- 北京时间12月12日消息，据国外媒体报道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇梦达(Qimonda)等企业组成的研发团队近日表示，已开发出能制造高速“相变(phase-change)”内存的材料；与当前常用的闪存相比，相变内存运行速度高于前者500~1000倍，能耗也将大幅度降低。 据悉该新型材料为复合半导体合金。IBM纳米科学部门资深经理斯派克
- 关键字：
闪存 通讯 网络 无线 消费电子 芯片材料 新内存 存储器 消费电子
新内存介绍
您好，目前还没有人创建词条新内存!
欢迎您创建该词条，阐述对新内存的理解，并与今后在此搜索新内存的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
