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快闪存储器 文章

IBM擘划快闪存储器开发蓝图

  • IBM预计将在明年利用新创公司Diablo Technologies的技术,为伺服器双列直插式记忆体模组(DIMM)插槽加入 NAND 快闪记忆体(flash)。该公司并计划在 DIMM 埠中采
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快闪存储器储存阵列市场渗透率成长强劲

  •   市场研究机构IDC最近发布的一份报告指出,快闪记忆体储存阵列的市场渗透率正在快速成长;该份报告显示,包括全快闪记忆体阵列(all-flash arrays,AFA)以及混合快闪记忆体阵列(hybrid flash arrays,HFA)在内的全球快闪记忆体阵列市场规模,在2014年可达113亿美元。   IDC的报告指出,快闪记忆体阵列市场的成长动力,来自于越来越多厂商提供针对不同应用、支援越来越高复杂度工作任务的多样化产品;“该市场的成长速度高过于我们预期,” IDC分析师
  • 关键字: 快闪存储器  HFA  AFA  

10月快闪存储器NAND供过于求 合约价看涨

  •   市调机构集邦科技预期,第4季储存型快闪存储器(NANDFlash)供过于求情况可望趋缓,10月合约价看涨。   集邦科技表示,海力士(Hynix)中国大陆无锡厂发生火灾意外,不仅带动动态随机存取存储器(DRAM)价格飙涨,同时激励9月NANDFlash合约价上涨3%至6%。   集邦科技指出,尽管NANDFlash市场销售并无好转迹象,不过,海力士无锡厂复工情况依然混沌不明,NANDFlash供给将连带受到影响,预期第4季NANDFlash市场供过于求情况可望趋缓。   集邦预期,近期1至2个月
  • 关键字: 快闪存储器  NAND  

全球晶圆携手飞思卡尔研发90纳米快闪存储器技术

  •   全球晶圆(Global Foundries)除了在28纳米制程上,宣布以28纳米高介电金属闸极(HKMG)技术,试产出全球首颗安谋(ARM)Cortex-A9架构的芯片外,同时也宣布与飞思卡尔(Freescale)合作研发90纳米快闪存储器技术,进一步强化合作关系。   全球晶圆与ARM在2009年第3季宣布策略合作计画,就是看好未来广大的行动运算市场。而就在全球晶圆与ARM携手后,台积电也于2010年宣布与ARM,合作开发28纳米及20纳米制程嵌入式存储器及标准元件库在内的实体智财产品。   因
  • 关键字: 全球晶圆  90纳米  快闪存储器  
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快闪存储器介绍

  快闪存储器   目录   1概述   2限制   1概述   快闪存储器(flash EPROM)是电子可擦除可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一种形式。快闪存储器允许在操作中多次擦或写,并具有非易失性,即单指保存数据而言,它并不需要耗电。快闪存储器和传统的EEPROM不同在于它 [ 查看详细 ]

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