- 奈梅亨，2023年11月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的先进电子器件供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，共同生产新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模块，适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。此次发布将进一步加深双方长期以来保持的紧密合作关系。 制造商对下一代功率应用的关键需求是节省空间和减轻
- 关键字：
Nexperia KYOCERA 功率应用 650 V 碳化硅 整流二极管
- 简介：为了针对各种 LED 灯规范和 LED 特性提高灵活性和兼容性，本文介绍了覆盖较宽输出电压范围的 LED 驱动器。Fairchild 的 PSR 控制器 FL7733 提供
- 关键字：
单级反激式转换器 整流二极管 PWM THD
- 二极管的分类、特性及电路符号-二极管是一种只允许电流由单一方向流过具有两个电极的装置，许多的使用是应用其整流的功能。本文将会对二极管的分类、特性、电路符号进行详解。
- 关键字：
二极管 整流二极管 稳压二极管
- Bourns，全球知名电子组件领导制造供货商，今日推出一系列新型桥型整流二极管产品。将专门应用于交流电(AC)直流电(DC)之转换，Bourns® 特定型号CDTO269-BR1xL表面黏着桥型整流二极管，具有低功耗、高功效、低正向电压、高抗浪涌效能和高反向稳定性。Bourns 新款桥型整流二极管理想转换装置，为新一代的诸多设计提供较佳电源转换效率，且广泛运用于交换式电源供应器(SMPS)、桥型全波整流器、照明镇流器和电池充电装置。 型号 CDTO269-BR1xL&n
- 关键字：
Bourns 整流二极管
- 整流二极管和稳压二极管都是PN半导体器件.所不同的是整流二极管用的是单向导电性.稳压二极管是利用了其反向特性.在电路中反向联接。
- 关键字：
整流二极管 稳压二极管 单向导电 反向特性
- 导读：电子爱好者经常使用二极管，而二极管具有单向导电性，主要用于整流、稳压和混频等电路中，我们今天就来学习一下，整流二极管都有哪些作用呢?
整流二极管的作用- -简介
整流二极管(rectifier diode)是一种可以将交流电能转换为直流电能的半导体器件，具有单向导电性，通常包含一个PN结，有正、负极两个端子，而电流只能由正极流入、负极流出。其结构如下图所示：
整流二极管的作用一- -用于半波整流电路中
如下图所示单相半波整流电路由电源变压器、整流二极管、负载电阻组成。其中，电
- 关键字：
整流二极管 整流二极管的作用
- 最近在网上看到很多人都在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，觉得大家在处理此类尖峰问题上仍...
- 关键字：
整流二极管 尖峰吸收电路
- 大功率电源与小功率电源中，次级整流二极管的损耗都是提高效率的一个瓶颈，我们如何将整流二极管的损耗降低到一...
- 关键字：
电源效率 整流二极管
- 对于市场上到处可见的手机充电器，万能充不断的增多，但质量又不是很高，经常会出现问题，扔了可惜，故教大家几招分析 ...
- 关键字：
手机充电器电路 整流二极管
- 该电路可以简化AC/DC转换器中的EMI滤波器电路并降低其成本。要使AC/DC电源符合EMI标准，就需要使用大量的EMI...
- 关键字：
整流二极管 转换器 EMI
- 中心议题：
手机充电适配器设计
解决方案：
变压器、整流二极管、EMI控制是设计的关键
优化转换器在整个负载范围内的效率
选用40V肖特基二极管
LinkSwitch-II器件集成多个可降低EMI的有用功能
由iPhone所引领的新一代手机与前代手机相比，其功能更为丰富。这些全功能手机如今已成为消费者的必备用品，它们的最大特点是具有大屏幕、能够上网、支持GPS并自带多媒体播放器，而所有这些基本功能都离不开电源。手机用户通常在电池电量快用完时才开始充电，因此他们
- 关键字：
PI 充电适配器 变压器 整流二极管
- 一、快恢复整流二极管的结构特点及特性
快恢复整流二极管是近期问世的新型半导体器件，它的内部结构与普通二极管不同，它在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P—I—N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，使反向恢复时间大大减少。除此之外，还降低了瞬态正向压降，使二极管能承受很高的反向电压。
反向恢复时间t1是快恢复二极管的重要参数，它是指电流通过零点由正向转换成反向，再从反向转换到规定低值的时间间隔，如图14-20所示。
- 关键字：
半导体 快恢复 整流二极管
整流二极管介绍
整流二极管
rectifier diode
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
