推进到1.5nm及更先进节点，后段器件集成将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小边缘定位误差，并实现具有挑战性的制造工艺，需要进行工艺调整。为应对这些挑战，我们尝试在1.5nm节点后段自对准图形化中使用半大马士革方法。我们在imec生产了一组新的后段器件集成掩膜版，以对单大马士革和双大马士革进行电性评估。新掩膜版的金属间距分别为14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前两类是1.5nm节点后段的最小目标金属间距
- 关键字： 半大马士革 后段器件集成 1.5nm SEMulator3D
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