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[未来可测]系列之二:忆阻器单元基础研究和性能研究测试方案

• _____忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。忆阻器备受关注的重要应用领域包括：非易失存储（Nonvolatile memory），逻辑运算（Logic computing），以及类脑神经形态计算（Brain-inspired neuromorphic computing）等。这三种截然不同又相互关联的技术路线，为发展信息
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