- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出6款用于消费电子应用的FRED Pt™超快恢复整流器。新的600V、8A器件在额定电流下具有1V的超低典型压降，在硬开关条件下的快速恢复时间只有16ns，在125℃下的典型泄漏电流低至30μA。
新整流器适用于70W～400W的开关电源，为笔记本电脑和打印机适配器、桌面电脑、电视机和显示器、游戏控制器，以及DVD和蓝光播放器中的AC-DC电源提供了高能效的功率因数校正(PF
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Vishay 整流器
- 基于TMS320F2812的三相整流器设计研究,摘要：详细论述了SVPWM(空间矢量调制)的基本原理，给出了一种基于DSP实现的三相PWM整流器控制系统的设计方案，并且应用了TMS320F-2812，给出了一台原理样机的设计方法，同时进行了实验验证。
关键词：PWM整流器；
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设计 研究 整流器 三相 TMS320F2812 基于
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装，具有10A～30A的电流额定范围。
今天发布的器件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S，以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-22
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Vishay 整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。
今天发布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封装的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封装的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封装的厚度分别只有2.29mm和2.44mm。
由于器件具有0.56V的极低典型前向电压降和优异的雪崩容量
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Vishay 整流器 TMBS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增强型高电流密度PowerBridge整流器。整流器的额定电流高达30A~45A，最大峰值反向额定电压为600V~1000V，外壳绝缘强度高达1500V。该系列45A器件是业界首款采用PowerBridge封装的单列直插桥式整流器，产品尺寸为30mm x 20mm，厚度为3.8mm。
与市场上其他更大尺寸的桥式整流器相比，PowerBridge器件先进的导热结构使热量能更有效地散发出去。因此，PowerBrid
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Vishay 整流器 PowerBridge
- 0 引言
活塞环的表面电镀一直是使用较多的一种工艺，厂生产的高频开关电源和分级式可控硅整流器在全国各行业电镀中有广泛的应用，针对一些技术问题谈几点注意事项。
1 关于功率因素问题
可控硅整流器
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电镀 应用 活塞环 整流器 可控硅 开关电源 电源
- 益登科技代理的Qspeed半导体今日宣布推出H系列组件，协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战，同时也提供Qspeed扩展其二极管性能领先优势的机会。以前一代产品作为基础，Qspeed新款600V功率因数校正器(PFC，Power Factor Corrector)不仅拥有更低的反向恢复电荷(QRR)，且具有目前市面上硅二极管最高的转换效率。
Qspeed PFC二极管能协助设计人员满足各种严格的性能规范，不仅能提升系统性能、降低电磁干扰(EMI)，而且无需使用其他器件或缩小其他组件。此
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Qspeed 整流器
- 本文研究一种新型的高频DC-DC开关功率变换器 。它采用电流模式移相PWM 控制，在较大的负载范围内实现了开关器件的零电压软开关（ZVS）。论文最后给出了实验结果和两个主要波形，并做出了详细的说明。
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全桥 DC-DC 变换器 研究 PWM ZVS 模式 控制 整流器 电流
- 1. 引言 近几年来，随着电力电子装置的应用日益广泛，电网中谐波电流和无功功率对电力系统的污染也日益严重。消除谐波污染并提高功率因数，已经成为电力电子技术中的一个重大课题。作为解决这一问题的途径之一，能
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PWM 功率因数 闭环控制 整流器
- 以三相PWM整流电路为例，利用MATLAB的Simulink建立了仿真实验平台，将具有一定功能的模块群进行封装，用户不必了解其内部结构，只需了解其功能，输入相应参数，把各个功能模块按照原理连接即可观察结果，每个模块都可以进行移植，通过仿真验证，对工程中的三相可逆PWM整流器设计有实际意义。
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MATLAB 高功率因数 仿真实验 整流器
- Diodes公司推出高压超势垒整流器 (Super Barrier Rectifier，简称SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。该系列采用热效率和紧凑的专有PowerDI5封装，具有卓越的超低热阻，使SBR10U200P5能以减少40%的占位面积，实现双倍的功率密度。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示，SBR10U200P5是业界体积最小的引线式10A整流器，额定电压高达200V，能够在10A额定电流和125℃的结温下提供业内领先的低至0.7V的正向电压降 (VF)。该
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Diodes 整流器 电源适配器
- 摘要：传统的矢量模式单周期控制三相PWM整流器是基于对称电网系统下研究的，功率因数约为1，输入谐波低，且与双极型单周期控制相比，具有更低的开关损耗。当三相电网不对称时，三相输入电流跟踪电网电压的非零序分量
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不对 网下 研究 整流器 PWM 控制 三相 周期
- 摘要：以电压空间矢量控制的基本原理和概念为基础，结合Matlab/Simulink软件包构建了三相PWM整流器空间矢量控制系统的仿真模型，并详细给出各模型的具体参数。仿真结果显示，该方法简单，控制精度高，用于三相PWM整流
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整流器 PWM 电压 三相
- 肖特基整流器通常是高频电子应用更为理想的选择，由于它们具有高开关速度和低正向(导通状态)压降，其低正向导通能量损耗非常关键。但是直到最近，大多数应用的硅基肖特基势垒整流器都受到了低于100 V的工作电压的限制。
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TMBS 整流器
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
新器件的封装电流额定值达到195A，比典型封装电流额定值高出60%。新款MOSFET具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外，7 管脚D2PAK封装的电流额定值达到240A的卓越水平，使它成为市场上
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整流器 功率半导体
整流器介绍
一 什么是整流器？
整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流（AC）转化为直流（DC）的装置。它有两个主要功能：第一，将交流电（AC）变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；第二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。
二 整流器三极管参数
三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均 [
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